3 Zoll Duerchmiesser 76,2 mm SiC-Substrater HPSI Prime Research a Dummy-Qualitéit

Kuerz Beschreiwung:

E Hallefisolatiounssubstrat bezitt sech op e Siliziumcarbidsubstrat mat engem Widderstand vun iwwer 100.000 Ω-cm a gëtt haaptsächlech bei der Fabrikatioun vu Galliumnitrid-Mikrowellen-Radiofrequenzgeräter benotzt a stellt d'Basis vum drahtlose Kommunikatiounsfeld duer.


Produktdetailer

Produkt Tags

Siliziumkarbid-Substrater kënnen an zwou Kategorien agedeelt ginn

Konduktivt Substrat: bezitt sech op de Widderstand vun engem 15~30mΩ-cm Siliziumcarbid-Substrat. De epitaktischen Siliziumcarbid-Wafer, deen aus dem konduktiven Siliziumcarbid-Substrat gewuess ass, kann weider a Kraaftwierker ëmgewandelt ginn, déi wäit verbreet an neien Energiefahrzeugen, Photovoltaik, Smart Grids a Schinneverkéier agesat ginn.

E Hallefisolatiounssubstrat bezitt sech op e Siliziumcarbidsubstrat mat engem Widderstand vun iwwer 100.000 Ω-cm a gëtt haaptsächlech bei der Fabrikatioun vu Galliumnitrid-Mikrowellen-Radiofrequenzgeräter benotzt a stellt d'Basis vum drahtlose Kommunikatiounsfeld duer.

Et ass eng fundamental Komponent am Beräich vun der drahtloser Kommunikatioun.

Leitend a hallefisoléierend Substrate aus Siliziumkarbid ginn an enger breeder Palette vun elektroneschen Apparater an Energieversuergungsapparater benotzt, dorënner awer net limitéiert op déi folgend:

Héichleistungs-Halbleiterkomponenten (leitend): Siliziumkarbid-Substrater hunn eng héich Duerchbrochfeldstäerkt a Wärmeleitfäegkeet a si gëeegent fir d'Produktioun vun Héichleistungstransistoren an Dioden an aner Komponenten.

HF-elektronesch Apparater (hallefisoléiert): Siliziumcarbid-Substrater hunn eng héich Schaltgeschwindegkeet an eng héich Leeschtungstoleranz, a si gëeegent fir Uwendungen wéi HF-Leeschtungsverstärker, Mikrowellenapparater an Héichfrequenzschalter.

Optoelektronesch Komponenten (hallefisoléiert): Siliziumcarbid-Substrater hunn eng grouss Energielück an eng héich thermesch Stabilitéit, gëeegent fir d'Hierstellung vu Photodioden, Solarzellen a Laserdioden an aner Komponenten.

Temperatursensoren (leitend): Siliziumkarbid-Substrater hunn eng héich thermesch Leetfäegkeet a thermesch Stabilitéit, gëeegent fir d'Produktioun vun Héichtemperatursensoren an Temperaturmiessinstrumenter.

De Produktiounsprozess an d'Uwendung vu leitfäegen a halbisoléierende Substrater aus Siliziumcarbid hunn eng breet Palette vu Beräicher a Potenzialer, wat nei Méiglechkeeten fir d'Entwécklung vun elektroneschen Apparater an Energieversuergungsapparater bitt.

Detailéiert Diagramm

Dummy-Klass (1)
Dummy-Klass (2)
Dummy-Klass (3)

  • Virdrun:
  • Weider:

  • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis