Elektroden-Saphir-Substrat a Wafer-C-Plane LED-Substrater
Spezifikatioun
ALLGEMENG | ||
Chemesch Formel | Al2O3 | |
Kristallstruktur | Sechseckeg System (hk o 1) | |
Eenheetszell Dimensioun | a=4.758 Å, Å c=12.991 Å, c:a=2.730 | |
PHYSISCH | ||
Metrik | Englesch (Imperial) | |
Dicht | 3,98 g/cc | 0,144 lb/in³ |
Häert | 1525 - 2000 Knoop, 9 Méint | 3700° Fahrenheit |
Schmelzpunkt | 2310 K (2040° C) | |
STRUKTURELL | ||
Zugfestigkeit | 275 MPa bis 400 MPa | 40.000 bis 58.000 psi |
Zuchfestigkeit bei 20° C | 58.000 psi (Designminimum) | |
Zuchfestigkeit bei 500° C | 40.000 psi (Designminimum) | |
Zuchfestigkeit bei 1000° C | 355 MPa | 52.000 psi (Designminimum) |
Biegekraaft | 480 MPa bis 895 MPa | 70.000 bis 130.000 psi |
Kompressiounsstäerkt | 2.0 GPa (ultimativ) | 300.000 psi (ultimativ) |
Saphir als Halbleiter-Schaltungssubstrat
Dënn Saphirwafere waren déi éischt erfollegräich Notzung vun engem isoléierende Substrat, op deem Silizium ofgesat gouf, fir integréiert Schaltungen ze fabrizéieren, déi Silizium op Saphir (SOS) genannt ginn. Nieft senge exzellenten elektreschen Isolatiounseigenschaften huet Saphir eng héich thermesch Leetfäegkeet. CMOS-Chips op Saphir si besonnesch gëeegent fir Funkfrequenzapplikatiounen (RF) mat héijer Leeschtung, wéi Handyen, Sécherheetsradioen a Satellittekommunikatiounssystemer.
Eenkristall-Saphir-Wafers ginn och als Substrater an der Hallefleederindustrie fir d'Zucht vun Apparater op Basis vu Galliumnitrid (GaN) benotzt. D'Benotzung vu Saphir reduzéiert d'Käschten däitlech, well se ongeféier 1/7 vun de Käschte vu Germanium sinn. GaN op Saphir gëtt dacks a Blo-Liicht-Emittéierend Dioden (LEDs) benotzt.
Als Fënstermaterial benotzen
Synthetische Saphir (heiansdo och als Saphirglas bezeechent) gëtt dacks als Fënstermaterial benotzt, well en tëscht 150 nm (Ultraviolett) an 5500 nm (Infrarout) Wellelängte vum Liicht héich transparent ass (de siichtbare Spektrum läit tëscht ongeféier 380 nm an 750 nm) an eng ganz héich Kratzbeständegkeet huet. Schlësselvirdeeler vu Saphirfënsteren
Inklusiv
Extrem breet optesch Transmissiounsbandbreet, vun UV bis noen Infraroutliicht
Méi staark wéi aner optesch Materialien oder Glasfënsteren
Héich resistent géint Kratzer an Abrasioun (Mineralhärte vun 9 op der Mohs-Skala, déi zweetgréisst ënner den natierleche Substanzen no Diamant a Moissanit)
Ganz héije Schmelzpunkt (2030°C)
Detailéiert Diagramm

