English

4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD

4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitaktesch Wafer fir MOS oder SBD Ausgewielt Bild
  • 4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD
  • 4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD
  • 4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD
  • 4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD
  • 4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD

Kuerz Beschreiwung:

Waferduerchmiesser SiC-Typ Grad Uwendungen
2-Zoll 4H-N
4H-SEMI (HPSI)
6H-N
6H-P
3C-N		 Prime (Produktioun)
Dummy
Fuerschung		 Leeschtungselektronik, HF-Geräter
3-Zoll 4H-N
4H-SEMI (HPSI)
6H-P
3C-N		 Prime (Produktioun)
Dummy
Fuerschung		 Erneierbar Energie, Loftfaart
4-Zoll 4H-N
4H-SEMI (HPSI)
6H-P
3C-N		 Prime (Produktioun)
Dummy
Fuerschung		 Industriell Maschinnen, Héichfrequenzapplikatiounen
6-Zoll 4H-N
4H-SEMI (HPSI)
6H-P
3C-N		 Prime (Produktioun)
Dummy
Fuerschung		 Automobilindustrie, Energiekonversioun
8-Zoll 4H-N
4H-SEMI (HPSI)		 Prime (Produktioun) MOS/SBD
Dummy
Fuerschung		 Elektroautoen, HF-Geräter
12-Zoll 4H-N
4H-SEMI (HPSI)		 Prime (Produktioun)
Dummy
Fuerschung		 Leeschtungselektronik, HF-Geräter

Fonctiounen

N-Typ Detailer & Diagramm

HPSI Detailer & Diagramm

Epitaktesch Wafer Detailer & Diagramm

Froen an Äntwerten

SiC Substrat SiC Epi-Wafer Kuerz

Mir bidden e komplette Portfolio vun héichwäertege SiC-Substrater a SIC-Waferen a verschiddene Polytypen an Dotierprofiler - dorënner 4H-N (n-Typ leetend), 4H-P (p-Typ leetend), 4H-HPSI (héichreine Hallefisolatioun) a 6H-P (p-Typ leetend) - an Duerchmiesser vu 4″, 6″ an 8″ bis zu 12″. Nieft blanne Substrater liwweren eis wäertvoll Epi-Wafer-Wuesstumsservicer epitaktesch (epi) Waferen mat streng kontrolléierter Déckt (1–20 µm), Dotierkonzentratiounen an Defektdichten.

All Sic-Wafer an Epi-Wafer ënnerleien enger rigoréiser In-Line-Inspektioun (Mikropäifdicht <0,1 cm⁻², Uewerflächenrauheet Ra <0,2 nm) a kompletter elektrescher Charakteriséierung (CV, Widderstandsmapping), fir eng aussergewéinlech Kristalluniformitéit a Leeschtung ze garantéieren. Egal ob se fir Leeschtungselektronikmoduler, Héichfrequenz-HF-Verstärker oder optoelektronesch Geräter (LEDs, Photodetekteren) benotzt ginn, eis SiC-Substrat- an Epi-Wafer-Produktlinne liwweren déi Zouverlässegkeet, thermesch Stabilitéit an Duerchbrochfestigkeit, déi vun den haitegsten Uwendungen erfuerderlech sinn.

Eegeschaften an Uwendungen vum SiC-Substrat vum Typ 4H-N

  • 4H-N SiC-Substrat Polytyp (Hexagonal) Struktur

Eng breet Bandlück vun ~3,26 eV garantéiert eng stabil elektresch Leeschtung a thermesch Robustheet ënner héijen Temperaturen a Konditioune mat héijem elektresche Feld.

  • SiC-SubstratN-Typ Doping

Genee kontrolléiert Stickstoffdotierung ergëtt Trägerkonzentratioune vun 1×10¹⁶ bis 1×10¹⁹ cm⁻³ an Elektronemobilitéite bei Raumtemperatur vu bis zu ~900 cm²/V·s, wouduerch d'Leetungsverloschter miniméiert ginn.

  • SiC-SubstratBreet Widderstand & Uniformitéit

Verfügbare Widderstandsberäich vun 0,01–10 Ω·cm a Waferdicken vun 350–650 µm mat enger Toleranz vun ±5% souwuel bei der Dotierung wéi och bei der Déckt – ideal fir d'Fabrikatioun vun Héichleistungs-Apparater.

  • SiC-SubstratUltra-niddreg Defektdicht

Mikropäifdicht < 0,1 cm⁻² an Basal-Plane-Dislokatiounsdicht < 500 cm⁻², wat eng Geräterausbezuelung vun > 99% an eng iwwerleeën Kristallintegritéit liwwert.

  • SiC-SubstratAussergewéinlech thermesch Konduktivitéit

Eng Wärmeleitfäegkeet vu bis zu ~370 W/m·K erliichtert eng effizient Hëtztentfernung, erhéicht d'Zouverlässegkeet an d'Leeschtungsdicht vum Apparat.

  • SiC-SubstratZil-Applikatiounen

SiC MOSFETs, Schottky-Dioden, Leeschtungsmoduler an HF-Apparater fir Undriff vun Elektroautoen, Solarwechselrichter, Industrieundriff, Traktiounssystemer an aner usprochsvoll Mäert am Beräich vun der Leeschtungselektronik.

