6 Zoll 150 mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N Typ fir MOS oder SBD Produktiounsfuerschung an Dummy Grad

6inch 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N Typ fir MOS oder SBD Produktioun Fuerschung an Dummy Grad Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

De 6-Zoll Siliziumkarbid Eenkristallsubstrat ass e High-Performance-Material mat exzellente physikaleschen a chemeschen Eegeschaften. Hiergestallt aus héich Rengheet Silicium Carbide Eenkristallmaterial, et weist super thermesch Leit, mechanesch Stabilitéit, an héich-Temperatur Resistenz. Dëse Substrat, gemaach mat Präzisiounsproduktiounsprozesser a qualitativ héichwäerteg Materialien, ass de bevorzugt Material fir d'Fabrikatioun vun héicheffizienten elektroneschen Apparater a verschiddene Beräicher ginn.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Applikatioun Felder

De 6-Zoll Siliziumkarbid Eenkristallsubstrat spillt eng entscheedend Roll a ville Industrien. Als éischt gëtt et vill an der Hallefleitindustrie benotzt fir d'Fabrikatioun vun héich-Muecht elektroneschen Apparater wéi Kraafttransistoren, integréierte Circuiten, a Kraaftmoduler. Seng héich thermesch Konduktivitéit an Héichtemperaturresistenz erméiglechen eng besser Hëtztofléisung, wat zu enger verbesserter Effizienz an Zouverlässegkeet resultéiert. Zweetens, Siliziumkarbidwafere si wesentlech a Fuerschungsberäicher fir d'Entwécklung vun neie Materialien an Apparater. Zousätzlech fënnt de Siliziumkarbidwafer extensiv Uwendungen am Beräich vun der Optoelektronik, dorënner d'Fabrikatioun vu LEDs a Laserdioden.

Produit Spezifikatioune

De 6-Zoll Siliziumkarbid Eenkristallsubstrat huet en Duerchmiesser vu 6 Zoll (ongeféier 152,4 mm). D'Uewerflächenrauheet ass Ra <0,5 nm, an d'Dicke ass 600 ± 25 μm. De Substrat kann mat entweder N-Typ oder P-Typ Konduktivitéit personaliséiert ginn, baséiert op Ufuerderunge vum Client. Ausserdeem weist et aussergewéinlech mechanesch Stabilitéit, fäeg Drock a Schwéngung ze widderstoen.

Duerchmiesser		150 ± 2,0 mm (6 Zoll)
Dicke		350 μm ± 25 μm
Orientéierung		Op der Achs: <0001>±0,5°		Off Achs: 4.0° Richtung 1120 ± 0.5°
Polytyp		4H
Resistivitéit (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Primär flaach Orientéierung		{10-10} ± 5,0°
Primär flaach Längt (mm)		47,5 mm ± 2,5 mm
Rand		Chamfer
TTV/Bow/Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
AFM Front (Si-Face)		Polnesch Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,5 nm
LTV		≤3μm (10mm*10mm)	≤5μm (10mm*10mm)		≤10μm (10mm*10mm)
TTV		≤5 μm	≤10μm		≤15μm
Orangeschielen / Pits / Rëss / Kontaminatioun / Flecken / Sträifen		Keen	Keen		Keen
Abriecher		Keen	Keen		Keen

De 6-Zoll Siliziumkarbid Eenkristall Substrat ass e High-Performance-Material dat wäit an der Hallefleit, der Fuerschung an der Optoelektronikindustrie benotzt gëtt. Et bitt excellent thermesch Leit, mechanesch Stabilitéit, an héich-Temperatur Resistenz, mécht et gëeegent fir d'Fabrikatioun vun héich-Muecht elektronesch Apparater an nei Material Fuerschung. Mir bidden verschidde Spezifikatioune a Personnalisatiounsoptioune fir verschidde Clientsufuerderunge gerecht ze ginn.Kontaktéiert eis fir méi Detailer iwwer Siliziumkarbidwaferen!