SiO2 Dënnfilm Thermooxid Siliziumwafer 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll
Aféierung vun der Waferbox
De wichtegste Prozess vun der Fabrikatioun vun oxidéierten Siliziumwaferen ëmfaasst normalerweis déi folgend Schrëtt: monokristallint Siliziumwuesstem, Schneiden a Waferen, Poléieren, Botzen an Oxidatioun.
Wuesstem vu monokristallinem Silizium: Als éischt gëtt monokristallint Silizium bei héijen Temperaturen duerch Methoden ewéi d'Czochralski-Method oder d'Float-Zone-Method ugebaut. Dës Method erméiglecht d'Virbereedung vu Silizium-Eenzelkristaller mat héijer Rengheet a Gitterintegritéit.
Wierfelen schneiden: Dat gewuessent monokristallint Silizium huet normalerweis eng zylindresch Form a muss a dënn Wafere geschnidden ginn, fir als Wafersubstrat benotzt ze ginn. D'Schneiden gëtt normalerweis mat engem Diamantfräser gemaach.
Poléieren: D'Uewerfläch vum geschniddene Wafer kann ongläichméisseg sinn a brauch chemesch-mechanesch Poléierung fir eng glat Uewerfläch ze kréien.
Botzen: De poléierte Wafer gëtt gebotzt fir Ongereinheeten a Stëbs ze entfernen.
Oxidatioun: Schlussendlech ginn d'Siliziumwaferen an en Héichtemperaturuewen fir eng Oxidatiounsbehandlung geluecht, fir eng Schutzschicht aus Siliziumdioxid ze bilden, déi seng elektresch Eegeschaften a mechanesch Stäerkt verbessert, an och als Isolatiounsschicht an integréierte Schaltungen déngt.
Déi Haaptanwendungen vun oxidéierte Siliziumwafere sinn d'Hierstellung vun integréierte Schaltungen, d'Hierstellung vu Solarzellen an d'Hierstellung vun aneren elektroneschen Apparater. Siliziumoxidwafere gi wäit am Beräich vun den Hallefleedermaterialien agesat wéinst hiren exzellenten mechaneschen Eegeschaften, dimensionaler a chemescher Stabilitéit, hirer Fäegkeet, bei héijen Temperaturen an héijen Drock ze funktionéieren, souwéi gudden isoléierenden an opteschen Eegeschaften.
Zu senge Virdeeler gehéieren eng komplett Kristallstruktur, eng reng chemesch Zesummesetzung, präzis Dimensiounen, gutt mechanesch Eegeschaften, etc. Dës Eegeschafte maachen Siliziumoxid-Waferen besonnesch gëeegent fir d'Hierstellung vun héichperformante integréierte Schaltkreesser an aner mikroelektronesch Apparater.
Detailéiert Diagramm
