Elektrode Saphir Substrat a Wafer C-Plan LED Substrat

Kuerz Beschreiwung:

Baséierend op der kontinuéierlecher Upgrade vun der Saphirtechnologie an der rapider Expansioun vum Applikatiounsmaart, wäerte 4 Zoll a 6 Zoll Substratwafere méi vun Mainstream Chipfirmen ugeholl ginn wéinst hiren inherente Virdeeler bei der Produktiounsnotzung.


Produit Detailer

Produit Tags

Spezifizéierung

GENERAL

Chemesch Formel

Al2O3

Kristallstruktur

Hexagonal System (hk o 1)

Eenheet Zell Dimensioun

a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c:a=2.730

PHYSICAL

 

Metresch

Englesch (Imperial)

Dicht

3,98 g/cc

0,144 lb/in3

Hardness

1525 - 2000 Knoop, 9 mhos

3700°F

Schmelzpunkt

2310 K (2040°C)

 

STRUKTURELL

Tensile Stäerkt

275 MPa bis 400 MPa

40.000 bis 58.000 psi

Spannkraft bei 20°C

 

58.000 psi (Min. Design)

Spannkraft bei 500°C

 

40.000 psi (Min. Design)

Spannkraft bei 1000°C

355 MPa

52.000 psi (Min. Design)

Flexural Stäerkt

480 MPa bis 895 MPa

70.000 bis 130.000 psi

Kompressioun Kraaft

2.0 GPa (ultimate)

300.000 psi (ultimate)

Saphir als Semiconductor Circuit Substrat

Dënn Saphirwafer waren déi éischt erfollegräich Notzung vun engem isoléierende Substrat, op deem Silizium deposéiert gouf fir integréiert Kreesleef ze fabrizéieren genannt Silizium op Saphir (SOS). Zousätzlech zu sengen exzellenten elektresche Isolatiounseigenschaften huet Saphir héich thermesch Konduktivitéit.CMOS Chips op Saphir si besonnesch gëeegent fir High-Power Radio Frequenz (RF) Uwendungen wéi Handyen, ëffentlech Sécherheetsband Radios a Satellitekommunikatiounssystemer.

Single Kristall Saphir Wafere ginn och als Substrate an der Hallefleitindustrie benotzt fir Galliumnitrid (GaN) baséiert Apparater ze wuessen. D'Benotzung vu Saphir reduzéiert d'Käschte wesentlech well et ongeféier 1/7th d'Käschte vum Germanium ass.GaN op Saphir gëtt allgemeng a blo Liichtdioden (LEDs) benotzt.

Benotzt als Fënstermaterial

Synthetesch Saphir (heiansdo Saphirglas bezeechent) gëtt dacks als Fënstermaterial benotzt well et héich transparent ass tëscht 150 nm (ultraviolet) a 5500 nm (Infrarout) Wellelängten vum Liicht (de sichtbare Spektrum reekt vun ongeféier 380 nm bis 750 nm) an huet eng ganz héich Resistenz géint Schrummen. Schlëssel Virdeeler vun Saphir Fënsteren

enthalen

Extrem breet optesch Iwwerdroungsbandbreedung, vun UV bis no Infrarout Liicht

Méi staark wéi aner optesch Materialien oder Glasfenster

Héich resistent géint Kratzer an Abrasioun (Mineralhärkeet vun 9 op der Mohs Skala, zweet nëmmen Diamant a Moissanite ënner natierleche Substanzen)

Ganz héije Schmelzpunkt (2030°C)

Detailléiert Diagramm

Elektroden Saphir Substrat a Wafer (1)
Elektroden Saphir Substrat a Wafer (2)

  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift Äre Message hei a schéckt en un eis