8 Zoll Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer
Detailléiert Informatiounen
Duerchmiesser | 200 ± 0,2 mm |
grouss Flächheet | 57,5 mm, Notch |
Orientéierung | 128Y-Cut, X-Cut, Z-Cut |
Dicke | 0,5 ± 0,025 mm, 1,0 ± 0,025 mm |
Uewerfläch | DSP an SSP |
TTV | < 5 µm |
BOU | ± (20µm ~40um) |
Warp | <= 20µm ~ 50µm |
LTV (5mmx5mm) | <1,5 um |
PLTV (<0.5um) | ≥98% (5mm * 5mm) mat 2mm Rand ausgeschloss |
Ra | Ra<=5A |
Scratch & Dig (S/D) | 20/10, 40/20, 60/40 |
Rand | Trefft SEMI M1.2 @ mat GC800 #. regelméisseg bei C Typ |
Spezifesch Spezifikatioune
Duerchmiesser: 8 Zoll (ongeféier 200 mm)
Dicke: Gemeinsam Standarddicke variéiere vun 0,5 mm bis 1 mm. Aner Dicke kënnen no spezifesche Viraussetzunge personaliséiert ginn
Kristall Orientéierung: D'Haaptrei gemeinsam Kristallsglas produzéiert Orientéierung ass 128Y-Schnëtt, Z-geschnidden an X-Schnëtt Kristallsglas produzéiert Orientatioun, an aner Kristallsglas produzéiert Orientatioun kann ofhängeg vun der spezifesch Applikatioun geliwwert ginn
Gréisst Virdeeler: 8-Zoll Serrata Carp wafers hu verschidde Gréisst Virdeeler iwwer méi kleng wafers:
Méi grouss Fläch: Am Verglach mat 6-Zoll oder 4-Zoll Wafers, 8-Zoll Wafere bidden eng méi grouss Uewerfläch a kënne méi Apparater an integréiert Circuits aménagéieren, wat zu enger verstäerkter Produktiounseffizienz a Rendement resultéiert.
Méi héich Dicht: Mat 8-Zoll Wafere kënne méi Apparater a Komponenten am selwechte Beräich realiséiert ginn, d'Integratioun an d'Apparatdicht erhéijen, wat d'Apparatleistung verbessert.
Besser Konsistenz: Méi grouss Wafere hu besser Konsistenz am Produktiounsprozess, hëllefen d'Verännerlechkeet am Fabrikatiounsprozess ze reduzéieren an d'Produkt Zouverlässegkeet a Konsistenz ze verbesseren.
D'8-Zoll L an LN Wafere hunn deeselwechten Duerchmiesser wéi Mainstream Silicium Wafers a si einfach ze verbannen. Als héich performant "Jointed SAW Filter" Material dat héich Frequenzbands handhaben kann.