4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch Produktioun Dummy Grade Dia 150mm Siliziumkarbidsubstrat

Kuerz Beschreiwung:

Mir kënnen héichtemperatur supraleitend Dënnschichtsubstrater, magnetesch Dënnschichtsubstrater a ferroelektresch Dënnschichtsubstrater, Hallefleiterkristaller, optesch Kristaller a Laserkristallmaterialien ubidden, a gläichzäiteg Orientéierungs-, Kristallschneiden-, Schleifen-, Poléieren- an aner Veraarbechtungsdéngschter ubidden. Eis SiC-Substrater kommen aus der Tankeblue Factory a China.


Produktdetailer

Produkt Tags

Spezifikatioun vum Siliziumkarbid (SiC)-Substrat mat engem Duerchmiesser vu 6 Zoll

Grad

Null MPD

Produktioun

Fuerschungsgrad

Dummy-Klass

Duerchmiesser

150,0 mm ± 0,25 mm

Déckt

4H-N

350µm±25µm

4H-SI

500µm±25µm

Wafer Orientéierung

Op der Achs: <0001> ± 0,5° fir 4H-SI
Off-Achs: 4,0° Richtung <1120> ± 0,5° fir 4H-N

Haaptwunneng

{10-10}±5,0°

Primär flaach Längt

47,5 mm ± 2,5 mm

Randausgrenzung

3mm

TTV/Béi/Ketten

≤15µm/≤40µm/≤60µm

Mikropäifdicht

≤1cm-2

≤5cm-2

≤15cm-2

≤50cm-2

Widderstand 4H-N 4H-SI

0,015~0,028Ω!cm

≥1E5Ω!cm

Rauheet

Polnesch Ra ≤1nm CMP Ra≤0.5nm

#Rëss duerch héichintensivt Liicht

Keen

1 erlaabt, ≤2mm

Kumulativ Längt ≤10mm, eenzel Längt ≤2mm

*Hexagonalplacken duerch héichintensivt Liicht

Kumulativ Fläch ≤1%

Kumulativ Fläch ≤ 2%

Kumulativ Fläch ≤ 5%

*Polytypberäicher duerch héichintensivt Liicht

Keen

Kumulativ Fläch ≤ 2%

Kumulativ Fläch ≤ 5%

*&Kratzer duerch héichintensivt Liicht

3 Kratzer op 1 x Waferduerchmiesser kumulativ Längt

5 Kratzer op 1 x Waferduerchmiesser kumulativ Längt

5 Kratzer bis zu 1 x Waferduerchmiesser kumulativ Längt

Kantchip

Keen

3 erlaabt, ≤0,5 mm all

5 erlaabt, ≤1mm all

Kontaminatioun duerch héichintensivt Liicht

Keen

Verkaf & Clientsdéngscht

Materialkaaf

D'Materialkaafsofdeelung ass verantwortlech fir all d'Rohmaterialien ze sammelen, déi fir d'Produktioun vun Ärem Produkt gebraucht ginn. Eng komplett Verfolgbarkeet vun alle Produkter a Materialien, inklusiv chemesch an physikalesch Analysen, ass ëmmer verfügbar.

Qualitéit

Wärend an no der Produktioun oder der Bearbeitung vun Äre Produkter ass d'Qualitéitskontrollofdeelung dobäi involvéiert, sécherzestellen, datt all Materialien an Toleranzen Är Spezifikatioune entspriechen oder iwwerschreiden.

Déngscht

Mir si stolz drop, Verkafsingenieure mat iwwer 5 Joer Erfahrung an der Hallefleederindustrie ze hunn. Si sinn trainéiert fir technesch Froen ze beäntwerten an och fristgerecht Offeren fir Är Bedierfnesser ze maachen.

Mir sinn zu all Moment zu Ärer Säit, wann Dir e Problem hutt, a léisen et bannent 10 Stonnen.

Detailéiert Diagramm

Siliziumkarbidsubstrat (1)
Siliziumkarbid-Substrat (2)

  • Virdrun:
  • Weider:

  • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis