2 Zoll SiC-Waferen 6H oder 4H Hallefisoléierend SiC-Substrater Duerchmiesser 50,8 mm

2 Zoll SiC-Waferen 6H oder 4H Hallefisoléierend SiC-Substrater Diameter 50,8 mm Ausgewielt Bild

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) ass eng binär Verbindung aus der Grupp IV-IV, et ass déi eenzeg stabil fest Verbindung aus der Grupp IV vum Periodesystem vun den Elementer. Et ass e wichtege Hallefleeder. SiC huet exzellent thermesch, mechanesch, chemesch an elektresch Eegeschaften, déi et zu engem vun de beschte Materialien fir d'Fabrikatioun vun Héichtemperatur-, Héichfrequenz- an Héichleistungselektronengeräter maachen.

Schéckt eis eng E-Mail

Produktdetailer

Produkt Tags

Uwendung vu Siliziumkarbidsubstrat

Siliziumkarbid-Substrater kënnen no dem Widderstand an e leedende an e hallefisoléierenden Typ opgedeelt ginn. Leedende Siliziumkarbid-Komponente ginn haaptsächlech an Elektroautoen, photovoltaescher Energieerzeugung, Schinnentransport, Datenzentren, Laden an aner Infrastrukturen agesat. D'Elektroautoindustrie huet eng grouss Nofro fir leedende Siliziumkarbid-Substrater, an de Moment hunn Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng an aner nei Energieautofirmen geplangt, diskret Siliziumkarbid-Komponenten oder -moduler ze benotzen.

Hallefisoléiert Siliziumkarbid-Bauelementer ginn haaptsächlech an der 5G-Kommunikatioun, der Gefierkommunikatioun, den nationale Verteidegungsapplikatiounen, der Dateniwwerdroung, der Loft- a Raumfaart an anere Beräicher benotzt. Duerch d'Zucht vun der Galliumnitrid-Epitaxialschicht op dem hallefisoléierte Siliziumkarbid-Substrat kann de Silizium-baséierte Galliumnitrid-Epitaxialwafer weider a Mikrowellen-HF-Bauelementer ëmgewandelt ginn, déi haaptsächlech am HF-Beräich benotzt ginn, wéi z. B. Leeschtungsverstärker an der 5G-Kommunikatioun a Radiodetektoren an der nationaler Verteidegung.

D'Produktioun vu Siliziumkarbid-Substratprodukter ëmfaasst d'Entwécklung vun Ausrüstung, d'Rohmaterialsynthese, d'Kristallwuesstum, d'Kristallschneiden, d'Waferveraarbechtung, d'Botzen an d'Tester, a vill aner Verbindungen. Wat d'Rohmaterialien ugeet, liwwert d'Songshan Borindustrie Siliziumkarbid-Rohmaterialien fir de Maart a produzéiert kleng Chargen. Déi drëtt Generatioun vun Hallefleedermaterialien, déi duerch Siliziumkarbid vertrueden sinn, spillen eng Schlësselroll an der moderner Industrie. Mat der beschleunegter Penetratioun vun neien Energiefahrzeugen a photovoltaeschen Uwendungen ass d'Nofro fir Siliziumkarbid-Substrater geschwënn en Wendepunkt.