Elektrode Saphir Substrat a Wafer C-Plan LED Substrat
Spezifizéierung
GENERAL | ||
Chemesch Formel | Al2O3 | |
Kristallstruktur | Hexagonal System (hk o 1) | |
Eenheet Zell Dimensioun | a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c:a=2.730 | |
PHYSICAL | ||
Metresch | Englesch (Imperial) | |
Dicht | 3,98 g/cc | 0,144 lb/in3 |
Hardness | 1525 - 2000 Knoop, 9 mhos | 3700°F |
Schmelzpunkt | 2310 K (2040°C) | |
STRUKTURELL | ||
Tensile Stäerkt | 275 MPa bis 400 MPa | 40.000 bis 58.000 psi |
Spannkraft bei 20°C | 58.000 psi (Min. Design) | |
Spannkraft bei 500°C | 40.000 psi (Min. Design) | |
Spannkraft bei 1000°C | 355 MPa | 52.000 psi (Min. Design) |
Flexural Stäerkt | 480 MPa bis 895 MPa | 70.000 bis 130.000 psi |
Kompressioun Kraaft | 2.0 GPa (ultimate) | 300.000 psi (ultimate) |
Saphir als Semiconductor Circuit Substrat
Dënn Saphirwafer waren déi éischt erfollegräich Notzung vun engem isoléierende Substrat, op deem Silizium deposéiert gouf fir integréiert Kreesleef ze fabrizéieren genannt Silizium op Saphir (SOS). Zousätzlech zu sengen exzellenten elektresche Isolatiounseigenschaften huet Saphir héich thermesch Konduktivitéit.CMOS Chips op Saphir si besonnesch gëeegent fir High-Power Radio Frequenz (RF) Uwendungen wéi Handyen, ëffentlech Sécherheetsband Radios a Satellitekommunikatiounssystemer.
Single Kristall Saphir Wafere ginn och als Substrate an der Hallefleitindustrie benotzt fir Galliumnitrid (GaN) baséiert Apparater ze wuessen. D'Benotzung vu Saphir reduzéiert d'Käschte wesentlech well et ongeféier 1/7th d'Käschte vum Germanium ass.GaN op Saphir gëtt allgemeng a blo Liichtdioden (LEDs) benotzt.
Benotzt als Fënstermaterial
Synthetesch Saphir (heiansdo Saphirglas bezeechent) gëtt dacks als Fënstermaterial benotzt well et héich transparent ass tëscht 150 nm (ultraviolet) a 5500 nm (Infrarout) Wellelängten vum Liicht (de sichtbare Spektrum reekt vun ongeféier 380 nm bis 750 nm) an huet eng ganz héich Resistenz géint Schrummen. Schlëssel Virdeeler vun Saphir Fënsteren
enthalen
Extrem breet optesch Iwwerdroungsbandbreedung, vun UV bis no Infrarout Liicht
Méi staark wéi aner optesch Materialien oder Glasfenster
Héich resistent géint Kratzer an Abrasioun (Mineralhärkeet vun 9 op der Mohs Skala, zweet nëmmen Diamant a Moissanite ënner natierleche Substanzen)
Ganz héije Schmelzpunkt (2030°C)