SiC
-
12 Zoll SIC-Substrat Siliziumkarbid-Prime-Grad Duerchmiesser 300 mm grouss Gréisst 4H-N Gëeegent fir Hëtzofleedung duerch héich Leeschtungsgeräter
-
HPSI SiC Wafer Duerchmiesser: 3 Zoll Déckt: 350µm ± 25 µm fir Leeschtungselektronik
-
8 Zoll SiC Siliziumkarbidwafer 4H-N Typ 0,5 mm Produktiounsqualitéit Fuerschungsqualitéit personaliséiert poléiert Substrat
-
3 Zoll Héichreinheets-Hallefisolatioun (HPSI) SiC-Wafer 350µm Dummy-Grad Prime Grad
-
P-Typ SiC-Substrat SiC-Wafer Dia2inch neit Produkt
-
8 Zoll 200 mm Siliziumcarbid SiC Waferen Typ 4H-N Produktiounsqualitéit 500µm Déckt
-
2 Zoll 6H-N Siliziumcarbid-Substrat Sic Wafer Duebelpoléiert Leetfäeg Prime Grad Mos Grad
-
SiC Epitaxialwafer fir Stroumversuergungsapparater – 4H-SiC, N-Typ, niddreg Defektdicht
-
Epitaxialwafer vum Typ 4H-N SiC – Héichspannungs- a Héichfrequenzapplikatiounen
-
SiC Keramik Endeffektor Handarm fir Wafertransport
-
SiC Keramikplack/Schacht fir 4 Zoll 6 Zoll Waferhalter fir ICP
-
3 Zoll héichreine (ondotéiert) Siliziumcarbidwaferen hallefisoléierend Sic-Substrater (HPSl)