100mm 4Zoll GaN op Saphir Epi-Layer Wafer Galliumnitrid epitaktesch Wafer

(1) Bei héijer Temperatur baken, gëtt de Saphirsubstrat fir d'éischt op 1050 ℃ an enger Waasserstoffatmosphär erhëtzt, fir d'Uewerfläch vum Substrat ze botzen;

(2) Wann d'Substrattemperatur op 510 ℃ fällt, gëtt eng GaN/AlN-Pufferschicht mat enger Déckt vun 30 nm bei niddreger Temperatur op der Uewerfläch vum Saphirsubstrat ofgesat;

(3) Wann d'Temperatur op 10 ℃ eropgeet, ginn d'Reaktiounsgas Ammoniak, Trimethylgallium a Silan injizéiert, déi entspriechend Duerchflussquote kontrolléiert, an den N-Typ GaN mat Siliziumdotierung mat enger Déckt vu 4µm gëtt ugebaut;

(4) D'Reaktiounsgas aus Trimethylaluminium an Trimethylgallium gouf benotzt fir Silizium-dotiert N-Typ A⒑ Kontinenter mat enger Déckt vun 0,15 µm ze preparéieren;

(5) 50nm Zn-dotiert InGaN gouf hiergestallt andeems Trimethylgallium, Trimethylindium, Diethylzink an Ammoniak bei enger Temperatur vun 800℃ injizéiert goufen an ënnerschiddlech Duerchflussraten jeeweileg kontrolléiert goufen;

(6) D'Temperatur gouf op 1020 ℃ erhéicht, Trimethylaluminium, Trimethylgallium a Bis(cyclopentadienyl)magnesium goufen injizéiert fir 0,15 µm Mg dotiert P-Typ AlGaN an 0,5 µm Mg dotiert P-Typ G Bluttzocker ze preparéieren;

(7) E qualitativ héichwäertege P-Typ GaN Sibuyan-Film gouf duerch Glühen an enger Stéckstoffatmosphär bei 700 ℃ kritt;

(8) Ätzung op der P-Typ G-Stasisfläch fir d'N-Typ G-Stasisfläch ze weisen;

(9) Verdampfung vun Ni/Au-Kontaktplacken op der p-GaNI-Uewerfläch, Verdampfung vun △/Al-Kontaktplacken op der ll-GaN-Uewerfläch fir Elektroden ze bilden.