Substrat
-
Präzisiouns-monokristallin Silizium (Si)-Lënsen – Benotzerdefinéiert Gréissten a Beschichtungen fir Optoelektronik an Infraroutbildgebung
-
Personnaliséiert héichreine Singlekristall Silizium (Si) Lënsen – Moossgeschneidert Gréissten a Beschichtungen fir Infrarout- an THz-Applikatiounen (1,2-7µm, 8-12µm)
-
Personnaliséiert Saphir Stufenoptescht Fënster, Al2O3 Eenzelkristall, héich Rengheet, Duerchmiesser 45mm, Déckt 10mm, Lasergeschnidden a poléiert
-
Héichleistungs-Saphir-Schrëttfenster, Al2O3-Eenkristall, transparent beschichtet, personaliséiert Formen a Gréissten fir präzis optesch Uwendungen
-
Héichleistungs-Saphir-Liftpin, puren Al2O3-Eenkristall fir Wafertransfersystemer – personaliséiert Gréissten, héich Haltbarkeet fir Präzisiounsapplikatiounen
-
Industriell Saphir-Liftstang a -Stift, héichhärteg Al2O3 Saphir-Stift fir Waferbehandlung, Radarsystem a Hallefleiterveraarbechtung – Duerchmiesser 1,6 mm bis 2 mm
-
Personnaliséiert Saphir Lift Pin, héichhärteg Al2O3 Eenkristall optesch Deeler fir Wafertransfer - Duerchmiesser 1,6 mm, 1,8 mm, personaliséierbar fir industriell Uwendungen
-
Saphir Kugellëns, optesch Qualitéit Al2O3 Material, Transmissiounsberäich 0,15-5,5µm, Duerchmiesser 1mm 1,5mm
-
Saphirkugel Dia 1.0 1.1 1.5 fir optesch Kugellëns héichhärteg Eenzelkristall
-
Saphir Diameter faarweg Saphir Diameter fir Auer, personaliséierbaren Diameter 40 38mm Déckt 350µm 550µm, héich transparent
-
InSb Wafer 2 Zoll 3 Zoll ondotéiert Ntyp P Typ Orientéierung 111 100 fir Infraroutdetektoren
-
Indium Antimonid (InSb) Waferen N Typ P Typ Epi Ready ondotéiert Te dotiert oder Ge dotiert 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Déckt Indium Antimonid (InSb) Waferen