3 Zoll héichreine (ondotéiert) Siliziumcarbidwaferen hallefisoléierend Sic-Substrater (HPSl)

Kuerz Beschreiwung:

Den 3-Zoll High Purity Semi-Insulating (HPSI) Siliziumcarbid (SiC) Wafer ass e Premium-Substrat, dat fir Héichleistung, Héichfrequenz an optoelektronesch Uwendungen optimiséiert ass. Hiergestallt mat ondotiertem, héichreinegem 4H-SiC Material, weisen dës Wafer eng exzellent Wärmeleitfäegkeet, eng grouss Bandlück an aussergewéinlech Hallefisolatiounseigenschaften, wat se onentbehrlech fir d'Entwécklung vun fortgeschrattene Geräter mécht. Mat hirer iwwerleeëner struktureller Integritéit an Uewerflächenqualitéit déngen HPSI SiC Substrater als Basis fir Technologien vun der nächster Generatioun an der Leeschtungselektronik, der Telekommunikatioun an der Loftfaartindustrie, a ënnerstëtzen Innovatioun a verschiddene Beräicher.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Eegeschaften

1. Physikalesch a strukturell Eegeschaften
●Materialtyp: Héichreinheets- (ondotéiert) Siliziumcarbid (SiC)
●Duerchmiesser: 76,2 mm (3 Zoll)
● Déckt: 0,33-0,5 mm, personaliséierbar jee no Ufuerderunge vun der Uwendung.
● Kristallstruktur: 4H-SiC Polytyp mat engem hexagonale Gitter, bekannt fir héich Elektronemobilitéit a thermesch Stabilitéit.
●Orientéierung:
oStandard: [0001] (C-Fläch), gëeegent fir eng breet Palette vun Uwendungen.
oOptional: Off-axis (4° oder 8° Neigung) fir verbessert epitaktesch Wuesstem vun den Apparatschichten.
●Flaachheet: Total Décktvariatioun (TTV) ●Uewerflächenqualitéit:
oPoléiert op oDichte mat gerénger Defekt (<10/cm² Mikropäifdicht). 2. Elektresch Eegeschaften ●Widerstand: >109^99 Ω·cm, erhale duerch d'Eliminatioun vun bewossten Dotierungen.
●Dielektresch Stäerkt: Héichspannungsausdauer mat minimale dielektresche Verloschter, ideal fir Uwendungen mat héijer Leeschtung.
● Wärmeleitfäegkeet: 3,5-4,9 W/cm·K, wat eng effektiv Hëtztofleedung an Héichleistungsgeräter erméiglecht.

3. Thermesch a mechanesch Eegeschaften
● Breet Bandlück: 3,26 eV, ënnerstëtzt de Betrib ënner héijer Spannung, héijer Temperatur a bei héijer Stralung.
●Häert: Mohs-Skala 9, déi Robustheet géint mechanesche Verschleiung während der Veraarbechtung garantéiert.
● Thermeschen Ausdehnungskoeffizient: 4,2 × 10−6 / K ≤ 4,2 × 10−6 / K ≤ 4,2 × 10−6 / K, wat d'Dimensiounsstabilitéit bei Temperaturschwankungen garantéiert.

Parameter	Produktiounsgrad	Fuerschungsgrad	Dummy-Klass	Eenheet
Grad	Produktiounsgrad	Fuerschungsgrad	Dummy-Klass
Duerchmiesser	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Déckt	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Wafer Orientéierung	Op der Achs: <0001> ± 0,5°	Op der Achs: <0001> ± 2,0°	Op der Achs: <0001> ± 2,0°	Grad
Mikropäifdicht (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm−2^-2−2
Elektresch Widderstand	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dotéierungsmëttel	Ondotéiert	Ondotéiert	Ondotéiert
Primär flaach Orientéierung	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	Grad
Primär flaach Längt	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Sekundär flaach Längt	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Sekundär flaach Orientéierung	90° rechts vun der primärer Fläch ± 5,0°	90° rechts vun der primärer Fläch ± 5,0°	90° rechts vun der primärer Fläch ± 5,0°	Grad
Randausgrenzung	3	3	3	mm
LTV/TTV/Béi/Verzerrung	3 / 10 / ±30 / 40	3 / 10 / ±30 / 40	5 / 15 / ±40 / 45	µm
Uewerflächenrauheet	Si-Fläch: CMP, C-Fläch: Poléiert	Si-Fläch: CMP, C-Fläch: Poléiert	Si-Fläch: CMP, C-Fläch: Poléiert
Rëss (Héichintensivt Liicht)	Keen	Keen	Keen
Sechseckplacken (Héichintensivt Liicht)	Keen	Keen	Kumulativ Fläch 10%	%
Polytypberäicher (Héichintensivt Liicht)	Kumulativ Fläch 5%	Kumulativ Fläch 20%	Kumulativ Fläch 30%	%
Kratzer (Héichintensivt Liicht)	≤ 5 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 150	≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200	≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200	mm
Kantenabschnitzen	Keen ≥ 0,5 mm Breet/Déift	2 erlaabt ≤ 1 mm Breet/Déift	5 erlaabt ≤ 5 mm Breet/Déift	mm
Uewerflächenkontaminatioun	Keen	Keen	Keen

