4H-N 4 Zoll SiC Substratwafer Siliziumkarbid Produktiouns-Dummy Fuerschungsqualitéit

Kuerz Beschreiwung:

E 4-Zoll Siliziumkarbid-Eenkristall-Substratwafer ass e performant Material mat aussergewéinleche physikaleschen a chemeschen Eegeschaften. E besteet aus héichreinem Siliziumkarbid-Eenkristallmaterial mat exzellenter Wärmeleitfäegkeet, mechanescher Stabilitéit an héijer Temperaturbeständegkeet. Dank sengem héichpräzise Virbereedungsprozess a qualitativ héichwäertege Materialien ass dëse Chip ee vun de bevorzugten Materialien fir d'Virbereedung vun héichperformanten elektroneschen Apparater a ville Beräicher.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Uwendungen

4-Zoll Siliziumkarbid-Eenkristall-Substratwafer spille eng wichteg Roll a ville Beräicher. Éischtens gëtt et wäit verbreet an der Hallefleederindustrie bei der Virbereedung vun elektroneschen Apparater mat héijer Leeschtung wéi Leeschtungstransistoren, integréiert Schaltungen a Leeschtungsmoduler benotzt. Seng héich Wärmeleitfäegkeet an héich Temperaturbeständegkeet erméiglechen et hinnen, d'Hëtzt besser ofzeféieren an eng méi grouss Aarbechtseffizienz a Zouverlässegkeet ze bidden. Zweetens ginn Siliziumkarbidwafer och am Fuerschungsberäich benotzt fir Fuerschung iwwer nei Materialien an Apparater duerchzeféieren. Zousätzlech ginn Siliziumkarbidwafer och wäit verbreet an der Optoelektronik benotzt, wéi zum Beispill bei der Fabrikatioun vun LEDs a Laserdioden.

D'Spezifikatioune vun engem 4-Zoll-SiC-Wafer

4-Zoll Siliziumkarbid-Eenkristall-Substrat-Wafer mat engem Duerchmiesser vu 4 Zoll (ongeféier 101,6 mm), enger Uewerflächenqualitéit vu bis zu Ra < 0,5 nm, enger Déckt vu 600 ± 25 μm. D'Konduktivitéit vum Wafer ass vum N-Typ oder vum P-Typ a kann no de Bedierfnesser vum Client personaliséiert ginn. Zousätzlech huet de Chip och eng exzellent mechanesch Stabilitéit a kann engem gewësse Grad un Drock a Vibratioun standhalen.

En Zoll Siliziumkarbid-Eenkristall-Substratwafer ass e Material mat héijer Leeschtung, dat wäit verbreet an de Beräicher Hallefleeder, Fuerschung an Optoelektronik benotzt gëtt. Et huet eng exzellent Wärmeleitfäegkeet, mechanesch Stabilitéit a Resistenz géint héich Temperaturen, wat sech fir d'Virbereedung vun elektroneschen Apparater mat héijer Leeschtung an d'Fuerschung vun neie Materialien gëeegent mécht. Mir bidden eng Vielfalt vu Spezifikatiounen an Upassungsoptiounen fir eng Villfalt vun de Bedierfnesser vun de Clienten gerecht ze ginn. Kuckt w.e.g. op eiser onofhängeger Säit no, fir méi iwwer d'Produktinformatioun vu Siliziumkarbidwaferen ze léieren.

Schlësselaarbechten: Siliziumkarbidwaferen, Siliziumkarbid-Eenkristall-Substratwaferen, 4 Zoll, Wärmeleitfäegkeet, mechanesch Stabilitéit, Héichtemperaturbeständegkeet, Leeschtungstransistoren, integréiert Schaltungen, Leeschtungsmoduler, LEDs, Laserdioden, Uewerflächenfinish, Leetfäegkeet, personaliséiert Optiounen