150mm 200mm 6inch 8inch GaN op Silicon Epi-Layer wafer Galliumnitrid epitaxial wafer
Fabrikatioun Method
De Fabrikatiounsprozess involvéiert d'Erhéijung vun GaN Schichten op engem Saphir Substrat mat fortgeschratt Techniken wéi Metall-organesch chemesch Vapor Deposition (MOCVD) oder Molekulare Strahlepitaxie (MBE).Den Oflagerungsprozess gëtt ënner kontrolléierte Bedéngungen duerchgefouert fir eng héich Kristallqualitéit an eenheetleche Film ze garantéieren.
6 Zoll GaN-On-Sapphire Uwendungen: 6 Zoll Saphir Substrat Chips gi wäit an der Mikrowellekommunikatioun, Radarsystemer, Wireless Technologie an Optoelektronik benotzt.
E puer gemeinsam Uwendungen enthalen
1. Rf Muecht amplifier
2. LED Beliichtung Industrie
3. Wireless Reseau Kommunikatioun Equipement
4. Elektronesch Apparater an héich Temperatur Ëmfeld
5. Optoelektronesch Apparater
Produit Spezifikatioune
- Gréisst: De Substrat Duerchmiesser ass 6 Zoll (ongeféier 150 mm).
- Surface Qualitéit: D'Uewerfläch gouf fein poléiert fir exzellent Spigelqualitéit ze bidden.
- Dicke: D'Dicke vun der GaN Schicht kann no spezifesche Ufuerderunge personaliséiert ginn.
- Verpackung: De Substrat ass suergfälteg mat antistatesche Materialien verpackt fir Schued beim Transport ze vermeiden.
- Positionéierungskanten: De Substrat huet spezifesch Positionéierungskanten, déi d'Ausrichtung an d'Operatioun während der Gerätpreparatioun erliichteren.
- Aner Parameteren: Spezifesch Parameteren wéi dënn, Resistivitéit an Doping Konzentratioun kann no Client Ufuerderunge ugepasst ginn.
Mat hiren superieure Materialeigenschaften a verschiddenen Uwendungen, 6-Zoll Saphir Substratwafers sinn eng zouverlässeg Wiel fir d'Entwécklung vun High-Performance Hallefleitgeräter a verschiddenen Industrien.
| Substrat | 6" 1mm <111> p-Typ Si | 6" 1mm <111> p-Typ Si |
| Epi Déck Avg | ~5 um | ~7 um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Béi | +/- 45 um | +/- 45 um |
| Knacken | <5 mm | <5 mm |
| Vertikal BV | >1000V | > 1400 V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT ThickAvg | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Insitu SiN Cap | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2DEG konc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilitéit | ~2000 cm2/Vs (<2%) | ~2000 cm2/Vs (<2%) |
| Rsch | <330 ohm/sq (<2%) | <330 ohm/sq (<2%) |
Detailléiert Diagramm
