2 Zoll Silicon Carbide Wafers 6H oder 4H N-Typ oder Semi-isoléierend SiC Substraten

4H SiC wafer N-Typ
Duerchmiesser: 2 Zoll 50,8 mm | 4 Zoll 100 mm | 6 Zoll 150 mm
Orientéierung: Off Achs 4.0˚ Richtung <1120> ± 0.5˚
Resistivitéit: < 0,1 ohm.cm
Roughness: Si-Gesiicht CMP Ra <0.5nm, C-Gesiicht optesch Polnesch Ra <1 nm

4H SiC wafer Semi-isoléierend
Duerchmiesser: 2 Zoll 50,8 mm | 4 Zoll 100 mm | 6 Zoll 150 mm
Orientéierung: op der Achs {0001} ± 0,25˚
Resistivitéit: >1E5 ohm.cm
Roughness: Si-Gesiicht CMP Ra <0.5nm, C-Gesiicht optesch Polnesch Ra <1 nm

1. 5G Infrastruktur - Kommunikatioun Muecht Fourniture.
Kommunikatioun Energieversuergung ass d'Energiebasis fir Server a Basisstatioun Kommunikatioun. Et bitt elektresch Energie fir verschidde Transmissiounsausrüstung fir den normale Betrib vum Kommunikatiounssystem ze garantéieren.

2. Opluedstéck vun neien Energieween -- Kraaftmodul vum Opluedstéck.
Déi héich Effizienz an héich Kraaft vum Opluedstéck Kraaftmodul kënne realiséiert ginn andeems Dir Siliziumkarbid am Ladestapel Kraaftmodul benotzt, fir d'Ladegeschwindegkeet ze verbesseren an d'Ladekäschten ze reduzéieren.

3. Big Daten Zentrum, Industriell Internet - Server Muecht Fourniture.
D'Server Energieversuergung ass d'Server Energiebibliothéik. De Server liwwert Kraaft fir déi normal Operatioun vum Serversystem ze garantéieren. D'Benotzung vu Siliziumkarbid Kraaftkomponenten an der Server-Energieversuergung kann d'Muechtdicht an d'Effizienz vun der Server-Energieversuergung verbesseren, de Volume vum Datenzenter am Ganzen reduzéieren, d'Gesamtkonstruktiounskäschte vum Rechenzentrum reduzéieren, a méi héich Ëmwelt erreechen Effizienz.

4. Uhv - Uwendung vun flexibel Transmissioun DC Circuit breakers.

5. Intercity Héich-Vitesse Eisebunn an Intercity Eisebunn Transit - Traktioun converters, Muecht elektronesch Transformatoren, auxiliary converters, auxiliaire Muecht Ëmgeréits.