2 Zoll SiC Wafers 6H oder 4H Semi-isoléierend SiC Substraten Dia50.8mm

2 Zoll SiC Wafers 6H oder 4H Semi-isoléierend SiC Substrate Dia50.8mm Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) ass eng binär Verbindung vu Grupp IV-IV, et ass déi eenzeg stabil zolidd Verbindung an der Grupp IV vun der Periodic Table of Elements, Et ass e wichtege Hallefleit. SiC huet exzellent thermesch, mechanesch, chemesch an elektresch Eegeschaften, déi et als ee vun de beschten Materialien maachen fir elektronesch Geräter mat héijer Temperatur, Héichfrequenz an Héichkraaft ze maachen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Applikatioun vum Siliziumkarbidsubstrat

Silicon Carbide Substrat kann an konduktiv Typ an semi-isoléierend Typ opgedeelt ginn no Resistivitéit. Konduktiv Siliziumkarbidgeräter ginn haaptsächlech an elektresche Gefierer, Photovoltaikenergieproduktioun, Schinnentransit, Datenzenteren, Opluedstatioun an aner Infrastrukturen benotzt. D'elektresch Gefierindustrie huet eng grouss Nofro fir konduktiv Siliziumkarbidsubstrater, an de Moment hunn Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng an aner nei Energieautofirmen geplangt fir Siliziumkarbid diskret Geräter oder Moduler ze benotzen.

Semi-isoléiert Siliziumkarbid Geräter ginn haaptsächlech an 5G Kommunikatiounen, Gefiererkommunikatioun, national Verteidegungsapplikatiounen, Datenübertragung, Raumfaart an aner Felder benotzt. Andeems Dir d'Galliumnitrid Epitaxialschicht um semi-isoléierte Siliziumkarbidsubstrat wuessen, kann de Silizium-baséiert Galliumnitrid Epitaxial Wafer weider a Mikrowellen RF Apparater gemaach ginn, déi haaptsächlech am RF Feld benotzt ginn, sou wéi Kraaftverstärker an 5G Kommunikatioun an Radiodetektoren an der nationaler Verteidegung.

D'Fabrikatioun vu Siliziumkarbid Substratprodukter involvéiert Ausrüstungsentwécklung, Rohmaterialsynthese, Kristallwachstum, Kristallschneid, Waferveraarbechtung, Botzen an Testen, a vill aner Linken. Am Sënn vun Matière première, Songshan Boron Industrie liwwert Silicon Carbide Matière première fir de Maart, an huet kleng Batch Ofsaz erreecht. Déi drëtt Generatioun Hallefleitmaterialien representéiert duerch Siliziumkarbid spillen eng Schlësselroll an der moderner Industrie, mat der Beschleunigung vun der Pénétratioun vun neien Energieautoen a Photovoltaikapplikatiounen, ass d'Nofro fir Siliziumkarbidsubstrat amgaang en Inflektiounspunkt unzefänken.