4H-Semi HPSI 2 Zoll SiC Substratwafer Produktiouns-Dummy Fuerschungsqualitéit

Siliziumcarbid-Substrater ginn haaptsächlech an leetend an halbisoléierend Typen opgedeelt. Leetend Siliziumcarbid-Substrater an N-Typ-Substrater ginn haaptsächlech fir epitaktesch GaN-baséiert LED an aner optoelektronesch Geräter, SiC-baséiert Leeschtungselektronesch Geräter usw. benotzt, an halbisoléierend SiC Siliziumcarbid-Substrater ginn haaptsächlech fir d'epitaxial Fabrikatioun vu GaN-Héichleistungs-Radiofrequenzgeräter benotzt. Zousätzlech ënnerscheede sech héichreinege Hallefisolatioun HPSI an SI Hallefisolatioun, mat enger Trägerkonzentratioun vun héichreinege Hallefisolatioun am Beräich vun 3,5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3, mat héijer Elektronemobilitéit; Hallefisolatioun ass e Material mat héijem Widderstand an engem ganz héije Widderstand a gëtt allgemeng fir Mikrowellen-Gerätersubstrater benotzt, déi net leetend sinn.

Hallefisoléierend Siliziumkarbid-Substratblech SiC-Wafer

D'SiC-Kristallstruktur bestëmmt seng physikalesch Eegeschaften. Am Verglach mat Si a GaAs huet SiC déi folgend physikalesch Eegeschaften: D'Bandbreet ass méi grouss, bal dräimol sou grouss wéi Si, fir sécherzestellen, datt den Apparat bei héijen Temperaturen an enger laangfristeger Zouverlässegkeet funktionéiert; d'Duerchbrochfeldstäerkt ass héich, 1O-mol sou grouss wéi Si, fir d'Spannungskapazitéit vum Apparat ze verbesseren an d'Spannungsquote vum Apparat ze erhéijen; d'Sättigungselektronenquote ass méi grouss, 2-mol sou grouss wéi Si, fir d'Frequenz an d'Leeschtungsdicht vum Apparat ze erhéijen; d'Wärmeleitfäegkeet ass méi héich wéi Si, wat d'Wärmeleitfäegkeet héich mécht. D'Wärmeleitfäegkeet ass méi héich wéi Si, wat d'Wärmeleitfäegkeet héich mécht an d'Wärmeleitfäegkeet méi héich mécht.