6 Zoll HPSI SiC Substrat wafer Silicon Carbide Semi-insultant SiC wafers

Déi aktuell Wuesstumsmethoden fir SiC Eenkristall enthalen haaptsächlech déi folgend dräi: Flëssegphase Method, Héichtemperatur chemesch Dampdepositiounsmethod, a kierperlech Dampphase Transport (PVT) Method.Ënnert hinnen ass d'PVT Method déi meescht recherchéiert a reift Technologie fir SiC Eenkristallwachstum, a seng technesch Schwieregkeeten sinn:

(1) SiC Eenkristall an der héijer Temperatur vun 2300 ° C iwwer der zouene Grafitkammer fir de "fest - Gas - zolidd" Konversiounsrekristalliséierungsprozess ofzeschléissen, de Wuesstumszyklus ass laang, schwéier ze kontrolléieren, an ufälleg fir Mikrotubulen, Inklusiounen an Inklusiounen. aner Mängel.

(2) Silicon Carbide Eenkristall, dorënner méi wéi 200 verschidde Kristallsarten, awer d'Produktioun vun allgemeng nëmmen eng Kristallstyp, einfach ze produzéieren Kristalltyp Transformatioun am Wuesstumsprozess, wat zu Multi-Typ Inklusiounsdefekter resultéiert, de Virbereedungsprozess vun enger eenzeger spezifesch Kristallstyp ass schwéier d'Stabilitéit vum Prozess ze kontrolléieren, zum Beispill den aktuellen Mainstream vum 4H-Typ.

(3) Silicon Carbide Eenkristallwachstums thermesch Feld gëtt et en Temperaturgradient, wat zu de Kristallwuesstemprozess resultéiert, et gëtt en gebiertege internen Stress an déi doraus resultéierend Dislokatiounen, Feeler an aner Mängel induzéiert.

(4) Silicon Carbide Eenkristallwachstumsprozess muss strikt d'Aféierung vun externen Gëftstoffer kontrolléieren, sou datt e ganz héich Rengheet semi-isoléierend Kristall oder Directionnéiert dotéiert Leitend Kristall kritt.Fir déi semi-isoléierend Siliziumkarbid-Substrate, déi an RF-Geräter benotzt ginn, mussen d'elektresch Eegeschaften erreecht ginn andeems d'ganz geréng Gëftstoffkonzentratioun a spezifesch Aarte vu Punktdefekter am Kristall kontrolléiert ginn.