12 Zoll Duerchmiesser 300x1,0 mmt Saphir Wafer Substrat C-Plane SSP/DSP

Kuerz Beschreiwung:

Mat der Entwécklung vun der Wëssenschaft an der Technologie goufen nei Ufuerderungen un d'Gréisst a Qualitéit vu Saphirkristallmaterialien opgestallt. Mat der schneller Entwécklung vun der Hallefleederbeliichtung an aneren neien Uwendungen wiisst de Maart fir bëlleg, héichqualitativ a grouss Saphirkristaller dramatesch.


Produktdetailer

Produkt Tags

Maartsituatioun fir 12 Zoll Saphir-Substrater

Am Moment huet Saphir zwou Haaptanwendungen, eng ass de Substratmaterial, dat haaptsächlech LED-Substratmaterial ass, déi aner ass den Zifferblat, d'Aviatioun, d'Loftfaart, a speziell Fënstermaterial fir d'Produktioun.

Obwuel nieft Saphir och Siliziumcarbid, Silizium a Galliumnitrid als Substrate fir LEDs verfügbar sinn, ass d'Masseproduktioun wéinst de Käschten an e puer ongeléiste techneschen Engpässe nach ëmmer net méiglech. Saphirsubstrat duerch déi technesch Entwécklung an de leschte Joren, seng Gitteranpassung, elektresch Leetfäegkeet, mechanesch Eegeschaften, Wärmeleitfäegkeet an aner Eegeschafte goufen däitlech verbessert a gefördert, sou datt de Käschtevirdeel bedeitend ass, sou datt Saphir zum reifsten a stabilsten Substratmaterial an der LED-Industrie ginn ass, dat wäit verbreet um Maart ass, mat engem Maartundeel vu bis zu 90%.

Charakteristik vun engem 12 Zoll Saphir Wafer Substrat

1. Saphir-Substratoberflächen hunn eng extrem niddreg Partikelzuel, mat manner wéi 50 Partikelen vun 0,3 Mikrometer oder méi pro 2 Zoll am Gréisstberäich vun 2 bis 8 Zoll, an Haaptmetaller (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) ënner 2E10/cm2. Et gëtt erwaart, datt dat 12-Zoll-Basismaterial och dës Qualitéit erreecht.
2. Kann als Trägerwafer fir de 12-Zoll-Hallefleederherstellungsprozess (In-Device Transportpaletten) an als Substrat fir d'Bindung benotzt ginn.
3. Kann d'Form vun der konkaver a konvexer Uewerfläch kontrolléieren.
Material: Héichreinheets-Eenkristall Al2O3, Saphirwafer.
LED-Qualitéit, keng Blasen, Rëss, Zwillingen, Linn, keng Faarf...etc.

12 Zoll Saphirwaferen

Orientéierung C-Fläch<0001> +/- 1 Grad.
Duerchmiesser 300,0 +/-0,25 mm
Déckt 1,0 +/-25µm
Kerb Notch oder flaach
TTV <50µm
BOU <50µm
Kanten Protective Fase
Front Säit – poléiert 80/50 
Lasermarkéierung Keen
Verpackung Eenzel Wafer-Tragkëscht
Front Säit Epi-ready poléiert (Ra <0,3nm) 
Récksäit Epi-ready poléiert (Ra <0,3nm) 

Detailéiert Diagramm

12 Zoll Saphir Wafer C-Plane SSP
12 Zoll Saphir Wafer C-Plane SSP1

  • Virdrun:
  • Weider:

  • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis