Substrat
-
Silizium-op-Isolator-Substrat SOI-Wafer dräi Schichten fir Mikroelektronik a Radiofrequenz
-
12 Zoll Saphir Wafer C-Plane SSP/DSP
-
SOI-Waferisolator op Silizium 8-Zoll an 6-Zoll SOI (Silicon-On-Insulator) Waferen
-
200 kg C-Plane Saphir Boule 99,999% 99,999% monokristallin KY Method
-
99,999% Al2O3 Saphir Boule Monokristall transparent Material
-
Aluminiumoxid Keramik Wafer 4 Zoll Rengheet 99% polykristallin verschleißbeständeg 1mm Déckt
-
Siliziumdioxid-Wafer SiO2-Wafer déck poléiert, Prime- a Testqualitéit
-
200mm SiC Substrat Dummy Grad 4H-N 8 Zoll SiC Wafer
-
4 Zoll SiC Wafers 6H Hallefisoléierend SiC Substrater Prime-, Fuerschungs- a Dummy-Qualitéit
-
6 Zoll HPSI SiC Substratwafer Siliziumkarbid Semi-insuléierend SiC Waferen
-
4 Zoll Hallefinsuléierend SiC-Waferen HPSI SiC-Substrat Prime Production Grade
-
3 Zoll 76,2 mm 4H-Semi SiC Substratwafer Siliziumkarbid Semi-insuléierend SiC Waferen