150mm 200mm 6Zoll 8Zoll GaN op Silizium Epi-Layer Wafer Galliumnitrid epitaktesch Wafer
Fabrikatiounsmethod
De Fabrikatiounsprozess besteet doran, GaN-Schichten op engem Saphirsubstrat ze wuessen, andeems fortgeschratt Technike wéi metallorganesch chemesch Dampfdepositioun (MOCVD) oder molekulare Strale-Epitaxie (MBE) benotzt ginn. Den Depositiounsprozess gëtt ënner kontrolléierte Konditioune duerchgefouert, fir eng héich Kristallqualitéit an en eenheetleche Film ze garantéieren.
6-Zoll GaN-Op-Saphir Uwendungen: 6-Zoll Saphir-Substratchips gi wäit verbreet a Mikrowellenkommunikatioun, Radarsystemer, drahtloser Technologie an Optoelektronik benotzt.
E puer üblech Uwendungen enthalen
1. HF-Leeschtungsverstärker
2. LED Beliichtungsindustrie
3. Kabellos Netzwierkkommunikatiounsausrüstung
4. Elektronesch Apparater an enger Ëmwelt mat héijer Temperatur
5. Optoelektronesch Apparater
Produktspezifikatiounen
- Gréisst: Den Duerchmiesser vum Substrat ass 6 Zoll (ongeféier 150 mm).
- Uewerflächenqualitéit: D'Uewerfläch gouf fein poléiert fir eng exzellent Spigelqualitéit ze bidden.
- Déckt: D'Déckt vun der GaN-Schicht kann no spezifesche Bedierfnesser personaliséiert ginn.
- Verpackung: De Substrat ass virsiichteg mat antistatischem Material verpackt, fir Schied beim Transport ze vermeiden.
- Positionéierungskanten: De Substrat huet spezifesch Positionéierungskanten, déi d'Ausriichtung an de Betrib während der Virbereedung vum Apparat erliichteren.
- Aner Parameteren: Spezifesch Parameteren wéi Dënnheet, Widderstand an Dotierungskonzentratioun kënnen no de Bedierfnesser vum Client ugepasst ginn.
Mat hiren iwwerleeëne Materialeigenschaften a verschiddenen Uwendungen sinn 6-Zoll Saphir-Substratwaferen eng zouverlässeg Wiel fir d'Entwécklung vun héichperformante Hallefleiterkomponenten a verschiddenen Industrien.
| Substrat | 6” 1mm <111> p-Typ Si | 6” 1mm <111> p-Typ Si |
| Epi Déck Duerchschnëtt | ~5µm | ~7µm |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Béi | +/-45µm | +/-45µm |
| Rëssbildung | <5mm | <5mm |
| Vertikal BV | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Déckduerchschnëttlech | 20-30nm | 20-30nm |
| Insitu SiN Deckel | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG Konzentratioun | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilitéit | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330 Ohm/Quadrat (<2%) | <330 Ohm/Quadrat (<2%) |
Detailéiert Diagramm
