Gemustert Saphir-Substrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP Drécheätzung kann fir LED-Chips benotzt ginn
Kärcharakteristik
1. Materialeigenschaften: De Substratmaterial ass e Singlekristall-Saphir (Al₂O₃), mat héijer Häert, héijer Hëtztbeständegkeet a chemescher Stabilitéit.
2. Uewerflächenstruktur: D'Uewerfläch gëtt duerch Photolithographie an Ätzung a periodesch Mikro-Nanostrukturen, wéi Kegelen, Pyramiden oder hexagonal Arrays, geformt.
3. Optesch Leeschtung: Duerch den Uewerflächenmusterdesign gëtt déi total Reflexioun vum Liicht op der Grenzfläch reduzéiert, an d'Liichtextraktiounseffizienz gëtt verbessert.
4. Thermesch Leeschtung: Saphirsubstrat huet eng exzellent thermesch Leetfäegkeet, gëeegent fir héichleistungs LED Uwendungen.
5. Gréisstspezifikatiounen: Déi üblech Gréissten sinn 2 Zoll (50,8 mm), 4 Zoll (100 mm) an 6 Zoll (150 mm).
Haapt Uwendungsberäicher
1. LED-Produktioun:
Verbessert Liichtextraktiounseffizienz: PSS reduzéiert de Liichtverloscht duerch Musterdesign, wouduerch d'Hellegkeet an d'Liichteffizienz vun den LEDen däitlech verbessert ginn.
Verbessert epitaktesch Wuessqualitéit: Déi gemustert Struktur bitt eng besser Wuessbasis fir GaN-epitaxial Schichten a verbessert d'LED-Leeschtung.
2. Laserdiod (LD):
Héichleistungslaser: Déi héich thermesch Konduktivitéit a Stabilitéit vu PSS si gëeegent fir Héichleistungslaserdioden, wouduerch d'Wärmeofleedungsleistung an d'Zouverlässegkeet verbessert ginn.
Niddrege Schwellstroum: Optiméiert den epitaktischen Wuesstum, reduzéiert de Schwellstroum vun der Laserdiod a verbessert d'Effizienz.
3. Fotodetektor:
Héich Empfindlechkeet: Déi héich Liichttransmissioun an déi niddreg Defektdicht vum PSS verbesseren d'Empfindlechkeet an d'Reaktiounsgeschwindegkeet vum Photodetektor.
Breet spektral Äntwert: gëeegent fir photoelektresch Detektioun am ultraviolett bis zum visuelle Beräich.
4. Leeschtungselektronik:
Héichspannungswidderstand: Déi héich Isolatioun an thermesch Stabilitéit vu Saphir si gëeegent fir Héichspannungsapparater.
Effizient Wärmeofleedung: Héich Wärmeleitfäegkeet verbessert d'Wärmeofleedungsleistung vu Stroumgeräter a verlängert d'Liewensdauer.
5. RF-Geräter:
Héichfrequenzleistung: De niddrege dielektresche Verloscht an déi héich thermesch Stabilitéit vu PSS si gëeegent fir Héichfrequenz-HF-Geräter.
Geräuscharm: Héich Flaachheet a geréng Defektdicht reduzéieren den Apparatgeräusch a verbesseren d'Signalqualitéit.
6. Biosensoren:
Detektioun mat héijer Empfindlechkeet: Déi héich Liichttransmissioun a chemesch Stabilitéit vu PSS si gëeegent fir Biosensoren mat héijer Empfindlechkeet.
Biokompatibilitéit: D'Biokompatibilitéit vu Saphir mécht en gëeegent fir medizinesch an Biodetektiounsapplikatiounen.
Gemustert Saphirsubstrat (PSS) mat GaN epitaktischem Material:
E gemustert Saphirsubstrat (PSS) ass en ideales Substrat fir GaN (Galliumnitrid) epitaktesch Wuesstem. D'Gitterkonstant vum Saphir ass no bei der GaN, wat Gitterfehler a Mängel am epitaktischen Wuesstem reduzéiere kann. D'Mikro-Nanostruktur vun der PSS-Uewerfläch verbessert net nëmmen d'Liichtextraktiounseffizienz, mä och d'Kristallqualitéit vun der GaN-Epitaxialschicht, wouduerch d'Leeschtung an d'Zouverlässegkeet vun der LED verbessert ginn.
Technesch Parameteren
| Artikel | Gemustert Saphir-Substrat (2~6 Zoll) | ||
| Duerchmiesser | 50,8 ± 0,1 mm | 100,0 ± 0,2 mm | 150,0 ± 0,3 mm |
| Déckt | 430 ± 25μm | 650 ± 25 μm | 1000 ± 25 μm |
| Uewerflächenorientéierung | C-Fläch (0001) Auswénkel zur M-Achs (10-10) 0,2 ± 0,1° | ||
| C-Fläch (0001) aus dem Wénkel zur A-Achs (11-20) 0 ± 0,1° | |||
| Primär flaach Orientéierung | A-Fläch (11-20) ± 1,0° | ||
| Primär flaach Längt | 16,0 ± 1,0 mm | 30,0 ± 1,0 mm | 47,5 ± 2,0 mm |
| R-Fliger | 9 Auer | ||
| Uewerflächenfinish vir | Gemustert | ||
| Réckflächefinish | SSP: Feingeschliffen, Ra=0,8-1,2µm; DSP: Epi-poliert, Ra<0,3nm | ||
| Lasermarkéierung | Récksäit | ||
| TTV | ≤8μm | ≤10μm | ≤20μm |
| BOU | ≤10μm | ≤15μm | ≤25μm |
| WARP | ≤12μm | ≤20μm | ≤30μm |
| Randausgrenzung | ≤2 mm | ||
| Muster Spezifikatioun | Formstruktur | Kuppel, Kegel, Pyramid | |
| Musterhéicht | 1,6~1,8μm | ||
| Musterduerchmiesser | 2,75~2,85μm | ||
| Musterraum | 0,1~0,3μm | ||
XKH spezialiséiert sech op d'Liwwerung vun héichqualitativen, personaliséiert gemusterte Saphirsubstrater (PSS) mat techneschem Support an After-Sales-Service, fir Clienten ze hëllefen, effizient Innovatiounen am Beräich vun LED, Display an Optoelektronik z'erreechen.
1. Héichqualitativ PSS-Liwwerung: Gemustert Saphir-Substrater a verschiddene Gréissten (2", 4", 6") fir den Ufuerderunge vun LED-, Display- an optoelektroneschen Apparater gerecht ze ginn.
2. Personnaliséierten Design: D'Mikro-Nanostruktur vun der Uewerfläch (wéi Kegel, Pyramid oder hexagonal Array) no de Bedierfnesser vum Client personaliséieren, fir d'Effizienz vun der Liichtentwécklung ze optimiséieren.
3. Techneschen Support: PSS Applikatiounsdesign, Prozessoptimiséierung a technesch Berodung ubidden, fir de Clienten ze hëllefen, d'Produktleistung ze verbesseren.
4. Ënnerstëtzung fir epitaktesch Wuesstem: PSS, deen mat GaN epitakteschem Material kombinéiert ass, gëtt geliwwert fir e qualitativ héichwäertegt epitaktesch Schichtwuesstem ze garantéieren.
5. Tester a Zertifizéierung: Liwwert e PSS-Qualitéitsinspektiounsbericht fir sécherzestellen, datt d'Produkter den Industriestandarden entspriechen.
Detailéiert Diagramm
