SiC-Substrat 3 Zoll 350µm Déckt HPSI Typ Prime Grade Dummy Grade
Eegeschaften
| Parameter | Produktiounsgrad | Fuerschungsgrad | Dummy-Klass | Eenheet |
| Grad | Produktiounsgrad | Fuerschungsgrad | Dummy-Klass | |
| Duerchmiesser | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | 76,2 ± 0,5 | mm |
| Déckt | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 | µm |
| Wafer Orientéierung | Op der Achs: <0001> ± 0,5° | Op der Achs: <0001> ± 2,0° | Op der Achs: <0001> ± 2,0° | Grad |
| Mikropäifdicht (MPD) | ≤ 1 | ≤ 5 | ≤ 10 | cm−2^-2−2 |
| Elektresch Widderstand | ≥ 1E10 | ≥ 1E5 | ≥ 1E5 | Ω·cm |
| Dotéierungsmëttel | Ondotéiert | Ondotéiert | Ondotéiert | |
| Primär flaach Orientéierung | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | {1-100} ± 5,0° | Grad |
| Primär flaach Längt | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | 32,5 ± 3,0 | mm |
| Sekundär flaach Längt | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | 18,0 ± 2,0 | mm |
| Sekundär flaach Orientéierung | 90° rechts vun der primärer Fläch ± 5,0° | 90° rechts vun der primärer Fläch ± 5,0° | 90° rechts vun der primärer Fläch ± 5,0° | Grad |
| Randausgrenzung | 3 | 3 | 3 | mm |
| LTV/TTV/Béi/Verzerrung | 3 / 10 / ±30 / 40 | 3 / 10 / ±30 / 40 | 5 / 15 / ±40 / 45 | µm |
| Uewerflächenrauheet | Si-Fläch: CMP, C-Fläch: Poléiert | Si-Fläch: CMP, C-Fläch: Poléiert | Si-Fläch: CMP, C-Fläch: Poléiert | |
| Rëss (Héichintensivt Liicht) | Keen | Keen | Keen | |
| Sechseckplacken (Héichintensivt Liicht) | Keen | Keen | Kumulativ Fläch 10% | % |
| Polytypberäicher (Héichintensivt Liicht) | Kumulativ Fläch 5% | Kumulativ Fläch 20% | Kumulativ Fläch 30% | % |
| Kratzer (Héichintensivt Liicht) | ≤ 5 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 150 | ≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200 | ≤ 10 Kratzer, kumulativ Längt ≤ 200 | mm |
| Kantenabschnitzen | Keen ≥ 0,5 mm Breet/Déift | 2 erlaabt ≤ 1 mm Breet/Déift | 5 erlaabt ≤ 5 mm Breet/Déift | mm |
| Uewerflächenkontaminatioun | Keen | Keen | Keen |
Uwendungen
1. Héichleistungselektronik
Déi iwwerleeën Wärmeleitfäegkeet an déi breet Bandlück vun de SiC-Waferen maachen se ideal fir Héichleistungs- a Héichfrequenzgeräter:
●MOSFETs an IGBTs fir d'Energiekonversioun.
●Fortgeschratt Stroumversuergungssystemer fir Elektroautoen, dorënner Inverter a Ladegeräter.
●Infrastruktur fir intelligent Netzwierker a Systemer fir erneierbar Energien.
2. HF- a Mikrowellensystemer
SiC-Substrater erméiglechen Héichfrequenz-RF- a Mikrowellenapplikatiounen mat minimalem Signalverloscht:
●Telekommunikatiouns- a Satellittesystemer.
●Radarsystemer fir d'Loft- a Raumfaart.
●Fortgeschratt 5G Netzwierkkomponenten.
3. Optoelektronik a Sensoren
Déi eenzegaarteg Eegeschafte vu SiC ënnerstëtzen eng Villfalt vun optoelektroneschen Uwendungen:
● UV-Detektoren fir Ëmweltiwwerwaachung an industriell Detektioun.
●LED- a Lasersubstrate fir Festkierperbeliichtung a Präzisiounsinstrumenter.
● Héichtemperatursensore fir d'Loft- a Raumfaart- an Automobilindustrie.
4. Fuerschung an Entwécklung
Déi Diversitéit vun de Qualitéiten (Produktioun, Fuerschung, Dummy) erméiglecht modern Experimenter an Apparatprototyping an der akademescher Welt an an der Industrie.
Virdeeler
●Zouverlässegkeet:Excellent Widderstand a Stabilitéit iwwer all Qualitéiten.
●Personaliséierung:Ugepasst Orientéierungen an Dicken fir ënnerschiddlech Besoinen.
●Héich Rengheet:Déi ondotéiert Zesummesetzung garantéiert minimal Variatiounen am Zesummenhang mat Ongereinheeten.
●Skalierbarkeet:Erfëllt d'Ufuerderunge souwuel vun der Masseproduktioun wéi och vun der experimenteller Fuerschung.
Déi 3-Zoll héichreine SiC-Waferen sinn Äre Wee zu héichperformante Geräter an innovativen technologesche Fortschrëtter. Fir Ufroen an detailléiert Spezifikatioune, kontaktéiert eis haut.
Resumé
Déi 3-Zoll héichreine Siliziumkarbid (SiC) Waferen, déi a Produktiouns-, Fuerschungs- a Dummy-Graden verfügbar sinn, si Premium-Substrater, déi fir Héichleistungselektronik, RF/Mikrowellensystemer, Optoelektronik a fortgeschratt Fuerschung an Entwécklung entwéckelt goufen. Dës Waferen hunn ondotéiert, hallefisoléierend Eegeschafte mat exzellentem Widderstand (≥1E10 Ω·cm fir Produktiounsgrad), eng niddreg Mikropipe-Dicht (≤1 cm−2^-2−2) an eng aussergewéinlech Uewerflächenqualitéit. Si sinn optiméiert fir Héichleistungsapplikatiounen, dorënner Energiekonversioun, Telekommunikatioun, UV-Detektioun an LED-Technologien. Mat personaliséierbaren Orientéierungen, iwwerleeëner Wärmeleitfäegkeet a robuste mechaneschen Eegeschaften erméiglechen dës SiC-Waferen eng effizient, zouverlässeg Fabrikatioun vun Apparater a bahnbrechend Innovatiounen an alle Branchen.
Detailéiert Diagramm
