12 Zoll Dia300x1.0mmt Saphir Wafer Substrat C-Plane SSP/DSP

Kuerz Beschreiwung:

Mat der Entwécklung vu Wëssenschaft an Technologie sinn nei Ufuerderunge fir d'Gréisst an d'Qualitéit vu Saphirkristallmaterialien virgestallt ginn.Elo, mat der rapider Entwécklung vun der Hallefleitbeliichtung an aner opkomende Applikatiounen, ass de Maart fir niddereg Käschten, héich Qualitéit, grouss Saphirkristaller dramatesch ausgebaut.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

12 Zoll Saphir Substrat Maart Situatioun

Am Moment huet Saphir zwee Haaptbenotzen, een ass de Substratmaterial, dat haaptsächlech LED Substratmaterial ass, deen aneren ass d'Auerwielt, Loftfaart, Raumfaart, speziell Fabrikatiounsfenstermaterial.

Obwuel Siliziumkarbid, Silizium a Galliumnitrid och als Substrate fir Leds nieft Saphir verfügbar sinn, ass d'Massproduktioun nach ëmmer net méiglech wéinst Käschten an e puer ongeléiste technesche Flaschenhals.Saphir Substrat duerch d'technesch Entwécklung an de leschte Joeren, seng Gitter passend, elektresch Konduktivitéit, mechanesch Eegeschaften, thermesch Konduktivitéit an aner Eegeschafte si vill verbessert a gefördert ginn, de kosteneffizienten Virdeel ass bedeitend, sou datt Saphir dat reift a stabilt Substratmaterial gouf an der LED Industrie, gouf vill am Maart benotzt, de Maartundeel esou héich wéi 90%.

Charakteristesch vun 12 Zoll Saphir Wafer Substrat

1. Saphir Substratflächen hunn eng extrem niddereg Partikelzuel, mat manner wéi 50 Partikelen 0,3 Mikron oder méi grouss pro 2 Zoll am 2 bis 8 Zoll Gréisst Beräich, a grouss Metaller (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) ënner 2E10/cm2.Den 12-Zoll Basismaterial gëtt och erwaart fir dëse Grad z'erreechen.
2. Kann als Trägerwafer fir den 12-Zoll Hallefleitproduktiounsprozess (In-Device Transport Palette) an als Substrat fir Bindung benotzt ginn.
3. Kann d'Form vun konkave a konvexer Uewerfläch kontrolléieren.
Material: Héich Puritéit Eenkristall Al2O3, Saphirwafer.
LED Qualitéit, keng Blasen, Rëss, Zwillinge, Lineage, keng Faarf..etc.

12 Zoll Saphir Wafers

Orientéierung	C-Plan<0001> +/- 1 Grad.
Duerchmiesser	300,0 +/- 0,25 mm
Dicke	1,0 +/- 25 um
Notch	Notch oder Flat
TTV	<50 um
BOU	<50 um
Kanten	Schutzmoossnamen
Front Säit - poléiert 80/50
Laser Mark	Keen
Verpakung	Eenzel Wafer Carrier Box
Front Säit Epi prett poléiert (Ra <0,3nm)
Récksäit Epi prett poléiert (Ra <0,3nm)