150mm 6 Zoll 0,7mm 0,5mm Saphir Wafer Substrat Carrier C-Plane SSP/DSP

Kuerz Beschreiwung:

All déi uewe genannten Beschreiwunge vu Saphirkristaller sinn korrekt. Déi exzellent Leeschtung vum Saphirkristall mécht en wäit verbreet an High-End-Technologieberäicher. Mat der schneller Entwécklung vun der LED-Industrie klëmmt och d'Nofro fir Saphirkristallmaterialien.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Uwendungen

Uwendungen fir 6-Zoll Saphirwaferen enthalen:

1. LED-Herstellung: Saphirwafer kann als Substrat fir LED-Chips benotzt ginn, a seng Häert an thermesch Leetfäegkeet kënnen d'Stabilitéit an d'Liewensdauer vun LED-Chips verbesseren.

2. Laserproduktioun: Saphirwafer kënnen och als Substrat vum Laser benotzt ginn, fir d'Leeschtung vum Laser ze verbesseren an d'Liewensdauer ze verlängeren.

3. Hallefleiterherstellung: Saphirwafer gi wäit verbreet bei der Herstellung vun elektroneschen an optoelektroneschen Apparater benotzt, dorënner optesch Synthese, Solarzellen, Héichfrequenz-elektronesch Apparater, etc.

4. Aner Uwendungen: Saphirwafer kënnen och benotzt ginn fir Touchscreens, optesch Apparater, Dënnfilmsolarzellen an aner High-Tech-Produkter ze produzéieren.

Spezifikatioun

Material	Héichreinheets-Eenkristall Al2O3, Saphirwafer.
Dimensioun	150 mm +/- 0,05 mm, 6 Zoll
Déckt	1300 +/- 25 µm
Orientéierung	C-Ebene (0001) vun der M-Ebene (1-100) 0,2 +/- 0,05 Grad ewech
Primär flaach Orientéierung	Eng Fläch +/- 1 Grad
Primär flaach Längt	47,5 mm +/- 1 mm
Total Décktvariatioun (TTV)	<20 µm
Béi	<25 µm
Ketten	<25 µm
Thermeschen Ausdehnungskoeffizient	6,66 x 10-6 / °C parallel zur C-Achs, 5 x 10-6 / °C senkrecht zur C-Achs
Dielektresch Stäerkt	4,8 x 105 V/cm
Dielektresch Konstant	11,5 (1 MHz) laanscht d'C-Achs, 9,3 (1 MHz) senkrecht zur C-Achs
Dielektresch Verloscht Tangent (och bekannt als Dissipatiounsfaktor)	manner wéi 1 x 10-4
Wärmeleitfäegkeet	40 W/(mK) bei 20℃
Poléieren	Eenzelsäiteg poléiert (SSP) oder duebelsäiteg poléiert (DSP) Ra < 0,5 nm (no AFM). Déi Récksäit vum SSP-Wafer gouf fein geschliffen op Ra = 0,8 - 1,2 µm.
Transmittanz	88% +/-1% @460 nm