Spezifikatioun vun 6 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer
Immobilie Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
Grad Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
Duerchmiesser 149,5 mm - 150,0 mm 149,5 mm - 150,0 mm
Poly-Typ 4H 4H
Déckt 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm
Wafer Orientéierung Off-axis: 4,0° Richtung <1120> ± 0,5° Off-axis: 4,0° Richtung <1120> ± 0,5°
Mikropäifdicht ≤ 0,2 cm² ≤ 15 cm²
Widderstandsfäegkeet 0,015 - 0,024 Ω·cm 0,015 - 0,028 Ω·cm
Primär flaach Orientéierung [10-10] ± 50° [10-10] ± 50°
Primär flaach Längt 475 mm ± 2,0 mm 475 mm ± 2,0 mm
Randausgrenzung 3 mm 3 mm
LTV/TIV / Béi / Ketten ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm
Rauheet Polnesch Ra ≤ 1 nm Polnesch Ra ≤ 1 nm
CMP Ra ≤ 0,2 nm ≤ 0,5 nm
Kantrëss duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm
Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 0,1%
Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 3%
Visuell Kuelestoffinklusiounen Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 5%
Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Längt ≤ 1 Waferduerchmiesser
Kantchips duerch héichintensivt Liicht Keen erlaabt ≥ 0,2 mm Breet an Déift 7 erlaabt, ≤ 1 mm all
Verrécklung vun der Gewënnschraube < 500 cm³ < 500 cm³
Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht
Verpackung Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter

 

Spezifikatioun vun 8 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer
Immobilie Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
Grad Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
Duerchmiesser 199,5 mm - 200,0 mm 199,5 mm - 200,0 mm
Poly-Typ 4H 4H
Déckt 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
Wafer Orientéierung 4,0° Richtung <110> ± 0,5° 4,0° Richtung <110> ± 0,5°
Mikropäifdicht ≤ 0,2 cm² ≤ 5 cm²
Widderstandsfäegkeet 0,015 - 0,025 Ω·cm 0,015 - 0,028 Ω·cm
Edel Orientéierung
Randausgrenzung 3 mm 3 mm
LTV/TIV / Béi / Ketten ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm
Rauheet Polnesch Ra ≤ 1 nm Polnesch Ra ≤ 1 nm
CMP Ra ≤ 0,2 nm ≤ 0,5 nm
Kantrëss duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm
Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 0,1%
Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 3%
Visuell Kuelestoffinklusiounen Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 5%
Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Längt ≤ 1 Waferduerchmiesser
Kantchips duerch héichintensivt Liicht Keen erlaabt ≥ 0,2 mm Breet an Déift 7 erlaabt, ≤ 1 mm all
Verrécklung vun der Gewënnschraube < 500 cm³ < 500 cm³
Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht
Verpackung Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter

 

4h-n sic wafer's application_副本

 

4H-SiC ass en héichperformant Material, dat fir Leeschtungselektronik, HF-Geräter an Héichtemperaturapplikatioune benotzt gëtt. Den "4H" bezitt sech op d'Kristallstruktur, déi hexagonal ass, an den "N" weist en Dotierungstyp un, deen benotzt gëtt fir d'Leeschtung vum Material ze optimiséieren.

Den4H-SiCTyp gëtt dacks benotzt fir:

Leeschtungselektronik:Benotzt a Geräter wéi Dioden, MOSFETs an IGBTs fir Undriffssystemer fir Elektroautoen, Industriemaschinnen a Systemer fir erneierbar Energien.
5G Technologie:Mat der Nofro vum 5G fir Héichfrequenz- a Héicheffizienzkomponenten, mécht d'Fäegkeet vu SiC, héich Spannungen ze handhaben a bei héijen Temperaturen ze funktionéieren, et ideal fir Basisstatiouns-Leeschtungsverstärker an HF-Geräter.
Solarenergiesystemer:Déi exzellent Energieveraarbechtungseigenschaften vu SiC si ideal fir photovoltaesch (Solarenergie-) Wechselrichter a Konverter.
Elektroautoen (EVs):SiC gëtt wäit verbreet an EV-Undriffssystemer fir eng méi effizient Energiekonversioun, eng méi niddreg Hëtzeproduktioun a méi héich Leeschtungsdicht benotzt.

Eegeschaften an Uwendung vum SiC-Substrat 4H Hallefisolatiounstyp

Eegeschaften:

    • Techniken fir d'Dichtkontroll ouni MikropäifenGarantéiert d'Feele vu Mikropäifen, verbessert d'Substratqualitéit.

       

    • Monokristallin KontrolltechnikenGarantéiert eng Eenzelkristallstruktur fir verbessert Materialeegeschafte.

       

    • Technike fir d'Kontroll vun InklusiounenMiniméiert d'Präsenz vun Ongereinheeten oder Inklusiounen a garantéiert e reint Substrat.

       

    • Techniken fir d'Kontroll vum WidderstandErlaabt eng präzis Kontroll vum elektresche Widderstand, wat entscheedend fir d'Leeschtung vum Apparat ass.

       

    • Techniken fir d'Reguléierung an d'Kontroll vun OnreinheetenReguléiert a limitéiert d'Aféierung vun Ongereinheeten, fir d'Integritéit vum Substrat ze erhalen.

