2 Zoll Siliziumkarbidwaferen 6H oder 4H N-Typ oder halbisoléierend SiC-Substrater

4H SiC Wafer N-Typ
Duerchmiesser: 2 Zoll 50,8 mm | 4 Zoll 100 mm | 6 Zoll 150 mm
Orientéierung: vun der Achs ewech 4,0˚ Richtung <1120> ± 0,5˚
Widderstand: < 0,1 ohm.cm
Rauheet: Si-Fläch CMP Ra <0,5 nm, C-Fläch optesch Politur Ra ​​<1 nm

4H SiC Wafer Hallefisolatioun
Duerchmiesser: 2 Zoll 50,8 mm | 4 Zoll 100 mm | 6 Zoll 150 mm
Orientéierung: op der Achs {0001} ± 0,25˚
Widderstand: >1E5 ohm.cm
Rauheet: Si-Fläch CMP Ra <0,5 nm, C-Fläch optesch Politur Ra ​​<1 nm

1. 5G Infrastruktur -- Kommunikatiounsstroumversuergung.
D'Kommunikatiounsstroumversuergung ass d'Energiebasis fir d'Kommunikatioun tëscht Serveren a Basisstatiounen. Si liwwert elektresch Energie fir verschidden Iwwerdroungsausrüstung, fir den normale Betrib vum Kommunikatiounssystem ze garantéieren.

2. Opluedstapel vun neien Energiefahrzeugen -- Stroummodul vum Opluedstapel.
Déi héich Effizienz an héich Leeschtung vum Ladestapel-Stroummodul kënnen duerch d'Benotzung vu Siliziumkarbid am Ladestapel-Stroummodul realiséiert ginn, fir d'Ladegeschwindegkeet ze verbesseren an d'Ladekäschten ze reduzéieren.

3. Grouss Datenzentrum, Industriell Internet -- Server Stroumversuergung.
D'Server-Stroumversuergung ass d'Energiebibliothéik vum Server. De Server liwwert Stroum fir den normale Betrib vum Serversystem ze garantéieren. D'Benotzung vu Siliziumkarbid-Stroumkomponenten an der Server-Stroumversuergung kann d'Leeschtungsdicht an d'Effizienz vun der Server-Stroumversuergung verbesseren, de Volume vum Datenzentrum am Allgemengen reduzéieren, d'Gesamtbaukäschte vum Datenzentrum senken an eng méi héich Ëmwelteffizienz erreechen.

4. Uhv - Uwendung vu flexible Transmissiouns-DC-Sichtstroumschalter.

5. Intercity-Héichgeschwindegkeetszuch an Intercity-Zuchverkéier -- Traktiounswandler, Kraaftelektronesch Transformatoren, Hëllefswandler, Hëllefsstroumversuergungen.