3 Zoll High Purity (Ongedopt) Silicium Carbide Wafers semi-isoléierend Sic Substrate (HPSl)

Kuerz Beschreiwung:

Den 3-Zoll High Purity Semi-Isolating (HPSI) Silicon Carbide (SiC) Wafer ass e Premium-Grad Substrat optiméiert fir High-Power, High-Frequenz an optoelektronesch Uwendungen. Hiergestallt mat ondoptéierten, héichreiniger 4H-SiC Material, weisen dës Wafere exzellent thermesch Konduktivitéit, breet Bandgap an aussergewéinlech semi-isoléierend Eegeschaften, wat se onverzichtbar mécht fir fortgeschratt Apparatentwécklung. Mat superieure struktureller Integritéit an Uewerflächqualitéit, HPSI SiC Substrate déngen als Grondlag fir nächst Generatioun Technologien an der Kraaftelektronik, Telekommunikatioun a Raumfaartindustrie, ënnerstëtzen Innovatioun iwwer verschidde Felder.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Eegeschaften

1. Kierperlech a strukturell Eegeschafte
●Materialtyp: Héich Puritéit (Ongedopt) Siliziumkarbid (SiC)
● Duerchmiesser: 3 Zoll (76,2 mm)
●Thickness: 0,33-0,5 mm, personaliséierbar baséiert op Applikatioun Ufuerderunge.
●Kristallstruktur: 4H-SiC Polytyp mat engem sechseckegen Gitter, bekannt fir héich Elektronemobilitéit an thermesch Stabilitéit.
● Orientéierung:
oStandard: [0001] (C-Fliger), gëeegent fir eng breet Palette vun Uwendungen.
oOptional: Off-Achs (4° oder 8° Neigung) fir verstäerkt epitaxial Wuesstum vun Apparatschichten.
● Flaachheet: Total Dicke Variatioun (TTV) ● Surface Qualitéit:
o Poléiert op o Low-Defekt Dicht (<10/cm² Mikropipe Dicht). 2. Elektresch Properties ● Resistivitéit: > 109 ^ 99 Ω · cm, behalen duerch d'Eliminatioun vun intentionalen Dotanten.
●Dielektresch Stäerkt: Héichspannungsausdauer mat minimalen dielektresche Verloschter, ideal fir High-Power Uwendungen.
● Thermesch Konduktivitéit: 3,5-4,9 W / cm·K, déi effektiv Wärmevergëftung an High-Performance-Geräter erméiglecht.

3. Thermesch a mechanesch Properties
● Wide Bandgap: 3.26 eV, Ënnerstëtzung vun Operatioun ënner Héichspannung, héijer Temperatur an héich Stralungsbedingungen.
● Hardness: Mohs Skala 9, garantéiert Robustheet géint mechanesch Verschleiung während der Veraarbechtung.
●Thermesch Expansiounskoeffizient: 4.2×10−6/K4.2 \x 10^{-6}/\text{K}4.2×10−6/K, garantéiert Dimensiounsstabilitéit ënner Temperaturvariatiounen.

Parameter	Produktioun Grad	Fuerschung Grad	Dummy Grad	Eenheet
Grad	Produktioun Grad	Fuerschung Grad	Dummy Grad
Duerchmiesser	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Dicke	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Wafer Orientatioun	Op-Achs: <0001> ± 0,5°	Op-Achs: <0001> ± 2,0°	Op-Achs: <0001> ± 2,0°	Grad
Mikropipe Density (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm-2^-2-2
Elektresch Resistivitéit	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopant	Ongedopt	Ongedopt	Ongedopt
Primär flaach Orientéierung	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	Grad
Primär flaach Längt	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Sekundär flaach Längt	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Secondary Flat Orientation	90° CW vun der Primärfläch ± 5,0°	90° CW vun der Primärfläch ± 5,0°	90° CW vun der Primärfläch ± 5,0°	Grad
Rand Ausgrenzung	3	3	3	mm
LTV/TTV/Bow/Warp	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5 / 15 / ± 40 / 45	µm
Uewerfläch Roughness	Si-Gesiicht: CMP, C-Gesiicht: poléiert	Si-Gesiicht: CMP, C-Gesiicht: poléiert	Si-Gesiicht: CMP, C-Gesiicht: poléiert
Cracks (Héichintensitéit Liicht)	Keen	Keen	Keen
Hex Placke (Héichintensitéit Liicht)	Keen	Keen	Kumulativ Fläch 10%	%
Polytype Beräicher (Héich-Intensitéit Liicht)	Kumulativ Fläch 5%	Kumulativ Fläch 20%	Kumulativ Fläch 30%	%
Kratzer (Héichintensitéit Liicht)	≤ 5 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 150	≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200	≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200	mm
Rand Chipping	Keen ≥ 0,5 mm Breet / Déift	2 erlaabt ≤ 1 mm Breet / Déift	5 erlaabt ≤ 5 mm Breet / Déift	mm
Uewerfläch Kontaminatioun	Keen	Keen	Keen

Uwendungen

1. Power Electronics
Déi breet Bandgap an héich thermesch Konduktivitéit vun HPSI SiC Substrate maachen se ideal fir Kraaftapparater déi an extremen Bedéngungen funktionnéieren, wéi:
●High-Voltage Devices: Inklusiv MOSFETs, IGBTs, a Schottky Barrier Diodes (SBDs) fir effizient Kraaftkonversioun.
● Erneierbar Energiesystemer: Wéi Solarinverter a Windturbine Controller.
●Elektresch Gefierer (EVs): Benotzt an Inverter, Ladegeräter a Powertrain Systemer fir d'Effizienz ze verbesseren an d'Gréisst ze reduzéieren.

2. RF an Mikrowelle Uwendungen
Déi héich Resistivitéit an déi niddreg dielektresch Verloschter vun HPSI Wafere si wesentlech fir Radiofrequenz (RF) a Mikrowellesystemer, dorënner:
●Telekommunikatioun Infrastruktur: Base Statiounen fir 5G Netzwierker a Satellit Kommunikatiounen.
● Raumfaart a Verdeedegung: Radarsystemer, Phased-Array Antennen, an Avionik Komponenten.

3. Optoelektronik
D'Transparenz a breet Bandgap vum 4H-SiC erméiglechen seng Notzung an optoelektroneschen Apparater, wéi:
●UV Photodetektoren: Fir Ëmweltiwwerwaachung a medizinesch Diagnostik.
●High-Power LEDs: Ënnerstëtzt Solid-State Beliichtungssystemer.
● Laser Diodes: Fir industriell a medizinesch Uwendungen.

4. Fuerschung an Entwécklung
HPSI SiC Substrater gi wäit an akademeschen an industrielle R&D Laboratoiren benotzt fir fortgeschratt Materialeigenschaften an Apparatfabrikatioun z'erklären, dorënner:
●Epitaxial Layer Growth: Studien iwwer Defektreduktioun a Schichtoptimiséierung.
●Carrier Mobilitéitsstudien: Untersuchung vum Elektronen- a Lachtransport an héichreine Materialien.
● Prototyping: Éischt Entwécklung vun neien Apparater a Circuiten.

Virdeeler

Superior Qualitéit:
Héich Rengheet an niddreg Mängel Dicht bidden eng zouverlässeg Plattform fir fortgeschratt Uwendungen.

Thermesch Stabilitéit:
Exzellent Wärmevergëftungseigenschaften erlaben Apparater effizient ënner héijer Kraaft an Temperaturbedéngungen ze bedreiwen.

Breet Kompatibilitéit:
Verfügbar Orientatiounen a personaliséiert Dickeoptiounen garantéieren d'Adaptatioun fir verschidden Apparaterfuerderungen.

Haltbarkeet:
Aussergewéinlech Härkeet a strukturell Stabilitéit minimiséieren Verschleiung an Verformung während der Veraarbechtung an der Operatioun.

Villsäitegkeet:
Gëeegent fir eng breet Palette vun Industrien, vun erneierbarer Energie bis Loftfaart an Telekommunikatioun.

Conclusioun

Den 3-Zoll High Purity Semi-Isolating Silicon Carbide Wafer representéiert den Héichpunkt vun der Substrattechnologie fir High-Power, High-Frequenz an optoelektronesch Geräter. Seng Kombinatioun vun exzellenten thermeschen, elektreschen a mechanesche Properties garantéiert zouverlässeg Leeschtung an usprochsvollen Ëmfeld. Vun Kraaftelektronik a RF Systemer bis Optoelektronik a fortgeschratt R&D, dës HPSI Substrate bidden d'Fundament fir d'Innovatiounen vu muer.
Fir méi Informatiounen oder fir eng Bestellung ze maachen, kontaktéiert eis w.e.g. Eist technescht Team ass verfügbar fir Orientéierung a Personnalisatiounsoptiounen op Är Bedierfnesser ugepasst ze ginn.