SiC Substrat 3 Zoll 350um Dicke HPSI Typ Prime Grade Dummy Grad

Kuerz Beschreiwung:

Déi 3-Zoll High Purity Silicon Carbide (SiC) Wafere si speziell konstruéiert fir erfuerderlech Uwendungen an der Kraaftelektronik, Optoelektronik a fortgeschratt Fuerschung. Verfügbar a Produktiouns-, Fuerschungs- an Dummy Graden, dës Wafere liwweren aussergewéinlech Resistivitéit, geréng Defektdicht, a super Uewerflächqualitéit. Mat undoped semi-isoléierend Eegeschafte, si bidden déi ideal Plattform fir héich-Performance Apparater ze fabrizéieren, déi ënner extremen thermeschen an elektresche Bedéngungen operéieren.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Eegeschaften

Parameter	Produktioun Grad	Fuerschung Grad	Dummy Grad	Eenheet
Grad	Produktioun Grad	Fuerschung Grad	Dummy Grad
Duerchmiesser	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	76,2 ± 0,5	mm
Dicke	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25	µm
Wafer Orientatioun	Op-Achs: <0001> ± 0,5°	Op-Achs: <0001> ± 2,0°	Op-Achs: <0001> ± 2,0°	Grad
Mikropipe Density (MPD)	≤ 1	≤ 5	≤ 10	cm-2^-2-2
Elektresch Resistivitéit	≥ 1E10	≥ 1E5	≥ 1E5	Ω·cm
Dopant	Ongedopt	Ongedopt	Ongedopt
Primär flaach Orientéierung	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	{1-100} ± 5,0°	Grad
Primär flaach Längt	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	32,5 ± 3,0	mm
Sekundär flaach Längt	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	18,0 ± 2,0	mm
Secondary Flat Orientation	90° CW vun der Primärfläch ± 5,0°	90° CW vun der Primärfläch ± 5,0°	90° CW vun der Primärfläch ± 5,0°	Grad
Rand Ausgrenzung	3	3	3	mm
LTV/TTV/Bow/Warp	3/10/±30/40	3/10/±30/40	5 / 15 / ± 40 / 45	µm
Uewerfläch Roughness	Si-Gesiicht: CMP, C-Gesiicht: poléiert	Si-Gesiicht: CMP, C-Gesiicht: poléiert	Si-Gesiicht: CMP, C-Gesiicht: poléiert
Cracks (Héichintensitéit Liicht)	Keen	Keen	Keen
Hex Placke (Héichintensitéit Liicht)	Keen	Keen	Kumulativ Fläch 10%	%
Polytype Beräicher (Héich-Intensitéit Liicht)	Kumulativ Fläch 5%	Kumulativ Fläch 20%	Kumulativ Fläch 30%	%
Kratzer (Héichintensitéit Liicht)	≤ 5 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 150	≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200	≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200	mm
Rand Chipping	Keen ≥ 0,5 mm Breet / Déift	2 erlaabt ≤ 1 mm Breet / Déift	5 erlaabt ≤ 5 mm Breet / Déift	mm
Uewerfläch Kontaminatioun	Keen	Keen	Keen

Uwendungen

1. High-Power Electronics
Déi super thermesch Konduktivitéit a breet Bandgap vu SiC Wafere maachen se ideal fir héichkraaft, héichfrequenz Geräter:
●MOSFETs an IGBTs fir Muecht Konversioun.
● Fortgeschratt elektresch Gefierer Kraaftsystemer, dorënner Inverter a Ladegeräter.
●Smart Grid Infrastruktur an erneierbar Energiesystemer.
2. RF a Mikrowellensystemer
SiC Substrate erméiglechen héichfrequenz RF a Mikrowellenapplikatiounen mat minimalem Signalverloscht:
●Telekommunikatioun a Satellitesystemer.
● Raumfaartradarsystemer.
● Fortgeschratt 5G Netzwierk Komponenten.
3. Optoelektronik a Sensoren
Déi eenzegaarteg Eegeschafte vu SiC ënnerstëtzen eng Vielfalt vun optoelektroneschen Uwendungen:
●UV Detektoren fir Ëmweltiwwerwaachung an industriell Sensing.
●LED a Laser Substrate fir Solid-State Beliichtung a Präzisiounsinstrumenter.
●Héichtemperatursensoren fir Raumfaart- an Autosindustrie.
4. Fuerschung an Entwécklung
D'Diversitéit vu Graden (Produktioun, Fuerschung, Dummy) erméiglecht Spëtzekandidat Experimenter an Apparat Prototyping an der Akademie an der Industrie.

Virdeeler

● Zouverlässegkeet:Exzellent Resistenz a Stabilitéit iwwer Graden.
● Personnalisatioun:Mooss Orientatiounen an Dicken fir verschidde Besoinen ze passen.
● Héich Puritéit:Undoped Zesummesetzung suergt fir minimale Gëftstoffer-Zesummenhang Variatiounen.
● Skalierbarkeet:Entsprécht den Ufuerderunge vu Masseproduktioun an experimenteller Fuerschung.
Déi 3-Zoll High-Purity SiC Wafere sinn Äre Paart op héich performant Geräter an innovativ technologesch Fortschrëtter. Fir Ufroen an detailléiert Spezifikatioune, kontaktéiert eis haut.

Resumé

Déi 3-Zoll High Purity Silicon Carbide (SiC) Wafers, verfügbar a Produktioun, Fuerschung an Dummy Graden, sinn Premium Substrate fir High-Power Elektronik, RF / Mikrowellesystemer, Optoelektronik a fortgeschratt R&D entwéckelt. Dës Wafere weisen ondopt, semi-isoléierend Eegeschafte mat exzellenter Resistivitéit (≥1E10 Ω·cm fir Produktiounsgrad), gerénger Mikropipe Dicht (≤1 cm−2^-2−2), an aussergewéinlech Uewerflächqualitéit. Si sinn optimiséiert fir High-Performance Uwendungen, dorënner Kraaftkonversioun, Telekommunikatioun, UV Sensing, an LED Technologien. Mat personaliséierbaren Orientéierungen, super thermescher Konduktivitéit a robuste mechanesche Properties, erméiglechen dës SiC Wafere effizient, zouverléisseg Geräterfabrizéierung an banebriechend Innovatiounen an den Industrien.