       

    • Technike fir d'Kontroll vun der Stufbreet vum SubstratBitt eng präzis Kontroll iwwer d'Schrëttbreet a garantéiert Konsistenz um ganze Substrat

 

Spezifikatioun vum 6 Zoll 4H-Semi-SiC-Substrat
Immobilie Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
Duerchmiesser (mm) 145 mm - 150 mm 145 mm - 150 mm
Poly-Typ 4H 4H
Déckt (um) 500 ± 15 500 ± 25
Wafer Orientéierung Op der Achs: ±0,0001° Op der Achs: ±0,05°
Mikropäifdicht ≤ 15 cm-2 ≤ 15 cm-2
Widderstand (Ωcm) ≥ 10E3 ≥ 10E3
Primär flaach Orientéierung (0-10)° ± 5,0° (10-10)° ± 5,0°
Primär flaach Längt Kerb Kerb
Kantenausgrenzung (mm) ≤ 2,5 µm / ≤ 15 µm ≤ 5,5 µm / ≤ 35 µm
LTV / Schossel / Warp ≤ 3 µm ≤ 3 µm
Rauheet Poléiert Ra ≤ 1,5 µm Poléiert Ra ≤ 1,5 µm
Kantchips duerch héichintensivt Liicht ≤ 20 µm ≤ 60 µm
Hëtztplacken duerch héichintensivt Liicht Kumulativ ≤ 0,05% Kumulativ ≤ 3%
Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Visuell Kuelestoffinklusiounen ≤ 0,05% Kumulativ ≤ 3%
Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht ≤ 0,05% Kumulativ ≤ 4%
Kantchips duerch héichintensivt Liicht (Gréisst) Net erlaabt > 02 mm Breet an Déift Net erlaabt > 02 mm Breet an Déift
D'Hëllefsschraufdilatatioun ≤ 500 µm ≤ 500 µm
Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht ≤ 1 x 10^5 ≤ 1 x 10^5
Verpackung Multi-Wafer-Kassett oder Eenzelwafer-Behälter Multi-Wafer-Kassett oder Eenzelwafer-Behälter

Spezifikatioun vum 4-Zoll 4H-Halbisoléierende SiC-Substrat

Parameter Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
Physikalesch Eegeschaften
Duerchmiesser 99,5 mm – 100,0 mm 99,5 mm – 100,0 mm
Poly-Typ 4H 4H
Déckt 500 μm ± 15 μm 500 μm ± 25 μm
Wafer Orientéierung Op der Achs: <600h > 0,5° Op der Achs: <000h > 0,5°
Elektresch Eegeschaften
Mikropäifdicht (MPD) ≤1 cm⁻² ≤15 cm⁻²
Widderstandsfäegkeet ≥150 Ω·cm ≥1,5 Ω·cm
Geometresch Toleranzen
Primär flaach Orientéierung (0x10) ± 5,0° (0x10) ± 5,0°
Primär flaach Längt 52,5 mm ± 2,0 mm 52,5 mm ± 2,0 mm
Sekundär flaach Längt 18,0 mm ± 2,0 mm 18,0 mm ± 2,0 mm
Sekundär flaach Orientéierung 90° mat der rietser Säit vun der Prime-Flaach ± 5,0° (Si-Front no uewen) 90° mat der rietser Säit vun der Prime-Flaach ± 5,0° (Si-Front no uewen)
Randausgrenzung 3 mm 3 mm
LTV / TTV / Béi / Ketten ≤2,5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
Uewerflächenqualitéit
Uewerflächenrauheet (Polnesch Ra) ≤1 nm ≤1 nm
Uewerflächenrauheet (CMP Ra) ≤0,2 nm ≤0,2 nm
Rëss um Rand (Héichintensivt Liicht) Net erlaabt Kumulativ Längt ≥10 mm, eenzel Rëss ≤2 mm
Defekter vun der sechseckeger Placke ≤0,05% kumulativ Fläch ≤0,1% kumulativ Fläch
Polytyp-Inklusiounsgebidder Net erlaabt ≤1% kumulativ Fläch
Visuell Kuelestoffinklusiounen ≤0,05% kumulativ Fläch ≤1% kumulativ Fläch
Kratzer op der Silikonoberfläche Net erlaabt Kumulativ Längt vun ≤1 Waferduerchmiesser
Kantchips Net erlaabt (≥0,2 mm Breet/Déift) ≤5 Chips (jeeweils ≤1 mm)
Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche Net spezifizéiert Net spezifizéiert
Verpackung
Verpackung Multi-Wafer-Kassett oder Eenzel-Wafer-Behälter Multi-Wafer-Kassett oder


Applikatioun:

DenSiC 4H Hallefisolatiounssubstratergi virun allem an elektroneschen Apparater mat héijer Leeschtung an héijer Frequenz benotzt, besonnesch an derHF-FeldDës Substrate si fir verschidden Uwendungen entscheedend, dorënnerMikrowellenkommunikatiounssystemer, Phased-Array-Radar, andrahtlos elektresch DetektorenHir héich thermesch Leetfäegkeet an exzellent elektresch Eegeschafte maachen se ideal fir usprochsvoll Uwendungen an der Leeschtungselektronik a Kommunikatiounssystemer.

HPSI sic wafer-application_副本

 

Eegeschaften an Uwendungen vun SiC Epi-Wafer vum Typ 4H-N

Eegeschaften an Uwendungen vum SiC 4H-N Typ Epi Wafer

 

Eegeschafte vun der SiC 4H-N Epi-Wafer vum Typ:

 

Materialzesummesetzung:

SiC (Siliziumkarbid)Bekannt fir seng aussergewéinlech Häert, héich thermesch Leetfäegkeet an exzellent elektresch Eegeschaften, ass SiC ideal fir héich performant elektronesch Apparater.
4H-SiC PolytypDe 4H-SiC Polytyp ass bekannt fir seng héich Effizienz a Stabilitéit an elektroneschen Uwendungen.
N-Typ DopingN-Typ Dotierung (mat Stéckstoff dotiert) bitt eng exzellent Elektronemobilitéit, wouduerch SiC fir Héichfrequenz- an Héichleistungsapplikatioune gëeegent ass.

