4 Zoll Siliziumwafer FZ CZ N-Typ DSP oder SSP Testgrad

4 Zoll Siliziumwafer FZ CZ N-Typ DSP oder SSP Testqualitéit Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

E Siliziumwafer ass eng dënn Plack, déi aus Eenkristallsilizium geschnidden ass. Siliziumwafere sinn an Duerchmiesser vun 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll an 8 Zoll verfügbar a gi haaptsächlech benotzt fir integréiert Schaltungen ze produzéieren. Siliziumwafere sinn nëmmen de Rohmaterial a Chips sinn dat fäerdegt Produkt. Siliziumwafere si wichteg Materialien fir d'Herstellung vun integréierte Schaltungen, a verschidde Hallefleederkomponenten kënnen duerch Photolithographie an Ionenimplantatioun op Siliziumwafere hiergestallt ginn.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Aféierung vun der Waferbox

Siliziumwafere sinn en integralen Deel vum haitege wuessenden Technologiesecteur. De Maart fir Hallefleitermaterialien erfuerdert Siliziumwafere mat präzise Spezifikatioune fir eng grouss Zuel vun neien integréierte Schaltkreesser ze produzéieren. Mir erkennen, datt mat der Erhéijung vun de Käschte fir d'Hallefleiterproduktioun, och d'Käschte vun dëse Produktiounsmaterialien, wéi zum Beispill Siliziumwafere, eropgoen. Mir verstinn d'Wichtegkeet vu Qualitéit a Käschteeffizienz an de Produkter, déi mir eise Clienten ubidden. Mir bidden Wafere un, déi käschtegënschteg a vun enger konsequenter Qualitéit sinn. Mir produzéieren haaptsächlech Siliziumwafere a -barren (CZ), epitaktesch Wafere a SOI-Waferen.

Duerchmiesser	Duerchmiesser	Poléiert	Dotiert	Orientéierung	Widderstand/Ω.cm	Déckt/um
2 Zoll	50,8±0,5mm	SSP DSP	Artikelnummer	100	1-20	200-500
3 Zoll	76,2±0,5mm	SSP DSP	P/B	100	NA	525±20
4 Zoll	101,6±0,2 101,6±0,3 101,6±0,4	SSP DSP	Artikelnummer	100	0,001-10	200-2000
6 Zoll	152,5±0,3	SSPDSP	Artikelnummer	100	1-10	500-650
8 Zoll	200±0,3	DSPSSP	Artikelnummer	100	0,1-20	625

D'Applikatioun vu Siliziumwaferen

Substrat: PECVD/LPCVD Beschichtung, Magnetronsputtering

Substrat: XRD, SEM, Atomkraaft-Infraroutspektroskopie, Transmissiounselektronemikroskopie, Fluoreszenzspektroskopie an aner analytesch Tester, epitaktesch Wuesstem duerch molekulare Stral, Röntgenanalyse vun der Kristallmikrostruktur. Veraarbechtung: Ätzen, Bindung, MEMS-Geräter, Energieversuergungsgeräter, MOS-Geräter an aner Veraarbechtung.

Zënter 2010 engagéiert sech Shanghai XKH Material Tech. Co.,Ltd fir Clienten ëmfaassend 4-Zoll Wafer Siliziumwafer-Léisungen ze bidden, vu Debugging-Level-Wafers, Dummy-Wafers, Test-Level-Wafers, Test-Level-Wafers bis hin zu Produkt-Level-Wafers, souwéi speziell Waferen, Oxid-Wafers, Nitrid-Wafers Si3N4, Aluminium-plated Waferen, Kupfer-plated Siliziumwaferen, SOI-Wafers, MEMS-Glas, personaliséiert ultra-déck an ultra-flaach Waferen, etc., mat Gréissten tëscht 50mm an 300mm, a mir kënnen Hallefleederwaferen mat eenzegesäitegen/duebelsäitegen Polieren, Verdënnen, Wierfelen, MEMS an aner Veraarbechtungs- a Personnalisatiounsservicer ubidden.