SiC
-
4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD
-
SiC Epitaxialwafer fir Stroumversuergungsapparater – 4H-SiC, N-Typ, niddreg Defektdicht
-
4H-N Typ SiC epitaxial Wafer Héichspannung Héichfrequenz
-
3 Zoll héichreine (ondotéiert) Siliziumcarbidwaferen hallefisoléierend Sic-Substrater (HPSl)
-
4H-N 8 Zoll SiC Substratwafer Siliziumkarbid Dummy Fuerschungsgrad 500µm Déckt
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch Produktioun Dummy Grade Dia 150mm Siliziumkarbidsubstrat
-
Au-beschichtete Wafer, Saphirwafer, Siliziumwafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtete Déckt 10 nm, 50 nm, 100 nm
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
2 Zoll Sic Siliziumcarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm duebelsäiteg Polieren Héich Wärmeleitfäegkeet Niddrege Stroumverbrauch
-
SiC-Substrat 3 Zoll 350µm Déckt HPSI Typ Prime Grade Dummy Grade
-
Siliziumkarbid SiC Ingots 6 Zoll N Typ Dummy/Prime Grade Déckt kann personaliséiert ginn
-
6 Zoll Siliziumkarbid 4H-SiC Hallefisolatiounsbarren, Dummy-Qualitéit