 

 

Héich thermesch Konduktivitéit:

SiC-Wafers hunn eng iwwerleeën Wärmeleitfäegkeet, typescherweis tëscht120–200 W/m·K, wat hinnen erlaabt, d'Hëtzt an Héichleistungsgeräter wéi Transistoren an Dioden effektiv ze verwalten.

Breet Bandlück:

Mat enger Bandlück vun3,26 eV, 4H-SiC kann am Verglach mat traditionellen Silizium-baséierten Apparater bei méi héije Spannungen, Frequenzen an Temperaturen funktionéieren, wat et ideal fir héicheffizient an héichperformant Uwendungen mécht.

 

Elektresch Eegeschaften:

Déi héich Elektronemobilitéit a Konduktivitéit vu SiC maachen et ideal firLeeschtungselektronik, déi séier Schaltgeschwindegkeeten an eng héich Stroum- a Spannungskapazitéit ubidden, wat zu méi effiziente Stroummanagementsystemer féiert.

 

 

Mechanesch a chemesch Resistenz:

SiC ass ee vun den härtesten Materialien, nëmmen no Diamant déi zweethärtegst, an ass héich resistent géint Oxidatioun a Korrosioun, wouduerch et och an haarden Ëmfeld haltbar ass.

 

 

Uwendungen vun SiC 4H-N Typ Epi Wafer:

 

Leeschtungselektronik:

Epi-Wafere vum Typ SiC 4H-N gi wäit verbreet aPower MOSFETs, IGBTs, anDiodenfirEnergiekonversiouna Systemer wéi z.B.Solarinverter, elektresch Gefierer, anEnergiespeichersystemer, wat eng verbessert Leeschtung an Energieeffizienz bitt.

 

Elektroautoen (EVs):

In Undriffssystemer fir elektresch Gefierer, Motorregler, anOpluedstatiounen, SiC-Waferen hëllefen eng besser Batterieeffizienz, méi séier Laden an eng verbessert allgemeng Energieleistung z'erreechen, well se géint héich Leeschtung an Temperaturen fäeg sinn.

Erneierbar Energiesystemer:

SolarinverterSiC-Wafere ginn agesatSolarenergiesystemerfir d'Ëmwandlung vun der Gläichstroumversuergung vu Solarpanneauen an Wiesselstroum, wat d'Gesamteffizienz an d'Leeschtung vum System erhéicht.
WandturbinnenSiC-Technologie gëtt agesatWandturbinnkontrollsystemer, Optimiséierung vun der Energieerzeugung an der Konversiounseffizienz.

Loft- a Raumfaart a Verdeedegung:

SiC-Wafers si perfekt fir d'Benotzung anLoftfaart-Elektronikanmilitäresch Uwendungen, dorënnerRadarsystemeranSatellittenelektronik, wou eng héich Stralungsbeständegkeet an thermesch Stabilitéit entscheedend sinn.

 

 

Héichtemperatur- an Héichfrequenzapplikatiounen:

SiC-Wafers exzelléieren anHéichtemperaturelektronik, benotzt anFligermotoren, Raumschëff, anindustriell Heizungssystemer, well se hir Leeschtung bei extremen Hëtztbedingungen behalen. Zousätzlech erlaabt hir grouss Bandlück d'Benotzung anHéichfrequenzapplikatiounenwéiRF-GeräteranMikrowellenkommunikatioun.

 

 

6-Zoll N-Typ Epit Axial Spezifikatioun
Parameter Eenheet Z-MOS
Typ Konduktivitéit / Dotierstoff - N-Typ / Stéckstoff
Pufferschicht Déckt vun der Pufferschicht um 1
Toleranz vun der Pufferschichtdicke % ±20%
Konzentratioun vun der Pufferschicht cm-3 1.00E+18
Konzentratiounstoleranz vun der Pufferschicht % ±20%
1. Epi-Schicht Epi-Schichtdicke um 11,5
Epi-Schichtdicke-Uniformitéit % ±4%
Epi-Schichten Dicke Toleranz ((Spezifikatioun-
Max, Min)/Spezifikatioun)		 % ±5%
Epi-Schichtkonzentratioun cm-3 1. E. 15~ 1. E. 18
Epi-Schicht Konzentratiounstoleranz % 6%
Epi-Schicht-Konzentratiounsuniformitéit (σ)
/bedeiten)		 % ≤5%
Epi-Schicht Konzentratiounsuniformitéit
<(max-min)/(max+min>		 % ≤ 10%
Epitaixal Waferform Béi um ≤±20
WARP um ≤30
TTV um ≤ 10
LTV um ≤2
Allgemeng Charakteristiken Kratzerlängt mm ≤30mm
Kantchips - KEEN
Definitioun vu Mängel ≥97%
(Gemooss mat 2*2,
Killer Defekter enthalen: Defekter enthalen
Mikropäif / Grouss Kären, Muert, Dräieckeg
Metallkontaminatioun Atomer/cm² d f f ll i
≤5E10 Atomer/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn)
Pak Verpackungsspezifikatiounen Stéck/Këscht Multi-Wafer-Kassett oder Eenzel-Wafer-Behälter

 

 

 

 

