Dia300x1.0mmt Thickness Saphir Wafer C-Plane SSP/DSP

Kuerz Beschreiwung:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd., kann Saphir wafers mat verschiddenen Uewerfläch Orientatiounen produzéiere (c, r, a, an m-Fliger), a Kontroll der ugefaangen-Schnëtt Wénkel op bannent 0,1 Grad.Mat eiser propriétaire Technologie kënne mir déi héich Qualitéit erreechen déi néideg ass fir sou Uwendungen wéi epitaxial Wuesstum a Waferbindung.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Aféierung vun wafer Këscht

Kristallmaterialien	99.999% Al2O3, Héich Puritéit, Monokristallin, Al2O3
Crystal Qualitéit	Inklusiounen, Blockmarken, Zwillinge, Faarf, Mikro-Bubbles a Dispersiounszentren sinn net existéierend
Duerchmiesser	2 zoll	3 zoll	4 zoll	6 Zoll ~ 12 Zoll
Duerchmiesser	50,8 ± 0,1 mm	76,2 ± 0,2 mm	100 ± 0,3 mm	Am Aklang mat de Bestëmmunge vun der Norm Produktioun
Dicke	430 ± 15 µm	550 ± 15 µm	650 ± 20 µm	Kann vum Client personaliséiert ginn
Orientéierung	C-Fliger (0001) bis M-Fliger (1-100) oder A-Fliger (1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, R-Fliger (1-1 0 2), A-Fliger (1 1-2 0), M-Fliger (1-1 0 0), All Orientéierung, All Wénkel
Primär flaach Längt	16,0 ± 1 mm	22,0 ± 1,0 mm	32,5 ± 1,5 mm	Am Aklang mat de Bestëmmunge vun der Norm Produktioun
Primär flaach Orientatioun	A-Fliger (1 1-2 0) ± 0,2 °
TTV	≤10 µm	≤15µm	≤20 µm	≤30 µm
LTV	≤10 µm	≤15µm	≤20 µm	≤30 µm
TIR	≤10 µm	≤15µm	≤20 µm	≤30 µm
BOU	≤10 µm	≤15µm	≤20 µm	≤30 µm
Warp	≤10 µm	≤15µm	≤20 µm	≤30 µm
Front Uewerfläch	Epi-poléiert (Ra<0.2nm)

*Bow: D'Ofwäichung vum Mëttelpunkt vun der Medianfläch vun enger fräier, ongeklemmter Wafer vun der Referenzfläch, wou d'Referenzfläch vun den dräi Ecker vun engem equilateralen Dräieck definéiert ass.

* Warp: D'Differenz tëscht dem Maximum an de Minimum Distanzen vun der median Uewerfläch vun engem fräi, un-clamped wafer aus der Referenz Fliger uewen definéiert.

Héichqualitativ Produkter a Servicer fir d'nächst Generatioun Hallefleitgeräter an epitaxial Wuesstum:

Héich Flaachheetsgrad (kontrolléiert TTV, Bogen, Warp etc.)

Héich Qualitéitsreinigung (niddereg Partikelkontaminatioun, geréng Metallkontaminatioun)

Substratbohren, Grooven, Ausschneiden, a Réckpoléieren

Befestegung vun Daten wéi Propretéit a Form vum Substrat (optional)

Wann Dir e Besoin fir Saphir Substrater hutt, fillt Iech gratis ze kontaktéieren:

mail:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

Mir kommen sou séier wéi méiglech zréck!