SiC
-
2 Zoll SiC-Barren Duerchmiesser 50,8 mm x 10 mm 4H-N Monokristall
-
4 Zoll SiC Wafers 6H Hallefisoléierend SiC Substrater Prime-, Fuerschungs- a Dummy-Qualitéit
-
6 Zoll HPSI SiC Substratwafer Siliziumkarbid Semi-insuléierend SiC Waferen
-
4 Zoll Hallefinsuléierend SiC-Waferen HPSI SiC-Substrat Prime Production Grade
-
3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi SiC Substratwafer Siliziumkarbid Semi-insuléierend SiC Waferen
-
3 Zoll Duerchmiesser 76,2 mm SiC-Substrater HPSI Prime Research a Dummy-Qualitéit
-
4H-Semi HPSI 2 Zoll SiC Substratwafer Produktiouns-Dummy Fuerschungsqualitéit
-
2 Zoll SiC-Waferen 6H oder 4H Hallefisoléierend SiC-Substrater Duerchmiesser 50,8 mm
-
6 Zoll 150 mm Siliziumkarbid SiC Waferen vum Typ 4H-N fir MOS oder SBD Produktiounsfuerschung an Dummy-Qualitéit
-
2 Zoll Siliziumkarbidwaferen 6H oder 4H N-Typ oder halbisoléierend SiC-Substrater
-
4H-N 4 Zoll SiC Substratwafer Siliziumkarbid Produktiouns-Dummy Fuerschungsqualitéit
-
8 Zoll 200 mm 4H-N SiC Wafer leetfäeg Dummy Fuerschungsqualitéit