8-Zoll N-Typ epitaktesch Spezifikatioun
Parameter Eenheet Z-MOS
Typ Konduktivitéit / Dotierstoff - N-Typ / Stéckstoff
Pufferschicht Déckt vun der Pufferschicht um 1
Toleranz vun der Pufferschichtdicke % ±20%
Konzentratioun vun der Pufferschicht cm-3 1.00E+18
Konzentratiounstoleranz vun der Pufferschicht % ±20%
1. Epi-Schicht Duerchschnëttlech Dicke vun den Epi-Schichten um 8~ 12
Epi-Schichten-Décktuniformitéit (σ/Moyenne) % ≤2.0
Epi-Schichten Dicke Toleranz ((Spec -Max, Min) / Spez) % ±6
Duerchschnëttlech Doping vun Epi-Schichten cm-3 8E+15 ~2E+16
Epi-Schichten Netto-Dopinguniformitéit (σ/Moyenne) % ≤5
Epi Schichten Netto Doping Toleranz ((Spec -Max, % ± 10,0
Epitaixal Waferform Mi )/S )
Ketten		 um ≤50,0
Béi um ± 30,0
TTV um ≤ 10,0
LTV um ≤4,0 (10 mm × 10 mm)
Allgemeng
Charakteristiken		 Kratzer - Kumulativ Längt ≤ 1/2 Wafer Duerchmiesser
Kantchips - ≤2 Chips, all Radius ≤1.5mm
Kontaminatioun vu Metaller op der Uewerfläch Atomer/cm² ≤5E10 Atomer/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn)
Defektinspektioun % ≥ 96,0
(2X2 Defekter enthalen Mikropäif / Grouss Lächer,
Muert, Dräieckeg Defekter, Nodeeler,
Linear/IGSF-en, BPD)
Kontaminatioun vu Metaller op der Uewerfläch Atomer/cm² ≤5E10 Atomer/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn)
Pak Verpackungsspezifikatiounen - Multi-Wafer-Kassett oder Eenzel-Wafer-Behälter

 

 

 

 

Froen an Äntwerten iwwer SiC-Waferen

Q1: Wat sinn déi wichtegst Virdeeler vun der Verwendung vu SiC-Wafers am Verglach mat traditionelle Siliziumwafers an der Leeschtungselektronik?

A1:
SiC-Waferen bidden e puer Schlësselvirdeeler géintiwwer traditionelle Silizium (Si)-Waferen an der Leeschtungselektronik, dorënner:

Méi héich EffizienzSiC huet eng méi grouss Bandlück (3,26 eV) am Verglach mat Silizium (1,1 eV), wat et den Apparater erlaabt, bei méi héije Spannungen, Frequenzen an Temperaturen ze funktionéieren. Dëst féiert zu engem méi niddrege Stroumverloscht an enger méi héijer Effizienz a Stroumkonversiounssystemer.
Héich thermesch KonduktivitéitD'Wärmeleitfäegkeet vu SiC ass vill méi héich wéi déi vu Silizium, wat eng besser Wärmeofleedung an Uwendungen mat héijer Leeschtung erméiglecht, wat d'Zouverlässegkeet an d'Liewensdauer vu Stroumversuergungsapparater verbessert.
Ëmgang mat méi héijer Spannung a StroumSiC-Apparater kënne méi héich Spannungs- a Stroumniveauen handhaben, wouduerch se fir Uwendungen mat héijer Leeschtung wéi Elektroautoen, erneierbar Energiesystemer an industriell Motorundriff gëeegent sinn.
Méi séier SchaltgeschwindegkeetSiC-Komponente hunn méi séier Schaltméiglechkeeten, déi zu enger Reduktioun vum Energieverloscht a vun der Systemgréisst bäidroen, wouduerch se ideal fir Héichfrequenzapplikatioune sinn.

 

Q2: Wat sinn déi wichtegst Uwendungen vu SiC-Waferen an der Automobilindustrie?

A2:
An der Automobilindustrie ginn SiC-Waferen haaptsächlech an:

Undriffssystemer fir Elektroautoen (EV)Komponenten op Basis vu SiC, wéi zum BeispillInverteranPower MOSFETsd'Effizienz an d'Leeschtung vun Elektroauto-Undriffssystemer verbesseren andeems méi séier Schaltgeschwindegkeeten an eng méi héich Energiedicht erméiglecht ginn. Dëst féiert zu enger méi laanger Batterielaufzäit an enger besserer Gesamtleeschtung vum Gefier.
Ladegeräter u BordSiC-Apparater hëllefen d'Effizienz vun agebaute Ladesystemer ze verbesseren, andeems se méi séier Ladezäiten an e bessert Wärmemanagement erméiglechen, wat entscheedend ass fir Elektroautoen, fir Héichleistungs-Ladestatiounen z'ënnerstëtzen.
Batteriemanagementsystemer (BMS)SiC-Technologie verbessert d'Effizienz vunBatteriemanagementsystemer, wat eng besser Spannungsreguléierung, eng méi héich Leeschtungsveraarbechtung a méi laang Batterielaufzäit erméiglecht.
Gläichstroum-Gläichstroum-KonverterSiC-Wafere ginn agesatDC-DC Konverterfir Héichspannungs-Gläichstroum méi effizient an Nidderspannungs-Gläichstroum ëmzewandelen, wat bei Elektroautoen entscheedend ass, fir d'Stroumversuergung vun der Batterie zu verschiddene Komponenten am Gefier ze verwalten.
Déi iwwerleeën Leeschtung vu SiC a Héichspannungs-, Héichtemperatur- an Héicheffizienzuwendungen mécht et essentiell fir den Iwwergank vun der Automobilindustrie op d'Elektromobilitéit.

