SiC
-
2 Zoll Siliziumkarbidwaferen 6H oder 4H N-Typ oder halbisoléierend SiC-Substrater
-
4H-N 4 Zoll SiC Substratwafer Siliziumkarbid Produktiouns-Dummy Fuerschungsqualitéit
-
6 Zoll 150 mm Siliziumkarbid SiC Waferen vum Typ 4H-N fir MOS oder SBD Produktiounsfuerschung an Dummy-Qualitéit
-
8 Zoll 200 mm 4H-N SiC Wafer leetfäeg Dummy Fuerschungsqualitéit
-
2 Zoll Siliziumkarbidwaferen 6H oder 4H N-Typ oder halbisoléierend SiC-Substrater