4H-N 4 Zoll SiC Substrat wafer Silicon Carbide Production Dummy Research grade

Kuerz Beschreiwung:

4-Zoll Siliziumkarbid Eenkristall Substratwafer ass e High-Performance Material mat aussergewéinleche physikaleschen a chemeschen Eegeschaften.Et ass aus héich Rengheet Silicium Carbide Eenkristallmaterial mat exzellenter thermescher Konduktivitéit, mechanescher Stabilitéit an héijer Temperaturresistenz.Dank sengem héich-Präzisioun Virbereedung Prozess an héichwäerteg Materialien, ass dësen Chip ee vun de bevorzugten Materialien fir d'Virbereedung vun héich-Performance elektronesch Apparater a ville Beräicher.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Uwendungen

4-Zoll Siliziumkarbid Eenkristall Substratwafers spillen eng wichteg Roll a ville Felder.Éischtens, ass et vill an der semiconductor Industrie benotzt an der Virbereedung vun héich-Muecht elektronesch Apparater wéi Muecht Transistoren, integréiert Circuiten a Muecht Moduler.Seng héich thermesch Konduktivitéit an héich Temperaturresistenz erméiglechen et d'Hëtzt besser ze dissipéieren a méi Aarbechtseffizienz an Zouverlässegkeet ze bidden.Zweetens, Siliziumkarbidwafere ginn och am Fuerschungsberäich benotzt fir Fuerschung iwwer nei Materialien an Apparater ze maachen.Zousätzlech ginn Siliziumkarbidwaferen och wäit an der Optoelektronik benotzt, sou wéi d'Fabrikatioun vu Leds a Laserdioden.

D'Spezifikatioune vun 4inch SiC wafer

4-Zoll Siliziumkarbid Eenkristall Substrat Wafer Duerchmiesser vu 4 Zoll (ongeféier 101,6 mm), Uewerflächefinanz bis Ra <0,5 nm, Dicke vun 600±25 μm.D'Konduktivitéit vum Wafer ass N Typ oder P Typ a kann no Clientsbedierfnesser personaliséiert ginn.Zousätzlech huet den Chip och eng exzellent mechanesch Stabilitéit, kann e gewëssen Drock a Schwéngung widderstoen.

Zoll Siliziumkarbid Eenkristall Substratwafer ass e High-Performance-Material dat wäit an Halbleiter, Fuerschung an Optoelektronik Felder benotzt gëtt.Et huet excellent thermesch Leit, mechanesch Stabilitéit an héich Temperatur Resistenz, déi gëeegent ass fir d'Virbereedung vun héich Muecht elektronesch Apparater an der Fuerschung vun neie Materialien.Mir bidden eng Vielfalt vu Spezifikatioune a Personnalisatiounsoptioune fir eng Vielfalt vu Clientsbedierfnesser ze treffen.Opgepasst w.e.g. op eis onofhängeg Säit fir méi iwwer d'Produktinformatioun vu Siliziumkarbidwaferen ze léieren.

Schlëssel Wierker: Silicon Carbide wafers, Silicon Carbide Single Kristallsglas produzéiert Substrat wafers, 4 Zoll, thermesch Konduktivitéit, mechanesch Stabilitéit, héich Temperatur Resistenz, Kraaft Transistoren, integréiert Kreesleef, Muecht Moduler, LEDs, Laser diodes, Uewerfläch Finish, Konduktivitéit, Benotzerdefinéiert Optiounen