SiO2 Thin Film Thermal Oxide Silicon Wafer 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll

SiO2 Thin Film Thermal Oxid Silicon wafer 4inch 6inch 8inch 12inch Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Mir kënnen héich-Temperatur superconducting dënn Film Substrat, Magnéitfeld dënn Filmer a ferroelektresch dënn Film Substrat, semiconductor Kristallsglas produzéiert, opteschen Kristallsglas produzéiert, Laser Kristallsglas produzéiert Material, gläichzäiteg Orientatioun an auslännesch Universitéiten a Fuerschung Instituter fir héich Qualitéit (ultra glat, ultra glat) bidden. glat, ultra propper)

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Aféierung vun wafer Këscht

Den Haaptprozess vun der Fabrikatioun vun oxidéierte Siliziumwafer enthält normalerweis déi folgend Schrëtt: Monokristallin Siliziumwachstum, Ausschneiden an Waferen, Polieren, Botzen an Oxidatioun.

Monokristallin Siliziumwachstum: Als éischt gëtt monokristallin Silizium bei héijen Temperaturen duerch Methoden wéi d'Czochralski Method oder d'Float-Zone Method ugebaut. Dës Method erméiglecht d'Virbereedung vu Silicium Eenkristallen mat héijer Rengheet a Gitterintegritéit.

Wierfel: De erwuessene monokristalline Silizium ass normalerweis an enger zylindrescher Form a muss an dënn Wafere geschnidden ginn fir als Wafer Substrat ze benotzen. Ausschneiden gëtt normalerweis mat engem Diamantschneider gemaach.

Poléieren: D'Uewerfläch vum geschniddene Wafer kann ongläich sinn a erfuerdert chemesch-mechanesch Polieren fir eng glat Uewerfläch ze kréien.

Botzen: De poléierte Wafer gëtt gebotzt fir Gëftstoffer a Stëbs ze läschen.

Oxidéieren: Schlussendlech ginn d'Silisiumwaferen an en Héichtemperaturofen fir d'Oxidatiounsbehandlung gesat fir eng Schutzschicht vu Siliziumdioxid ze bilden fir seng elektresch Eegeschaften a mechanesch Kraaft ze verbesseren, souwéi als Isoléierschicht an integréierte Circuiten ze déngen.

D'Haaptnotzunge vun oxidéierte Siliziumwafers enthalen d'Fabrikatioun vun integréierte Circuiten, d'Fabrikatioun vu Solarzellen, an d'Fabrikatioun vun aneren elektroneschen Apparater. Siliconoxid wafers gi wäit am Beräich vun semiconductor Material benotzt wéinst hiren excellent mechanesch Eegeschaften, dimensional a chemesch Stabilitéit, Fäegkeet fir bei héijen Temperaturen an héich Drock ze bedreiwen, souwéi gutt isoléierend an opteschen Eegeschaften.

Seng Virdeeler enthalen eng komplett Kristallstruktur, reng chemesch Zesummesetzung, präzis Dimensiounen, gutt mechanesch Eegeschaften, asw.. Dës Fonctiounen maachen Siliziumoxid-Waferen besonnesch gëeegent fir d'Fabrikatioun vun héich performant integréierte Circuiten an aner mikroelektronesch Apparater.