4 Zoll Semi-beleidegt SiC wafers HPSI SiC Substrat Prime Production Grad

Kuerz Beschreiwung:

Déi 4-Zoll High-Purity semi-isoléiert Siliziumkarbid duebelsäiteg Polierplack gëtt haaptsächlech an 5G Kommunikatioun an aner Felder benotzt, mat de Virdeeler fir de Radiofrequenzbereich ze verbesseren, ultra-laang Distanzerkennung, Anti-Interferenz, Héichgeschwindegkeet , grouss Kapazitéit Informatiounsiwwerdroung an aner Uwendungen, a gëtt als den ideale Substrat ugesinn fir Mikrowellenkraaftapparater ze maachen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Produit Spezifizéierung

Silicon Carbide (SiC) ass e Compound Halbleitermaterial aus den Elementer Kuelestoff a Silizium, an ass ee vun den idealen Materialien fir Héichtemperatur-, Héichfrequenz-, Héichkraaft- an Héichspannungsapparater ze maachen. Am Verglach mam traditionelle Siliziummaterial (Si), ass déi verbueden Bandbreet vu Siliziumkarbid dräimol déi vum Silizium; d'Wärmeleitung ass 4-5 Mol déi vu Silizium; d'Decomptespannung ass 8-10 Mol déi vu Silizium; an d'Elektron Sättigung Driftrate ass 2-3 Mol dee vum Silizium, wat de Bedierfnesser vun der moderner Industrie fir Héichkraaft, Héichspannung, an Héichfrequenz entsprécht, an et gëtt haaptsächlech benotzt fir Héichgeschwindegkeet, Héichgeschwindegkeet ze maachen. Frequenz, Héichkraaft a Liichtemittéierend elektronesch Komponenten, a seng Downstream Uwendungsberäicher enthalen Smart Grid, New Energy Vehicles, Photovoltaic Wind Power, 5G Kommunikatiounen, etc. kommerziell applizéiert.

Virdeeler vun SiC wafers / SiC Substrat

Héich Temperatur Resistenz. Déi verbueden Bandbreet vu Siliziumkarbid ass 2-3 Mol déi vum Silizium, sou datt Elektronen manner wahrscheinlech bei héijen Temperaturen sprangen a méi héich Operatiounstemperature widderstoen, an d'thermesch Konduktivitéit vu Siliziumkarbid ass 4-5 Mol déi vum Silizium, wat mécht et méi einfach Hëtzt vum Apparat ze dissipéieren an erlaabt eng méi héich limitéieren Operatioun Temperatur. D'Héichtemperatureigenschaften kënnen d'Kraaftdicht wesentlech erhéijen, wärend d'Ufuerderunge vum Wärmevergëftungssystem reduzéieren, sou datt den Terminal méi liicht a miniaturiséiert gëtt.

Héich Volt Resistenz. D'Zerbriechungsfeldkraaft vum Siliziumkarbid ass 10 Mol déi vum Silizium, wat et erlaabt méi héich Spannungen ze widderstoen, sou datt et méi gëeegent ass fir Héichspannungsapparater.

Héich-Frequenz Resistenz. Silicon Carbide huet zweemol d'Sättigung Elektronen Drift Taux vun Silizium, doraus zu hiren Apparater am Ofschloss Prozess existéiert net am aktuellen Drag Phänomen, kann effektiv d'Apparat schalt Frequenz verbesseren, Apparat Miniaturiséierung z'erreechen.

Niddereg Energieverloscht. Siliziumkarbid huet eng ganz niddereg On-Resistenz am Verglach zu Siliziummaterialien, nidderegen Leedungsverloscht; Zur selwechter Zäit reduzéiert d'héich Bandbreedung vu Siliziumkarbid däitlech de Leckstroum, Stroumverloscht; Zousätzlech, Silicon Carbide Apparater am shutdown Prozess existéieren net am aktuellen Drag Phänomen, niddereg schalt Verloscht.