 

  • Virdrun:
  • Weider:

    • Spezifikatioun vun 6 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer
    Immobilie Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
    Grad Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
    Duerchmiesser 149,5 mm – 150,0 mm 149,5 mm – 150,0 mm
    Poly-Typ 4H 4H
    Déckt 350 µm ± 15 µm 350 µm ± 25 µm
    Wafer Orientéierung Off-axis: 4,0° Richtung <1120> ± 0,5° Off-axis: 4,0° Richtung <1120> ± 0,5°
    Mikropäifdicht ≤ 0,2 cm² ≤ 15 cm²
    Widderstandsfäegkeet 0,015 – 0,024 Ω·cm 0,015 – 0,028 Ω·cm
    Primär flaach Orientéierung [10-10] ± 50° [10-10] ± 50°
    Primär flaach Längt 475 mm ± 2,0 mm 475 mm ± 2,0 mm
    Randausgrenzung 3 mm 3 mm
    LTV/TIV / Béi / Ketten ≤ 2,5 µm / ≤ 6 µm / ≤ 25 µm / ≤ 35 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 40 µm / ≤ 60 µm
    Rauheet Polnesch Ra ≤ 1 nm Polnesch Ra ≤ 1 nm
    CMP Ra ≤ 0,2 nm ≤ 0,5 nm
    Kantrëss duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm
    Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 0,1%
    Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 3%
    Visuell Kuelestoffinklusiounen Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 5%
    Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Längt ≤ 1 Waferduerchmiesser
    Kantchips duerch héichintensivt Liicht Keen erlaabt ≥ 0,2 mm Breet an Déift 7 erlaabt, ≤ 1 mm all
    Verrécklung vun der Gewënnschraube < 500 cm³ < 500 cm³
    Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht
    Verpackung Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter

     

    Spezifikatioun vun 8 Zoll 4H-N Typ SiC Wafer
    Immobilie Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
    Grad Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
    Duerchmiesser 199,5 mm – 200,0 mm 199,5 mm – 200,0 mm
    Poly-Typ 4H 4H
    Déckt 500 µm ± 25 µm 500 µm ± 25 µm
    Wafer Orientéierung 4,0° Richtung <110> ± 0,5° 4,0° Richtung <110> ± 0,5°
    Mikropäifdicht ≤ 0,2 cm² ≤ 5 cm²
    Widderstandsfäegkeet 0,015 – 0,025 Ω·cm 0,015 – 0,028 Ω·cm
    Edel Orientéierung
    Randausgrenzung 3 mm 3 mm
    LTV/TIV / Béi / Ketten ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 70 µm ≤ 5 µm / ≤ 15 µm / ≤ 35 µm / 100 µm
    Rauheet Polnesch Ra ≤ 1 nm Polnesch Ra ≤ 1 nm
    CMP Ra ≤ 0,2 nm ≤ 0,5 nm
    Kantrëss duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm Kumulativ Längt ≤ 20 mm, eenzel Längt ≤ 2 mm
    Sechseckplacken duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 0,1%
    Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 3%
    Visuell Kuelestoffinklusiounen Kumulativ Fläch ≤ 0,05% Kumulativ Fläch ≤ 5%
    Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht Kumulativ Längt ≤ 1 Waferduerchmiesser
    Kantchips duerch héichintensivt Liicht Keen erlaabt ≥ 0,2 mm Breet an Déift 7 erlaabt, ≤ 1 mm all
    Verrécklung vun der Gewënnschraube < 500 cm³ < 500 cm³
    Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht
    Verpackung Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter Multi-Wafer Kassett oder Eenzelwafer Behälter

    Spezifikatioun vum 6 Zoll 4H-Semi-SiC-Substrat
    Immobilie Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
    Duerchmiesser (mm) 145 mm – 150 mm 145 mm – 150 mm
    Poly-Typ 4H 4H
    Déckt (um) 500 ± 15 500 ± 25
    Wafer Orientéierung Op der Achs: ±0,0001° Op der Achs: ±0,05°
    Mikropäifdicht ≤ 15 cm-2 ≤ 15 cm-2
    Widderstand (Ωcm) ≥ 10E3 ≥ 10E3
    Primär flaach Orientéierung (0-10)° ± 5,0° (10-10)° ± 5,0°
    Primär flaach Längt Kerb Kerb
    Kantenausgrenzung (mm) ≤ 2,5 µm / ≤ 15 µm ≤ 5,5 µm / ≤ 35 µm
    LTV / Schossel / Warp ≤ 3 µm ≤ 3 µm
    Rauheet Poléiert Ra ≤ 1,5 µm Poléiert Ra ≤ 1,5 µm
    Kantchips duerch héichintensivt Liicht ≤ 20 µm ≤ 60 µm
    Hëtztplacken duerch héichintensivt Liicht Kumulativ ≤ 0,05% Kumulativ ≤ 3%
    Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht Visuell Kuelestoffinklusiounen ≤ 0,05% Kumulativ ≤ 3%
    Siliziumoberfläche kraazt duerch héichintensivt Liicht ≤ 0,05% Kumulativ ≤ 4%
    Kantchips duerch héichintensivt Liicht (Gréisst) Net erlaabt > 02 mm Breet an Déift Net erlaabt > 02 mm Breet an Déift
    D'Hëllefsschraufdilatatioun ≤ 500 µm ≤ 500 µm
    Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche duerch héichintensivt Liicht ≤ 1 x 10^5 ≤ 1 x 10^5
    Verpackung Multi-Wafer-Kassett oder Eenzelwafer-Behälter Multi-Wafer-Kassett oder Eenzelwafer-Behälter

