4 Zoll Hallefinsuléierend SiC-Waferen HPSI SiC-Substrat Prime Production Grade

Kuerz Beschreiwung:

Déi 4-Zoll héichreinheetshalbeisoléiert Siliziumkarbid-duebelsäiteg Polierplack gëtt haaptsächlech an der 5G-Kommunikatioun an anere Beräicher benotzt, mat de Virdeeler vun der Verbesserung vum Radiofrequenzberäich, der Erkennung iwwer ultralaang Distanzen, der Anti-Interferenz, der Héichgeschwindegkeet, der Informatiounsiwwerdroung mat grousser Kapazitéit an aner Uwendungen, a gëllt als dat ideal Substrat fir d'Hierstellung vu Mikrowellenenergiegeräter.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Produktspezifikatioun

Siliziumkarbid (SiC) ass e verbonnent Hallefleedermaterial, dat aus den Elementer Kuelestoff a Silizium zesummegesat ass, an ass ee vun den ideale Materialien fir d'Fabrikatioun vun Héichtemperatur-, Héichfrequenz-, Héichleistungs- an Héichspannungsgeräter. Am Verglach mam traditionelle Siliziummaterial (Si) ass déi verbueden Bandbreet vu Siliziumkarbid dräimol sou héich wéi déi vu Silizium; d'Wärmeleitfäegkeet ass 4-5 Mol sou héich wéi déi vu Silizium; d'Brechspannung ass 8-10 Mol sou héich wéi déi vu Silizium; an d'Elektronesättigungsdriftrate ass 2-3 Mol sou héich wéi déi vu Silizium, wat den Ufuerderunge vun der moderner Industrie fir Héichleistung, Héichspannung an Héichfrequenz entsprécht, an et gëtt haaptsächlech benotzt fir Héichgeschwindegkeets-, Héichfrequenz-, Héichleistungs- an Liichtemittéierend elektronesch Komponenten ze maachen, a seng Downstream-Applikatiounsberäicher enthalen Smart Grid, Neienergiefahrzeugen, photovoltaesch Wandenergie, 5G-Kommunikatioun, etc. Am Beräich vun den Energiegeräter hunn Siliziumkarbiddioden a MOSFETs ugefaang kommerziell ugewannt ze ginn.

Virdeeler vu SiC-Waferen/SiC-Substrater

Héichtemperaturbeständegkeet. Déi verbueden Bandbreet vu Siliziumkarbid ass 2-3 Mol sou grouss wéi déi vu Silizium, sou datt Elektronen manner wahrscheinlech bei héijen Temperaturen sprangen a méi héije Betribstemperaturen aushalen kënnen, an d'Wärmeleitfäegkeet vu Siliziumkarbid ass 4-5 Mol sou grouss wéi déi vu Silizium, wat et méi einfach mécht, Hëtzt vum Apparat ofzeféieren an eng méi héich limitéiert Betribstemperatur erméiglecht. Déi héich Temperaturcharakteristike kënnen d'Leeschtungsdicht däitlech erhéijen, wärend d'Ufuerderunge fir d'Wärmeofleedungssystem reduzéiert ginn, wouduerch den Terminal méi liicht a miniaturiséiert gëtt.

Héichspannungswiderstand. D'Duerchbrochfeldstäerkt vu Siliziumkarbid ass 10 Mol sou héich wéi déi vu Silizium, wat et erméiglecht, méi héije Spannungen auszehalen an et dofir besser fir Héichspannungsgeräter gëeegent ze maachen.

Héichfrequenzwiderstand. Siliziumkarbid huet eng duebel sou héich Sättigungselektronendriftrate wéi Silizium, wat dozou féiert, datt et am Ausschaltprozess keen aktuellen Dromphänomen an den Apparater gëtt, wat d'Schaltfrequenz vum Apparat effektiv verbessere kann an doduerch eng Miniaturiséierung vum Apparat erméiglecht.

Niddrege Energieverloscht. Siliziumkarbid huet e ganz niddrege Schaltwiderstand am Verglach mat Siliziummaterialien, niddrege Leetverloscht; gläichzäiteg reduzéiert déi héich Bandbreet vu Siliziumkarbid de Leckstroum an de Stroumverloscht däitlech; zousätzlech gëtt et kee Stroumwiderstand bei Siliziumkarbid-Apparater am Ofschaltprozess, an de Schaltverloscht ass niddreg.