4H-N 8 Zoll SiC Substratwafer Siliziumkarbid Dummy Fuerschungsgrad 500µm Déckt

4H-N 8 Zoll SiC Substratwafer Siliziumkarbid Dummy Fuerschungsqualitéit 500µm Déckt Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid-Wafere ginn an elektroneschen Apparater wéi Leeschtungsdioden, MOSFETs, Mikrowellenapparater mat héijer Leeschtung an HF-Transistoren benotzt, wat eng effizient Energiekonversioun a Stroumverwaltung erméiglecht. SiC-Wafere a Substrater fannen och an der Automobilelektronik, an der Loftfaart an an erneierbaren Energietechnologien agesat.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Wéi wielt een Siliziumkarbidwaferen a SiC-Substrater?

Wann Dir Siliziumkarbid (SiC)-Waferen a Substrater auswielt, ginn et e puer Faktoren ze berécksiichtegen. Hei sinn e puer wichteg Critèren:

Materialtyp: Bestëmmt d'Aart vu SiC-Material, déi fir Är Uwendung gëeegent ass, wéi z.B. 4H-SiC oder 6H-SiC. Déi am meeschte verbreet Kristallstruktur ass 4H-SiC.

Dotierungsart: Entscheet ob Dir en dotiert oder ondotiert SiC-Substrat braucht. Heefeg Dotierungsarten sinn N-Typ (n-dotiert) oder P-Typ (p-dotiert), ofhängeg vun Äre spezifesche Besoinen.

Kristallqualitéit: Bewäert d'Kristallqualitéit vun de SiC-Waferen oder -substrater. Déi gewënschte Qualitéit gëtt duerch Parameteren wéi d'Zuel vun de Defekter, d'kristallografesch Orientéierung an d'Uewerflächenrauheet bestëmmt.

Waferduerchmiesser: Wielt déi passend Wafergréisst baséiert op Ärer Uwendung. Déi üblech Gréissten sinn 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll an 6 Zoll. Wat méi grouss den Duerchmiesser ass, wat méi Rendement Dir pro Wafer kritt.

Déckt: Berécksiichtegt déi gewënscht Déckt vun de SiC-Waferen oder -Substrater. Typesch Décktoptioune reeche vun e puer Mikrometer bis zu e puer honnert Mikrometer.

Orientéierung: Bestëmmt déi kristallografesch Orientéierung, déi mat den Ufuerderunge vun Ärer Uwendung iwwereneestëmmt. Heefeg Orientéierunge sinn (0001) fir 4H-SiC an (0001) oder (0001̅) fir 6H-SiC.

Uewerflächenfinish: Evaluéiert d'Uewerflächenfinish vun de SiC-Waferen oder Substrater. D'Uewerfläch soll glat, poléiert a fräi vu Kratzer oder Kontaminanten sinn.

Ruff vum Fournisseur: Wielt e renomméierte Fournisseur mat extensiver Erfahrung an der Produktioun vun héichwäertege SiC-Waferen a Substrater. Berécksiichtegt Faktoren wéi Produktiounskapazitéiten, Qualitéitskontroll a Clientsbewäertungen.

Käschten: Berécksiichtegt d'Käschtenimplikatiounen, dorënner de Präis pro Wafer oder Substrat an all zousätzlech Käschte fir d'Personaliséierung.

Et ass wichteg, dës Faktoren suergfälteg ze bewäerten a sech mat Industrieexperten oder Fournisseuren ze beroden, fir sécherzestellen, datt déi gewielte SiC-Waferen a Substrater Är spezifesch Ufuerderunge erfëllen.