6 Zoll HPSI SiC Substratwafer Siliziumkarbid Semi-insuléierend SiC Waferen

Déi aktuell Wuessmethoden fir SiC-Eenkristaller ëmfaassen haaptsächlech déi folgend dräi: Flëssegphasmethod, Héichtemperatur-chemesch Gasoflagerungsmethod an d'physikalesch Gasphastransportmethod (PVT). Dorënner ass d'PVT-Method déi am meeschte erfuerscht a reifst Technologie fir SiC-Eenkristallwuesstem, an hir technesch Schwieregkeeten sinn:

(1) SiC-Eenzelkristall bei héijer Temperatur vun 2300 °C iwwer der zouener Graphitkammer fir de "Feststoff-Gas-Feststoff"-Ëmwandlungsprozess ofzeschléissen, de Wuesstumszyklus ass laang, schwéier ze kontrolléieren an ufälleg fir Mikrotubuli, Inklusiounen an aner Defekter.

(2) Siliziumkarbid-Eenkristall, mat méi wéi 200 verschiddene Kristalltypen, awer am Allgemengen gëtt nëmmen een Kristalltyp produzéiert. D'Transformatioun vun engem Kristalltyp ass einfach am Wuesstumsprozess ze produzéieren, wat zu Defekter bei Inklusiounen a verschiddenen Typen féiert. Am Virbereedungsprozess vun engem eenzege spezifesche Kristalltyp ass et schwéier, d'Stabilitéit vum Prozess ze kontrolléieren, zum Beispill deen aktuellen Haaptstream vum 4H-Typ.

(3) Am thermesche Feld vun engem Siliziumkarbid-Eenkristallwuesstum gëtt et en Temperaturgradient, wat beim Kristallwuesstum zu enger nativer interner Spannung féiert an zu Verrécklungen, Feeler an aner Defekter féiert.

(4) De Prozess vun der Wuesstumsprozess vun engem Siliziumkarbid-Eenkristall muss d'Aféierung vun externen Ongereimtheeten strikt kontrolléieren, fir e ganz héichreinege Hallefisolatiounskristall oder e richtungsdotierte leetfäege Kristall ze kréien. Fir déi Hallefisolatiouns-Siliziumkarbid-Substrater, déi an HF-Geräter benotzt ginn, mussen déi elektresch Eegeschafte erreecht ginn, andeems déi ganz niddreg Ongereimtheetskonzentratioun an spezifesch Aarte vu Punktdefekter am Kristall kontrolléiert ginn.