100mm 4inch GaN op Saphir Epi-Layer wafer Gallium Nitride epitaxial wafer

(1) Héichtemperatur Baken, Saphir Substrat gëtt fir d'éischt op 1050 ℃ an enger Waasserstoffatmosphär erhëtzt, den Zweck ass d'Substratfläch ze botzen;

(2) Wann d'Substrattemperatur op 510 ℃ fällt, gëtt eng niddreg Temperatur GaN / AlN Pufferschicht mat enger Dicke vun 30nm op der Uewerfläch vum Saphirsubstrat deposéiert;

(3) Temperaturerhéijung op 10 ℃, de Reaktiounsgas Ammoniak, Trimethylgallium a Silan ginn injizéiert, respektiv kontrolléiert de entspriechende Flowrate, an de Silizium-dotéierte N-Typ GaN vu 4um Dicke gëtt ugebaut;

(4) De Reaktiounsgas vun Trimethylaluminium an Trimethylgallium gouf benotzt fir Silizium-dotéiert N-Typ A⒑ Kontinenter mat enger Dicke vun 0,15um ze preparéieren;

(5) 50nm Zn-dotéiert InGaN gouf virbereet andeems Trimethylgallium, Trimethylindium, Diethylzinc an Ammoniak bei enger Temperatur vun 8O0 ℃ sprëtzen a kontrolléiert verschidde Flowraten respektiv;

(6) D'Temperatur gouf op 1020 ℃ erhéicht, Trimethylaluminium, Trimethylgallium a Bis (cyclopentadienyl) Magnesium goufen injizéiert fir 0.15um Mg dotéiert P-Typ AlGaN an 0.5um Mg dotéiert P-Typ G Bluttzocker ze preparéieren;

(7) Héich Qualitéit P-Typ GaN Sibuyan Film gouf duerch annealing an Stéckstoff Atmosphär bei 700 ℃ kritt;

(8) Ätzen op der P-Typ G Stasis Uewerfläch fir d'N-Typ G Stasis Uewerfläch z'entdecken;

(9) Evaporatioun vun Ni / Au Kontakt Placke op p-GaNI Uewerfläch, Verdampfung vun △ / Al Kontakt Placke op ll-GaN Uewerfläch fir eng Form Elektroden.