     

    Spezifikatioun vum 4-Zoll 4H-Halbisoléierende SiC-Substrat

    Parameter Null MPD Produktiounsgrad (Z-Grad) Dummy-Klass (Klass D)
    Physikalesch Eegeschaften
    Duerchmiesser 99,5 mm – 100,0 mm 99,5 mm – 100,0 mm
    Poly-Typ 4H 4H
    Déckt 500 μm ± 15 μm 500 μm ± 25 μm
    Wafer Orientéierung Op der Achs: <600h > 0,5° Op der Achs: <000h > 0,5°
    Elektresch Eegeschaften
    Mikropäifdicht (MPD) ≤1 cm⁻² ≤15 cm⁻²
    Widderstandsfäegkeet ≥150 Ω·cm ≥1,5 Ω·cm
    Geometresch Toleranzen
    Primär flaach Orientéierung (0×10) ± 5,0° (0×10) ± 5,0°
    Primär flaach Längt 52,5 mm ± 2,0 mm 52,5 mm ± 2,0 mm
    Sekundär flaach Längt 18,0 mm ± 2,0 mm 18,0 mm ± 2,0 mm
    Sekundär flaach Orientéierung 90° mat der rietser Säit vun der Prime-Flaach ± 5,0° (Si-Front no uewen) 90° mat der rietser Säit vun der Prime-Flaach ± 5,0° (Si-Front no uewen)
    Randausgrenzung 3 mm 3 mm
    LTV / TTV / Béi / Ketten ≤2,5 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm ≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
    Uewerflächenqualitéit
    Uewerflächenrauheet (Polnesch Ra) ≤1 nm ≤1 nm
    Uewerflächenrauheet (CMP Ra) ≤0,2 nm ≤0,2 nm
    Rëss um Rand (Héichintensivt Liicht) Net erlaabt Kumulativ Längt ≥10 mm, eenzel Rëss ≤2 mm
    Defekter vun der sechseckeger Placke ≤0,05% kumulativ Fläch ≤0,1% kumulativ Fläch
    Polytyp-Inklusiounsgebidder Net erlaabt ≤1% kumulativ Fläch
    Visuell Kuelestoffinklusiounen ≤0,05% kumulativ Fläch ≤1% kumulativ Fläch
    Kratzer op der Silikonoberfläche Net erlaabt Kumulativ Längt vun ≤1 Waferduerchmiesser
    Kantchips Net erlaabt (≥0,2 mm Breet/Déift) ≤5 Chips (jeeweils ≤1 mm)
    Kontaminatioun vun der Siliziumoberfläche Net spezifizéiert Net spezifizéiert
    Verpackung
    Verpackung Multi-Wafer-Kassett oder Eenzel-Wafer-Behälter Multi-Wafer-Kassett oder

     

    6-Zoll N-Typ Epit Axial Spezifikatioun
    Parameter Eenheet Z-MOS
    Typ Konduktivitéit / Dotierstoff - N-Typ / Stéckstoff
    Pufferschicht Déckt vun der Pufferschicht um 1
    Toleranz vun der Pufferschichtdicke % ±20%
    Konzentratioun vun der Pufferschicht cm-3 1.00E+18
    Konzentratiounstoleranz vun der Pufferschicht % ±20%
    1. Epi-Schicht Epi-Schichtdicke um 11,5
    Epi-Schichtdicke-Uniformitéit % ±4%
    Epi-Schichten Dicke Toleranz ((Spezifikatioun-
    Max, Min)/Spezifikatioun)    		 % ±5%
    Epi-Schichtkonzentratioun cm-3 1. E. 15~ 1. E. 18
    Epi-Schicht Konzentratiounstoleranz % 6%
    Epi-Schicht-Konzentratiounsuniformitéit (σ)
    /bedeiten)    		 % ≤5%
    Epi-Schicht Konzentratiounsuniformitéit
    <(max-min)/(max+min>    		 % ≤ 10%
    Epitaixal Waferform Béi um ≤±20
    WARP um ≤30
    TTV um ≤ 10
    LTV um ≤2
    Allgemeng Charakteristiken Kratzerlängt mm ≤30mm
    Kantchips - KEEN
    Definitioun vu Mängel ≥97%
    (Gemooss mat 2*2,
    Killer Defekter enthalen: Defekter enthalen
    Mikropäif / Grouss Kären, Muert, Dräieckeg
    Metallkontaminatioun Atomer/cm² d f f ll i
    ≤5E10 Atomer/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
    Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn)
    Pak Verpackungsspezifikatiounen Stéck/Këscht Multi-Wafer-Kassett oder Eenzel-Wafer-Behälter

     

