4H-semi HPSI 2inch SiC Substrat wafer Produktioun Dummy Fuerschung Grad

4H-semi HPSI 2inch SiC Substrat wafer Production Dummy Research grade Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

2 Zoll Siliziumkarbid Eenkristall Substratwafer ass e High-Performance Material mat aussergewéinleche physikaleschen a chemeschen Eegeschaften.Et ass aus héich Rengheet Silicium Carbide Eenkristallmaterial mat exzellenter thermescher Konduktivitéit, mechanescher Stabilitéit an héijer Temperaturresistenz.Dank sengem héich-Präzisioun Virbereedung Prozess an héichwäerteg Materialien, ass dësen Chip ee vun de bevorzugten Materialien fir d'Virbereedung vun héich-Performance elektronesch Apparater a ville Beräicher.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Semi-isoléierend Siliziumkarbid Substrat SiC Wafers

Silicon Carbide Substrat ass haaptsächlech ënnerdeelt an konduktiv an semi-isoléierend Typ, konduktiv Silicon Carbide Substrat zu n-Typ Substrat gëtt haaptsächlech fir epitaxial GaN-baséiert LED an aner optoelektronesch Apparater benotzt, SiC-baséiert Muecht elektronesch Apparater, etc., an semi- isoléierend SiC Siliziumkarbidsubstrat gëtt haaptsächlech fir epitaxial Fabrikatioun vu GaN High-Power Radiofrequenz Geräter benotzt.Zousätzlech héich Rengheet semi-Isolatioun HPSI an SI semi-Isolatioun ass anescht, héich-Rengheet semi-Isolatioun Träger Konzentratioun vun 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 Gamme, mat héich Elektronen Mobilitéit;Semi-Isolatioun ass eng héich-Resistenz Materialien, Resistivitéit ass ganz héich, allgemeng fir Mikrowellen Apparat Substrate benotzt, net-leitend.

Semi-isoléierend Silicon Carbide Substrat Blat SiC wafer

SiC Kristallstruktur bestëmmt seng kierperlech, relativ zu Si an GaAs, SiC huet fir déi kierperlech Eegeschaften;verbueden Band Breet ass grouss, no bei 3 Mol déi vun Si, fir sécherzestellen, datt den Apparat bei héijen Temperaturen ënnert der laangfristeg Zouverlässegkeet Wierker;Decompte Feldstäerkt ass héich, ass 1O Mol déi vu Si, fir sécherzestellen datt d'Spannungskapazitéit vum Apparat den Apparatspannungswäert verbessert;Sättigungselektronenquote ass grouss, ass 2 Mol dee vu Si, fir d'Frequenz an d'Kraaftdicht vum Apparat ze erhéijen;thermesch Konduktivitéit ass héich, méi wéi Si, d'Wärmekonduktivitéit ass héich, d'Wärmekonduktivitéit ass héich, d'Wärmekonduktivitéit ass héich, d'Wärmekonduktivitéit ass héich, méi wéi de Si, d'Wärmekonduktivitéit ass héich, d'Wärmekonduktivitéit ass héich.Héich thermesch Konduktivitéit, méi wéi 3 Mol déi vu Si, erhéicht d'Wärmevergëftungskapazitéit vum Apparat an d'Realiséierung vun der Miniaturiséierung vum Apparat.