SiO2 Thin Film Thermal Oxide Silicon Wafer 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll
Aféierung vun wafer Këscht
Den Haaptprozess vun der Fabrikatioun vun oxidéierte Siliziumwafer enthält normalerweis déi folgend Schrëtt: Monokristallin Siliziumwachstum, Ausschneiden an Waferen, Polieren, Botzen an Oxidatioun.
Monokristallin Siliziumwachstum: Als éischt gëtt monokristallin Silizium bei héijen Temperaturen duerch Methoden wéi d'Czochralski Method oder d'Float-Zone Method ugebaut.Dës Method erméiglecht d'Virbereedung vu Silicium Eenkristallen mat héijer Rengheet a Gitterintegritéit.
Wierfel: De erwuessene monokristalline Silizium ass normalerweis an enger zylindrescher Form a muss an dënn Wafere geschnidden ginn fir als Wafer Substrat ze benotzen.Ausschneiden gëtt normalerweis mat engem Diamantschneider gemaach.
Poléieren: D'Uewerfläch vum geschniddene Wafer kann ongläich sinn a erfuerdert chemesch-mechanesch Polieren fir eng glat Uewerfläch ze kréien.
Botzen: De poléierte Wafer gëtt gebotzt fir Gëftstoffer a Stëbs ze läschen.
Oxidéieren: Schlussendlech ginn d'Silisiumwaferen an en Héichtemperaturofen fir d'Oxidatiounsbehandlung gesat fir eng Schutzschicht vu Siliziumdioxid ze bilden fir seng elektresch Eegeschaften a mechanesch Kraaft ze verbesseren, souwéi als Isoléierschicht an integréierte Circuiten ze déngen.
D'Haaptnotzunge vun oxidéierte Siliziumwafers enthalen d'Fabrikatioun vun integréierte Circuiten, d'Fabrikatioun vu Solarzellen, an d'Fabrikatioun vun aneren elektroneschen Apparater.Siliconoxid Wafere gi wäit am Beräich vun Hallefleitmaterialien benotzt wéinst hiren exzellente mechanesche Properties, Dimensiouns- a chemescher Stabilitéit, Fäegkeet fir bei héijen Temperaturen an héijen Drock ze bedreiwen, souwéi gutt isoléierend an optesch Eegeschaften.
Seng Virdeeler enthalen eng komplett Kristallstruktur, reng chemesch Zesummesetzung, präzis Dimensiounen, gutt mechanesch Eegeschaften, asw.. Dës Fonctiounen maachen Siliziumoxid-Waferen besonnesch gëeegent fir d'Fabrikatioun vun héich performant integréierte Circuiten an aner mikroelektronesch Apparater.
Detailléiert Diagramm