Uwendungen

1. Leeschtungselektronik
Déi grouss Bandlück an déi héich Wärmeleitfäegkeet vun HPSI SiC-Substrater maachen se ideal fir Energieversuergungsapparater, déi ënner extremen Bedéngungen funktionéieren, wéi zum Beispill:
● Héichspannungsgeräter: Inklusiv MOSFETs, IGBTs a Schottky-Barrièredioden (SBDs) fir effizient Energiekonversioun.
● Erneierbar Energiesystemer: Wéi zum Beispill Solarinverter a Wandturbinnencontroller.
●Elektroautoen (EVs): Ginn an Inverter, Ladegeräter an Undriffssystemer benotzt fir d'Effizienz ze verbesseren an d'Gréisst ze reduzéieren.

2. RF- a Mikrowellenapplikatiounen
Déi héich Widderstandsfäegkeet an déi niddreg dielektresch Verloschter vun HPSI-Waferen si wesentlech fir Radiofrequenz- (RF) a Mikrowellensystemer, dorënner:
●Telekommunikatiounsinfrastruktur: Basisstatiounen fir 5G-Netzwierker a Satellittekommunikatioun.
● Loft- a Raumfaart a Verdeedegung: Radarsystemer, Phased-Array-Antennen an Avionikkomponenten.

3. Optoelektronik
D'Transparenz an déi breet Bandlück vu 4H-SiC erméiglechen seng Notzung an optoelektroneschen Apparater, wéi zum Beispill:
● UV-Fotodetektoren: Fir Ëmweltiwwerwaachung a medizinesch Diagnostik.
●Héichleistungs-LEDs: Ënnerstëtzung vu Festkierperbeliichtungsystemer.
●Laserdioden: Fir industriell an medizinesch Uwendungen.

4. Fuerschung an Entwécklung
HPSI SiC-Substrater gi wäit verbreet an akademeschen an industriellen Fuerschungs- a Entwécklungslaboratoiren benotzt fir fortgeschratt Materialeegeschaften an d'Fabrikatioun vun Apparater z'ënnersichen, dorënner:
●Epitaxial Schichtwuesstum: Studien iwwer Defektreduktioun an Schichtoptimiséierung.
●Carrier Mobility Studies: Ënnersichung vum Elektronen- a Lächertransport a Materialien mat héijer Rengheet.
●Prototyping: Éischt Entwécklung vun neien Apparater a Schaltungen.

Virdeeler

Iewescht Qualitéit:
Héich Rengheet a geréng Defektdicht bidden eng zouverlässeg Plattform fir fortgeschratt Uwendungen.

Thermesch Stabilitéit:
Excellent Wärmeableitungseigenschaften erlaben et Apparater, effizient ënner héijen Leeschtungs- a Temperaturbedingungen ze funktionéieren.

Breet Kompatibilitéit:
Verfügbar Orientéierungen an individuell Décktoptiounen garantéieren eng Adaptatioun fir verschidden Apparatufuerderungen.

Haltbarkeet:
Aussergewéinlech Häert a strukturell Stabilitéit miniméieren Verschleiung an Deformatioun während der Veraarbechtung an dem Betrib.

Vielfältegkeet:
Gëeegent fir eng breet Palette vun Industrien, vun erneierbarer Energie bis zur Loft- a Raumfaart an Telekommunikatioun.

Conclusioun

De 3-Zoll héichreinege semi-isoléierende Siliziumkarbid-Wafer stellt de Spëtzepunkt vun der Substrattechnologie fir Héichleistungs-, Héichfrequenz- an optoelektronesch Geräter duer. Seng Kombinatioun vun exzellenten thermeschen, elektreschen a mechaneschen Eegeschafte garantéiert eng zouverlässeg Leeschtung a schwieregen Ëmfeld. Vun der Leeschtungselektronik an HF-Systemer bis hin zu Optoelektronik an fortgeschratt Fuerschung an Entwécklung, dës HPSI-Substrater bilden d'Grondlag fir d'Innovatioune vu muer.
Fir méi Informatiounen oder fir eng Bestellung ze maachen, kontaktéiert eis w.e.g. Eis technesch Equipe steet Iech zur Verfügung fir Berodung a personaliséiert Optiounen op Är Besoinen zouzeweisen.