Elektroden-Saphir-Substrat a Wafer-C-Plane LED-Substrater

Kuerz Beschreiwung:

Baséierend op der kontinuéierlecher Verbesserung vun der Saphirtechnologie an der schneller Expansioun vum Applikatiounsmaart, wäerten 4 Zoll an 6 Zoll Substratwafer méi vun Mainstream-Chipfirmen ugeholl ginn wéinst hiren inherenten Virdeeler an der Produktiounsnotzung.


Produktdetailer

Produkt Tags

Spezifikatioun

ALLGEMENG

Chemesch Formel

Al2O3

Kristallstruktur

Sechseckeg System (hk o 1)

Eenheetszell Dimensioun

a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c:a=2.730

PHYSISCH

 

Metrik

Englesch (Imperial)

Dicht

3,98 g/cc

0,144 lb/in³

Häert

1525 - 2000 Knoop, 9 Méint

3700° Fahrenheit

Schmelzpunkt

2310 K (2040° C)

 

STRUKTURELL

Zugfestigkeit

275 MPa bis 400 MPa

40.000 bis 58.000 psi

Zuchfestigkeit bei 20° C

 

58.000 psi (Designminimum)

Zuchfestigkeit bei 500° C

 

40.000 psi (Designminimum)

Zuchfestigkeit bei 1000° C

355 MPa

52.000 psi (Designminimum)

Biegekraaft

480 MPa bis 895 MPa

70.000 bis 130.000 psi

Kompressiounsstäerkt

2.0 GPa (ultimativ)

300.000 psi (ultimativ)

Saphir als Halbleiter-Schaltungssubstrat

Dënn Saphirwafere waren déi éischt erfollegräich Notzung vun engem isoléierende Substrat, op deem Silizium ofgesat gouf, fir integréiert Schaltungen ze fabrizéieren, déi Silizium op Saphir (SOS) genannt ginn. Nieft senge exzellenten elektreschen Isolatiounseigenschaften huet Saphir eng héich thermesch Leetfäegkeet. CMOS-Chips op Saphir si besonnesch gëeegent fir Funkfrequenzapplikatiounen (RF) mat héijer Leeschtung, wéi Handyen, Sécherheetsradioen a Satellittekommunikatiounssystemer.

Eenkristall-Saphir-Wafers ginn och als Substrater an der Hallefleederindustrie fir d'Zucht vun Apparater op Basis vu Galliumnitrid (GaN) benotzt. D'Benotzung vu Saphir reduzéiert d'Käschten däitlech, well se ongeféier 1/7 vun de Käschte vu Germanium sinn. GaN op Saphir gëtt dacks a Blo-Liicht-Emittéierend Dioden (LEDs) benotzt.

Als Fënstermaterial benotzen

Synthetische Saphir (heiansdo och als Saphirglas bezeechent) gëtt dacks als Fënstermaterial benotzt, well en tëscht 150 nm (Ultraviolett) an 5500 nm (Infrarout) Wellelängte vum Liicht héich transparent ass (de siichtbare Spektrum läit tëscht ongeféier 380 nm an 750 nm) an eng ganz héich Kratzbeständegkeet huet. Schlësselvirdeeler vu Saphirfënsteren

Inklusiv

Extrem breet optesch Transmissiounsbandbreet, vun UV bis noen Infraroutliicht

Méi staark wéi aner optesch Materialien oder Glasfënsteren

Héich resistent géint Kratzer an Abrasioun (Mineralhärte vun 9 op der Mohs-Skala, déi zweetgréisst ënner den natierleche Substanzen no Diamant a Moissanit)

Ganz héije Schmelzpunkt (2030°C)

Detailéiert Diagramm

Elektrode Saphirsubstrat a Wafer (1)
Elektrode Saphirsubstrat a Wafer (2)

  • Virdrun:
  • Weider:

  • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis