6 Zoll 150 mm Siliziumkarbid SiC Waferen vum Typ 4H-N fir MOS oder SBD Produktiounsfuerschung an Dummy-Qualitéit
Applikatiounsfelder
De 6-Zoll Siliziumcarbid-Eenkristallsubstrat spillt eng entscheedend Roll a ville Branchen. Éischtens gëtt et wäit verbreet an der Hallefleederindustrie fir d'Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater mat héijer Leeschtung wéi Leeschtungstransistoren, integréiert Schaltungen a Leeschtungsmoduler benotzt. Seng héich Wärmeleitfäegkeet a seng héich Temperaturbeständegkeet erméiglechen eng besser Hëtztofleedung, wat zu enger verbesserter Effizienz a Zouverlässegkeet féiert. Zweetens si Siliziumcarbid-Wafers essentiell a Fuerschungsberäicher fir d'Entwécklung vun neie Materialien an Apparater. Zousätzlech fënnt de Siliziumcarbid-Wafer extensiv Uwendungen am Beräich vun der Optoelektronik, dorënner d'Fabrikatioun vun LEDs a Laserdioden.
Produktspezifikatiounen
Dat 6-Zoll Siliziumkarbid-Eenkristallsubstrat huet en Duerchmiesser vu 6 Zoll (ongeféier 152,4 mm). D'Uewerflächenrauheet ass Ra < 0,5 nm, an d'Déckt ass 600 ± 25 μm. De Substrat kann entweder mat N-Typ oder P-Typ Konduktivitéit personaliséiert ginn, jee no de Bedierfnesser vum Client. Ausserdeem weist et eng aussergewéinlech mechanesch Stabilitéit op a kann Drock a Vibratioun standhalen.
| Duerchmiesser | 150 ± 2,0 mm (6 Zoll) | ||||
| Déckt | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Orientéierung | Op der Achs: <0001> ±0,5° | Off-Achs: 4,0° Richtung 1120 ± 0,5° | |||
| Polytyp | 4H | ||||
| Widderstand (Ω·cm) | 4H-N | 0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm | |||
| 4/6H-SI | >1E5 | ||||
| Primär flaach Orientéierung | {10-10}±5,0° | ||||
| Primär flaach Längt (mm) | 47,5 mm±2,5 mm | ||||
| Rand | Fase | ||||
| TTV/Béi/Kehrung (um) | ≤15 /≤40 /≤60 | ||||
| AFM Front (Si-Face) | Polnesch Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||
| LTV | ≤3μm (10mm * 10mm) | ≤5μm (10mm * 10mm) | ≤10μm (10mm * 10mm) | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm | ||
| Orangenschuel/Kären/Rëss/Kontaminatioun/Flecken/Striatiounen | Keen | Keen | Keen | ||
| Andréck | Keen | Keen | Keen | ||
Dat 6-Zoll Siliziumkarbid-Eenkristallsubstrat ass en héichperformant Material, dat wäit verbreet an der Hallefleeder-, Fuerschungs- an Optoelektronikindustrie benotzt gëtt. Et bitt exzellent Wärmeleitfäegkeet, mechanesch Stabilitéit a Resistenz géint héich Temperaturen, wat et gëeegent mécht fir d'Fabrikatioun vun elektroneschen Apparater mat héijer Leeschtung an d'Fuerschung vun neie Materialien. Mir bidden verschidde Spezifikatiounen an Optiounen fir d'Ufuerderunge vun de verschiddene Clienten gerecht ze ginn.Kontaktéiert eis fir méi Detailer iwwer Siliziumkarbidwaferen!
Detailéiert Diagramm
