Substrat
-
Goldplack Siliziumwafer (Si Wafer) 10nm 50nm 100nm 500nm Au Excellent Konduktivitéit fir LED
-
Goldbeschichtete Siliziumwaferen 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Goldschichtdicke: 50 nm (± 5 nm) oder personaliséiert Beschichtungsfilm Au, 99,999% Rengheet
-
AlN-op-NPSS-Wafer: Héichleistungs-Aluminiumnitridschicht op net-poléiertem Saphirsubstrat fir Héichtemperatur-, Héichleistungs- an RF-Uwendungen
-
AlN op FSS 2 Zoll 4 Zoll NPSS/FSS AlN Schabloun fir Hallefleederberäich
-
Galliumnitrid (GaN) epitaktesch ugebaut op Saphirwaferen 4 Zoll 6 Zoll fir MEMS
-
Präzisiouns-monokristallin Silizium (Si)-Lënsen – Benotzerdefinéiert Gréissten a Beschichtungen fir Optoelektronik an Infraroutbildgebung
-
Personnaliséiert héichreine Singlekristall Silizium (Si) Lënsen – Moossgeschneidert Gréissten a Beschichtungen fir Infrarout- an THz-Applikatiounen (1,2-7µm, 8-12µm)
-
Personnaliséiert Saphir Stufenoptescht Fënster, Al2O3 Eenzelkristall, héich Rengheet, Duerchmiesser 45mm, Déckt 10mm, Lasergeschnidden a poléiert
-
Héichleistungs-Saphir-Schrëttfenster, Al2O3-Eenkristall, transparent beschichtet, personaliséiert Formen a Gréissten fir präzis optesch Uwendungen
-
Héichleistungs-Saphir-Liftpin, puren Al2O3-Eenkristall fir Wafertransfersystemer – personaliséiert Gréissten, héich Haltbarkeet fir Präzisiounsapplikatiounen
-
Industriell Saphir-Liftstang a -Stift, héichhärteg Al2O3 Saphir-Stift fir Waferbehandlung, Radarsystem a Hallefleiterveraarbechtung – Duerchmiesser 1,6 mm bis 2 mm
-
Personnaliséiert Saphir Lift Pin, héichhärteg Al2O3 Eenkristall optesch Deeler fir Wafertransfer - Duerchmiesser 1,6 mm, 1,8 mm, personaliséierbar fir industriell Uwendungen