150 mm 6 Zoll 0,7 mm 0,5 mm Saphir Wafer Substrat Carrier C-Plane SSP/DSP

Kuerz Beschreiwung:

All déi uewe genannte sinn korrekt Beschreiwunge vu Saphirkristallen.Déi exzellent Leeschtung vu Saphirkristall mécht et vill an High-End technesche Felder benotzt.Mat der rapider Entwécklung vun der LED Industrie ass d'Nofro fir Saphirkristallmaterialien och erop.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Uwendungen

Uwendungen fir 6-Zoll Saphirwafer enthalen:

1. LED Fabrikatioun: Saphir Wafer kann als Substrat vun LED Chips benotzt ginn, a seng Hardness an thermesch Konduktivitéit kënnen d'Stabilitéit an d'Liewensdauer vun LED Chips verbesseren.

2. Laser Fabrikatioun: Saphir Wafer kann och als Substrat vum Laser benotzt ginn, fir d'Leeschtung vum Laser ze verbesseren an d'Liewensdauer ze verlängeren.

3. Semiconductor Fabrikatioun: Saphir Wafere gi wäit an der Fabrikatioun vun elektroneschen an optoelektronesche Geräter benotzt, dorënner optesch Synthese, Solarzellen, Héichfrequenz elektronesch Geräter, etc.

4. Aner Uwendungen: Saphir Wafer kann och benotzt ginn fir Touchscreen, optesch Geräter, Dënnfilm Solarzellen an aner High-Tech Produkter ze fabrizéieren.

Spezifizéierung

Material	Héich Puritéit Eenkristall Al2O3, Saphirwafer.
Dimensioun	150 mm +/- 0,05 mm, 6 Zoll
Dicke	1300 +/- 25 um
Orientéierung	C Fliger (0001) Off M (1-100) Fliger 0,2 +/- 0,05 Grad
Primär flaach Orientéierung	E Fliger +/- 1 Grad
Primär flaach Längt	47,5 mm +/- 1 mm
Total Thickness Variation (TTV)	<20 um
Béi	<25 um
Warp	<25 um
Thermesch Expansiounskoeffizient	6,66 x 10-6 / °C parallel zur C-Achs, 5 x 10-6 / °C senkrecht zur C-Achs
Dielektresch Kraaft	4,8 x 105 V/cm
Dielektresch Konstant	11,5 (1 MHz) laanscht d'C-Achs, 9,3 (1 MHz) senkrecht op d'C-Achs
Dielectric Loss Tangent (aka Dissipatiounsfaktor)	manner wéi 1 x 10-4
Thermesch Konduktivitéit	40 W/(mK) bei 20℃
Poléieren	eenzeg Säit poléiert (SSP) oder duebel Säit poléiert (DSP) Ra <0,5 nm (vun AFM).Der Géigendeel Säit vun SSP wafer war fein Buedem ze Ra = 0,8 - 1,2 um.
Iwwerdroung	88% +/-1% @460 nm