3 Zoll Dia76.2mm SiC Substrater HPSI Prime Fuerschung an Dummy Grad

Conductive Substrat: bezitt sech op d'Resistivitéit vum 15 ~ 30mΩ-cm Siliziumkarbidsubstrat. De Siliziumkarbid-Epitaxialwafer, deen aus dem konduktiven Siliziumkarbid-Substrat gewuess ass, ka weider a Kraaftapparater gemaach ginn, déi wäit an nei Energieautoen, Photovoltaik, Smart Gitter a Schinnentransport benotzt ginn.

Semi-isoléierend Substrat bezitt sech op d'Resistivitéit méi héich wéi 100000Ω-cm Siliziumkarbidsubstrat, haaptsächlech an der Fabrikatioun vu Galliumnitrid Mikrowellen Radiofrequenzgeräter benotzt, ass d'Basis vum drahtlose Kommunikatiounsfeld.

Et ass e Basiskomponent am Beräich vun der drahtloser Kommunikatioun.

Siliziumkarbidleitend an semi-isoléierend Substrate ginn an enger breet Palette vun elektroneschen Apparater a Kraaftapparater benotzt, dorënner awer net limitéiert op déi folgend:

Héichkraaft Hallefleitgeräter (leitend): Siliziumkarbidsubstrater hunn eng héich Ofbaufeldkraaft an thermesch Konduktivitéit, a si gëeegent fir d'Produktioun vun Héichkraafttransistoren an Dioden an aner Geräter.

RF elektronesch Geräter (semi-isoléiert): Silicon Carbide Substrater hunn héich Schaltgeschwindegkeet a Kraafttoleranz, gëeegent fir Uwendungen wéi RF Kraaftverstärker, Mikrowellengeräter an Héichfrequenzschalter.

Optoelektronesch Geräter (hallefisoléiert): Siliziumkarbidsubstrater hunn e breet Energiespalt an héich thermesch Stabilitéit, gëeegent fir Fotodioden, Solarzellen a Laserdioden an aner Geräter ze maachen.

Temperatursensoren (leitend): Siliziumkarbidsubstrater hunn héich thermesch Konduktivitéit an thermesch Stabilitéit, gëeegent fir d'Produktioun vun Héichtemperatursensoren an Temperaturmessinstrumenter.

De Produktiounsprozess an d'Applikatioun vu Siliziumkarbidleitend a semi-isoléierend Substrate hunn eng breet Palette vu Felder a Potenzialer, déi nei Méiglechkeeten fir d'Entwécklung vun elektroneschen Apparater a Kraaftapparater ubidden.