4H-N/6H-N SiC Wafer Fuerschung Produktioun Dummy Grad Dia150mm Silicon Carbide Substrat

Kuerz Beschreiwung:

Mir kënnen héich-Temperatur superconducting dënn Film Substrat, Magnéitfeld dënn Filmer a ferroelektresch dënn Film Substrat, semiconductor Kristallsglas produzéiert, opteschen Kristallsglas produzéiert, Laser Kristallsglas produzéiert Material, gläichzäiteg Orientatioun, Kristallsglas produzéiert opzedeelen, Schleifen, poléieren an aner Veraarbechtung Servicer. Eis SiC Substrater kommen aus Tankeblue Factory a China.


Produit Detailer

Produit Tags

6 Zoll Duerchmiesser Silicon Carbide (SiC) Substrat Spezifizéierung

Grad

Null MPD

Produktioun

Fuerschung Grad

Dummy Grad

Duerchmiesser

150,0 mm ± 0,25 mm

Dicke

4H-N

350um ± 25um

4H-SI

500um ± 25um

Wafer Orientatioun

Op der Achs:<0001>±0,5° fir 4H-SI
Off Achs: 4.0° Richtung <1120> ± 0.5° fir 4H-N

Primär Flat

{10-10} ± 5,0°

Primär flaach Längt

47,5 mm ± 2,5 mm

Rand Ausgrenzung

3 mm

TTV / Bow / Warp

≤15um/≤40um/≤60um

Mikropipe Dicht

≤1cm-2

≤5cm-2

≤15cm-2

≤50cm-2

Resistivitéit 4H-N 4H-SI

0.015~0.028Ω!cm

≥1E5Ω!cm

Rauhegkeet

Polnesch Ra ≤1nm CMP Ra≤0,5nm

#Rëss duerch héich Intensitéit Liicht

Keen

1 erlaabt ,≤2mm

Kumulativ Längt ≤10mm, eenzeg Längt≤2mm

* Hex Placke mat héijer Intensitéit Liicht

Kumulativ Fläch ≤1%

Kumulativ Fläch ≤ 2%

Kumulativ Fläch ≤ 5%

* Polytyp Beräicher duerch héich Intensitéit Liicht

Keen

Kumulativ Fläch ≤ 2%

Kumulativ Fläch ≤ 5%

* & Kratzer duerch héich Intensitéit Liicht

3 kraazt op 1 x wafer Duerchmiesser kumulativ Längt

5 Kratzer op 1 x Wafer Duerchmiesser kumulativ Längt

5 Kratzer bis 1 x Wafer Duerchmiesser kumulativ Längt

Rand Chip

Keen

3 erlaabt, ≤0,5 mm jee

5 erlaabt, ≤1mm je

Kontaminatioun duerch héich Intensitéit Liicht

Keen

Verkaf & Client Service

Material Kafen

D'Materialkaafdepartement ass verantwortlech fir all d'Rohmaterial ze sammelen déi néideg ass fir Äert Produkt ze produzéieren. Komplett Tracabilitéit vun alle Produkter a Materialien, inklusiv chemesch a kierperlech Analyse sinn ëmmer verfügbar.

Qualitéit

Wärend an no der Fabrikatioun oder Veraarbechtung vun Äre Produkter ass d'Qualitéitskontrolldepartement involvéiert fir sécherzestellen datt all Materialien an Toleranzen Är Spezifizéierung treffen oder iwwerschreiden.

Service

Mir si stolz eis Verkafsingenieur Personal mat iwwer 5 Joer Erfahrungen an der Hallefleitindustrie ze hunn. Si sinn trainéiert fir technesch Froen ze beäntweren an och fristgerecht Zitater fir Är Bedierfnesser ze bidden.

mir sinn op Ärer Säit zu all Moment wann Dir Probleemer hutt, a léisen et an 10 Stonnen.

Detailléiert Diagramm

Siliziumcarbid Substrat (1)
Siliziumkarbidsubstrat (2)

  • virdrun:
  • Nächste:

  • Schreift äre Message hei a schéckt en un eis