Patted Sapphir Courrat PST 2inch 4inch 6inch ICP trocken Etch kann fir LED Chips benotzt ginn

De Pilter Sapphire substrat pss 2inch 4inch 6inch icp trocken Etch kann fir LED Chips virgestallt ginn

Kuerz Beschreiwung:

Pittered Sappphire Distration (PSS) ass e Substrat op deem Medan an dem Nanovographie geformt ginn. Et gëtt haaptsächlech a Bedez in LED Doubefe benotzt, an der Ausland vun ze verbesseren da vun Uewerfaarfredstänneg Design an de Peroress Unurn.

Schéckt E-Mail un eis

Promrat Detail

Produktiounsnagéieren

Kär Charakteristik

1. Materiell Charakteristiken: De Substrat Material ass eng eenzeg Kristalle Sapphir (al₂o₃), mat héijer Hards Resistenz Resistenz an Chantal Stabilitéit.

3. Optesch Leeschtung: duerch d'Uewerflächester Design, déi taassem Reflexiounsface vum Interface gëtt reduzéiert, an d'Liicht Extraktiziziziell ass verbessert.

4. Thermal Leeschtung: Saphiring Substrat huet exzellent Klimaalflirieder, déi gëeegent fir héich Muechter Uwendungen huet.

5. Gréisst Spezifikatioune: allgemeng Gréissten sinn 2 Zoll (50.8mm), 4 Zoll (100mm) a 6 Zoll (150mm).

Haaptapplikatiounsberäicher

1. LED Fabrikatioun:
Verbesserte Liicht Extraktioun Effizienz: Pss reduzéiert Liichtverloscht duerch Meter Design, villhuele Bestëmmungsalkeet a Liichteffizienz.

Verbesserte Epitaxial Wuesstumsqualitéit: D'Muster Struktur bitt eng besser Wuesstums Base fir GAN EPITaxial Schichten a verbessert Reschter.

2. Laser Diode (LD):
Héich Power Laser: Déi héich thermesch Country an d'Stabilitéit vu PSS si gëeegent fir héich Kraaft Laser Laser Diode, verbesseren d'Hëtzt Dissipizitéit an Zouverlässegkeet.

Niddereg Schwänzbehudkürkinstruktiounen: OPTRAKTIOUN ETEMAIL Wuesstum, reduzéieren den Schwellstickinstick vum Laser Diode, a verbessert d'Effizienz.

3. PhotoDotektor:
Héichdefintensivitéit: D'Hightrel Transvid an nidderegen Dekterséngteritéit vum Pess verbesseren d'Evolutoritéit vum Photopityator.

Breet spektrale Äntwert: gëeegent fir Photolecelesch Detektioun am Ultraviolet fir ze gesinn.

4. Kraaft Elektronik:
Dight Spromage Resistance: Saphire vun enger héijer Islirigatioun an der termesch Stabilitéit si gëeegent fir héich Sproochen Geräter.

Office effizient Hëtztdiplikatioun: Héich thermesch Verwëllegenhëllef verbessert d'Hëtztdiskatioun vun de Power-Apparater a Verlängerungsservicer d'Liewen.

5. RF Geräter:
Héich Frequenz Leeschtung: Déi niddreg dislectresch Verloscht an héich thrmesch Stabilitéit vu PSS si gëeegent fir héich Frequenz RF Geräter.

Niddereg Geräischer: Héich Flatheet an niddreg Mängel Dicht reduzéieren den Apparat Geräisch a Verbesserungsqualitéit ze verbesseren.

6. Biosensoren:
Aus Héidiitoritéit Detektioun: d'grouss Liichtpratstell a ganzer Stabilitéit vu Pess si gëeeg fir héich Sonsultaturensembolitik.

Biocompatibilitéit: D'Biokompatibilitéit vum Sapphir mécht et fir medizinesch a Biodote Applikatioune gëeegent.
Patted Sapphiring Substrat (PSS) mat GAN EPITaxial Material:

Patted Saphiring Substrat (PSS) ass en ideale Substrat fir GAN (GALLUM NITRUT) Ephitaxial Wuesstum. DEN DETTARTICST Konstant vum Saphir ass no bei Gan, wat d'Iteto Metten Mëssbrauch formt kann an epolitaxesche Wuesstum reduzéieren. De Mikro-Nano Struktur vun der Pessfläch verbessert sech nëmmen d'Liicht Extraktiounseffiziziell Effiky, awer och d'Bralfairqualitéit vun der LASEBASE.

Technesch Parameteren

Artikel iwwert d'Säit	Mustere Sapphiring Substrat (2 ~ 6inch)
Entersheemer	50.8 ± 0,1 mm	100,0 ± 0,2 mm	150.0 ± 0,3 mm
Décker	430 ± 25μm	650 ± 25μm	1000 ± 25μm
Uewerfläch Orientéierung	C-Fliger (0001) Off-Wénkel Richtung M-Achs (10-10) 0,2 ± 0,1 °
	C-Fliger (0001) Off-Wénkel Richtung A-Achs (11-20) 0 ± 0,1 °
Primär flaach Orientéierung	A-Fliger (11-20) ± 1.0 °
Primär flaach Längt	16,0 ± 1.0 mm	30,0 ± 1.0 mm	47.5 ± 2.0 mm
R-Fliger	9 Auer
Viischt Uewerfläch fäerdeg	Potted
Zréck Uewerfläch fäerdeg	SSP: Fine-Buedem, Ra = 0.8-12um; DSP: EPI-poléiert, rap <0.3nm
Laser Mark	Zréck Säit Säit
Ttv	≤8μm	≤10μm	≤20μm
Zu Blan	≤10μm	≤15μm	≤25μm
Warps	≤12μm	≤20μm	≤30μma
Rand Ausgrenzung	≤2 mm
Muster Spezifikatioun	Form Struktur	Kuppel, Kegel, Pyramid
	Muster Héicht	1.6 ~ 1.8μm
	Muster Duerchmiesser	2,75 ~ 2.85μm
	Muster Raum	0,1 ~ 0.3μm

XKH PIRMITIALIANISATionellt eng héichwäerteg Qualitéit, personaliséiert Saphire Saphire Currates (PSS) mat technesche Support an Noverlässegungsservicer ze hëllefen am Feld vun der Reschter an Optimekteren.

1. Héich Qualitéit PSSPROress: PATIETEDEDEDEDED BIS Gréisser Gréissten (2 ", 4", 6 ")

3 1. Technéierend Ënnerstëtzung: Gitt PSSCfeldwëlleg dévitant Detailer antimal Notiz an adechnesch Berodung fir Clienten ze verbesseren.

4. Schoxaxial Wuesstem Ënnerstëtzung: PSS mat GAN Essaxial Material passend fir eng héichwäerteg Epitaxial Schichtmaschinn ze garantéieren.

5. Testen an Zertifizéierung: liwwert PSS Qualitéitsinféierung fir sécherzestellen, datt Produkter déi d'Industriewerwarden treffen.