Dia300x1.0mmt Déckt Saphir Wafer C-Plane SSP/DSP

Kuerz Beschreiwung:

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. kann Saphirwafer mat verschiddenen Uewerflächenorientéierungen (c-, r-, a- an m-Fläch) produzéieren an den Off-Cut-Wénkel op 0,1 Grad kontrolléieren. Mat eiser proprietärer Technologie kënne mir déi héich Qualitéit erreechen, déi fir Uwendungen ewéi epitaktesch Wuesstem a Waferbonding gebraucht gëtt.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Aféierung vun der Waferbox

Kristallmaterialien	99,999% vun Al2O3, héich Rengheet, monokristallin, Al2O3
Kristallqualitéit	Inklusiounen, Blockmarken, Zwillingen, Faarf, Mikroblosen a Verdeelungszentren existéieren net.
Duerchmiesser	2 Zoll	3 Zoll	4 Zoll	6 Zoll ～ 12 Zoll
Duerchmiesser	50,8± 0,1mm	76,2±0,2mm	100±0,3mm	Am Aklang mat de Bestëmmunge vun der Standardproduktioun
Déckt	430±15µm	550±15µm	650±20µm	Kann vum Client personaliséiert ginn
Orientéierung	C-Fläch (0001) op M-Fläch (1-100) oder A-Fläch (1 1-2 0) 0,2 ± 0,1° / 0,3 ± 0,1°, R-Fläch (1-1 0 2), A-Fläch (1 1-2 0), M-Fläch (1-1 0 0), All Orientéierung, All Wénkel
Primär flaach Längt	16,0 ± 1 mm	22,0 ± 1,0 mm	32,5±1,5 mm	Am Aklang mat de Bestëmmunge vun der Standardproduktioun
Primär flaach Orientéierung	A-Fläch (11-20) ± 0,2°
TTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
LTV	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
TIR	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
BOU	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Ketten	≤10µm	≤15µm	≤20µm	≤30µm
Frontfläch	Epi-Poléiert (Ra< 0,2nm)

*Béi: D'Ofwäichung vum Mëttelpunkt vun der Medianuewerfläch vun engem fräien, net festgeklemmte Wafer vun der Referenzfläch, wou d'Referenzfläch duerch déi dräi Ecker vun engem gläichsäitegen Dräieck definéiert ass.

*Verzerrung: Den Ënnerscheed tëscht dem maximalen an dem minimalen Ofstand vun der mëttlerer Uewerfläch vun engem fräien, net festgeklemmte Wafer vun der uewe definéierter Referenzfläch.

Héichqualitativ Produkter a Servicer fir Hallefleederkomponenten vun der nächster Generatioun a fir epitaktesch Wuesstem:

Héije Grad u Flaachheet (kontrolléiert TTV, Bou, Ketten etc.)

Héichqualitativ Reinigung (gering Partikelkontaminatioun, gering Metallkontaminatioun)

Substratbueren, Nuten, Schnëtt a Réckspoléieren

Uschloss vun Donnéeën wéi Rengheet a Form vum Substrat (optional)

Wann Dir Saphir-Substrater braucht, zéckt net, eis ze kontaktéieren:

E-Mail:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522

Mir mellen eis sou séier wéi méiglech bei Iech zeréck!