    8-Zoll N-Typ epitaktesch Spezifikatioun
    Parameter Eenheet Z-MOS
    Typ Konduktivitéit / Dotierstoff - N-Typ / Stéckstoff
    Pufferschicht Déckt vun der Pufferschicht um 1
    Toleranz vun der Pufferschichtdicke % ±20%
    Konzentratioun vun der Pufferschicht cm-3 1.00E+18
    Konzentratiounstoleranz vun der Pufferschicht % ±20%
    1. Epi-Schicht Duerchschnëttlech Dicke vun den Epi-Schichten um 8~ 12
    Epi-Schichten-Décktuniformitéit (σ/Moyenne) % ≤2.0
    Epi-Schichten Dicke Toleranz ((Spec -Max, Min) / Spez) % ±6
    Duerchschnëttlech Doping vun Epi-Schichten cm-3 8E+15 ~2E+16
    Epi-Schichten Netto-Dopinguniformitéit (σ/Moyenne) % ≤5
    Epi Schichten Netto Doping Toleranz ((Spec -Max, % ± 10,0
    Epitaixal Waferform Mi )/S )
    Ketten    		 um ≤50,0
    Béi um ± 30,0
    TTV um ≤ 10,0
    LTV um ≤4,0 (10 mm × 10 mm)
    Allgemeng
    Charakteristiken    		 Kratzer - Kumulativ Längt ≤ 1/2 Wafer Duerchmiesser
    Kantchips - ≤2 Chips, all Radius ≤1.5mm
    Kontaminatioun vu Metaller op der Uewerfläch Atomer/cm² ≤5E10 Atomer/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
    Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn)
    Defektinspektioun % ≥ 96,0
    (2X2 Defekter enthalen Mikropäif / Grouss Lächer,
    Muert, Dräieckeg Defekter, Nodeeler,
    Linear/IGSF-en, BPD)
    Kontaminatioun vu Metaller op der Uewerfläch Atomer/cm² ≤5E10 Atomer/cm2 (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn,
    Hg, Na, K, Ti, Ca & Mn)
    Pak Verpackungsspezifikatiounen - Multi-Wafer-Kassett oder Eenzel-Wafer-Behälter

    Q1: Wat sinn déi wichtegst Virdeeler vun der Verwendung vu SiC-Wafers am Verglach mat traditionelle Siliziumwafers an der Leeschtungselektronik?

    A1:
    SiC-Waferen bidden e puer Schlësselvirdeeler géintiwwer traditionelle Silizium (Si)-Waferen an der Leeschtungselektronik, dorënner:

    Méi héich EffizienzSiC huet eng méi grouss Bandlück (3,26 eV) am Verglach mat Silizium (1,1 eV), wat et den Apparater erlaabt, bei méi héije Spannungen, Frequenzen an Temperaturen ze funktionéieren. Dëst féiert zu engem méi niddrege Stroumverloscht an enger méi héijer Effizienz a Stroumkonversiounssystemer.
    Héich thermesch KonduktivitéitD'Wärmeleitfäegkeet vu SiC ass vill méi héich wéi déi vu Silizium, wat eng besser Wärmeofleedung an Uwendungen mat héijer Leeschtung erméiglecht, wat d'Zouverlässegkeet an d'Liewensdauer vu Stroumversuergungsapparater verbessert.
    Ëmgang mat méi héijer Spannung a StroumSiC-Apparater kënne méi héich Spannungs- a Stroumniveauen handhaben, wouduerch se fir Uwendungen mat héijer Leeschtung wéi Elektroautoen, erneierbar Energiesystemer an industriell Motorundriff gëeegent sinn.
    Méi séier SchaltgeschwindegkeetSiC-Komponente hunn méi séier Schaltméiglechkeeten, déi zu enger Reduktioun vum Energieverloscht a vun der Systemgréisst bäidroen, wouduerch se ideal fir Héichfrequenzapplikatioune sinn.

     

     

    Q2: Wat sinn déi wichtegst Uwendungen vu SiC-Waferen an der Automobilindustrie?

    A2:
    An der Automobilindustrie ginn SiC-Waferen haaptsächlech an:

    Undriffssystemer fir Elektroautoen (EV)Komponenten op Basis vu SiC, wéi zum BeispillInverteranPower MOSFETsd'Effizienz an d'Leeschtung vun Elektroauto-Undriffssystemer verbesseren andeems méi séier Schaltgeschwindegkeeten an eng méi héich Energiedicht erméiglecht ginn. Dëst féiert zu enger méi laanger Batterielaufzäit an enger besserer Gesamtleeschtung vum Gefier.
    Ladegeräter u BordSiC-Apparater hëllefen d'Effizienz vun agebaute Ladesystemer ze verbesseren, andeems se méi séier Ladezäiten an e bessert Wärmemanagement erméiglechen, wat entscheedend ass fir Elektroautoen, fir Héichleistungs-Ladestatiounen z'ënnerstëtzen.
    Batteriemanagementsystemer (BMS)SiC-Technologie verbessert d'Effizienz vunBatteriemanagementsystemer, wat eng besser Spannungsreguléierung, eng méi héich Leeschtungsveraarbechtung a méi laang Batterielaufzäit erméiglecht.
    Gläichstroum-Gläichstroum-KonverterSiC-Wafere ginn agesatDC-DC Konverterfir Héichspannungs-Gläichstroum méi effizient an Nidderspannungs-Gläichstroum ëmzewandelen, wat bei Elektroautoen entscheedend ass, fir d'Stroumversuergung vun der Batterie zu verschiddene Komponenten am Gefier ze verwalten.
    Déi iwwerleeën Leeschtung vu SiC a Héichspannungs-, Héichtemperatur- an Héicheffizienzuwendungen mécht et essentiell fir den Iwwergank vun der Automobilindustrie op d'Elektromobilitéit.

     

     

    Verwandte Produkter

    Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis
    Dréckt Enter fir ze sichen oder ESC fir zouzemaachen