4H-N 8 Zoll SiC Substrat Wafer Silicon Carbide Dummy Research Grade 500um Dicke

4H-N 8 Zoll SiC Substrat wafer Silicon Carbide Dummy Research grade 500um thickness Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbidwafere ginn an elektroneschen Apparater benotzt wéi Kraaftdioden, MOSFETs, High-Power Mikrowellengeräter, a RF Transistoren, wat effizient Energiekonversioun a Kraaftmanagement erméiglecht.SiC Wafers a Substrate fannen och Gebrauch an Automobilelektronik, Raumfaartsystemer, an erneierbar Energietechnologien.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Wéi wielt Dir Silicon Carbide Wafers & SiC Substrate?

Wann Dir Siliziumkarbid (SiC) Wafer a Substrate wielt, ginn et e puer Faktore fir ze berücksichtegen.Hei sinn e puer wichteg Critèren:

Material Typ: Bestëmmt d'Zort vu SiC Material dat Är Applikatioun passt, wéi 4H-SiC oder 6H-SiC.Déi meescht benotzt Kristallstruktur ass 4H-SiC.

Doping Typ: Entscheed ob Dir en dotéierten oder ongedopte SiC Substrat braucht.Gemeinsam Doping Zorte sinn N-Typ (n-dotéiert) oder P-Typ (p-dotéiert), je Är spezifesch Ufuerderunge.

Kristallqualitéit: Bewäert d'Kristallqualitéit vun de SiC Wafers oder Substrate.Déi gewënscht Qualitéit gëtt duerch Parameteren wéi d'Zuel vun de Mängel, d'kristallographesch Orientéierung an d'Uewerflächenrauheet bestëmmt.

Wafer Duerchmiesser: Wielt déi entspriechend Wafergréisst baséiert op Ärer Applikatioun.Allgemeng Gréissten enthalen 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll a 6 Zoll.Wat méi grouss den Duerchmiesser ass, dest méi Ausbezuele kënnt Dir pro Wafer kréien.

Dicke: Bedenkt déi gewënscht Dicke vun de SiC Wafers oder Substrate.Typesch Dickeoptiounen reichen vun e puer Mikrometer bis e puer honnert Mikrometer.

Orientéierung: Bestëmmt déi kristallographesch Orientéierung déi mat den Ufuerderunge vun Ärer Applikatioun ausriicht.Gemeinsam Orientéierungen enthalen (0001) fir 4H-SiC an (0001) oder (0001̅) fir 6H-SiC.

Surface Finish: Evaluéiert d'Uewerflächefinanz vun de SiC Wafers oder Substraten.D'Uewerfläch soll glat, poléiert a fräi vu Kratzer oder Verschmotzung sinn.

Supplier Reputation: Wielt e renomméierten Zouliwwerer mat extensiv Erfahrung an der Produktioun vu qualitativ héichwäerteg SiC Wafers a Substrater.Bedenkt Faktore wéi Fabrikatiounsfäegkeeten, Qualitéitskontroll a Clientsbewäertungen.

Käschte: Bedenkt d'Käschte Implikatioune, dorënner de Präis pro Wafer oder Substrat an all zousätzlech Personnalisatiounskäschte.

Et ass wichteg dës Faktoren suergfälteg ze bewäerten a mat Industrieexperten oder Liwweranten ze konsultéieren fir sécherzestellen datt déi gewielte SiC Wafers a Substrate Är spezifesch Uwendungsufuerderunge entspriechen.