English

Wafer-Orientéierungssystem fir Kristallorientéierungsmiessung

Wafer-Orientéierungssystem fir d'Miessung vun der Kristallorientéierung (Ausgewielt Bild)
  • Wafer-Orientéierungssystem fir Kristallorientéierungsmiessung
  • Wafer-Orientéierungssystem fir Kristallorientéierungsmiessung
  • Wafer-Orientéierungssystem fir Kristallorientéierungsmiessung
  • Wafer-Orientéierungssystem fir Kristallorientéierungsmiessung

Kuerz Beschreiwung:

En Wafer-Orientéierungsinstrument ass en héichpräzisen Apparat, deen d'Prinzipie vun der Röntgendiffraktioun benotzt, fir d'Produktioun vu Hallefleeder a Materialwëssenschaftsprozesser ze optimiséieren, andeems kristallografesch Orientéierunge bestëmmt ginn. Seng Kärkomponenten enthalen eng Röntgenquell (z.B. Cu-Kα, 0,154 nm Wellelängt), e Präzisiounsgoniometer (Wénkelausléisung ≤0,001°) an Detektoren (CCD- oder Szintillatiounszähler). Duerch d'Rotatioun vu Proben an d'Analyse vun Diffraktiounsmuster berechent et kristallografesch Indizes (z.B. 100, 111) an den Ofstand vu Gitter mat enger Genauegkeet vu ±30 Bousekonnen. De System ënnerstëtzt automatiséiert Operatiounen, Vakuumfixatioun a Multiachsrotatioun, kompatibel mat 2-8-Zoll-Waferen fir séier Miessunge vu Waferkanten, Referenzflächen an epitaktesch Schichtausriichtung. Schlësselapplikatioune sinn d'Validatioun vun der schneidorientéierter Siliziumkarbid, Saphirwaferen an d'Validatioun vun der Héichtemperaturleistung vun Turbinenblieder, wat direkt d'elektresch Eegeschafte vum Chip an den Ausbezuelungsrendement verbessert.


Fonctiounen

Aféierung an d'Ausrüstung

Wafer-Orientéierungsinstrumenter si Präzisiounsapparater, déi op de Prinzipie vun der Röntgendiffraktioun (XRD) baséieren, a virun allem an der Hallefleederproduktioun, optesche Materialien, Keramik an aner kristallin Materialindustrien agesat ginn.

Dës Instrumenter bestëmmen d'Orientéierung vum Kristallgitter a leeden präzis Schnëtt- oder Polierprozesser. Schlësselmerkmale sinn:

  • Héichpräzis Miessunge:Fäeg fir kristallographesch Ebenen mat Winkelopléisunge bis zu 0,001° opzeléisen.
  • Kompatibilitéit mat grousse Proufen:Ënnerstëtzt Waferen bis zu engem Duerchmiesser vu 450 mm a Gewiichter vun 30 kg, gëeegent fir Materialien wéi Siliziumcarbid (SiC), Saphir a Silizium (Si).
  • Modulares Design:Erweiterbar Funktionalitéite enthalen d'Analyse vu Schaukelkurven, d'3D-Uewerflächendefektkartéierung a Stapelapparater fir d'Veraarbechtung vu verschiddene Proben.

Schlëssel technesch Parameteren

Parameterkategorie

Typesch Wäerter/Konfiguratioun

Röntgenquell

Cu-Kα (0,4×1 mm Brennpunkt), 30 kV Beschleunigungsspannung, 0–5 mA justierbare Röhrenstroum

​​Wénkelberäich​​

θ: -10° bis +50°; 2θ: -10° bis +100°

Genauegkeet

Opléisung vum Kippwénkel: 0,001°, Detektioun vun Uewerflächendefekter: ±30 Bousekonnen (Schaukelkurve)

Scangeschwindegkeet

Den Omega-Scan mécht déi komplett Gitterorientéierung a 5 Sekonnen fäerdeg; den Theta-Scan dauert ~1 Minutt

Beispillphase

V-Nut, pneumatesch Saugkraaft, Multi-Wénkel-Rotatioun, kompatibel mat 2–8-Zoll-Waferen

​​Erweiterbar Funktiounen​​

Analyse vun der Schwéngkurve, 3D-Mapping, Stapelvorrichtung, Detektioun vun opteschen Defekter (Kratzer, GBs)

Aarbechtsprinzip

1. Röntgendiffraktiounsfondatioun

  • Röntgenstrale interagéiere mat Atomkären an Elektronen am Kristallgitter a generéieren Diffraktiounsmuster. D'Bragg-Gesetz (nλ = 2d sinθ) regelt d'Bezéiung tëscht Diffraktiounswénkelen (θ) an dem Gitterofstand (d).
    Detektoren erfassen dës Mustere, déi analyséiert ginn, fir d'kristallographesch Struktur ze rekonstruéieren.

2. Omega Scantechnologie

  • De Kristall rotéiert sech kontinuéierlech ëm eng fix Achs, während Röntgenstrahlen en beliichten.
  • Detektoren sammelen Diffraktiounssignaler iwwer verschidde kristallographesch Ebenen, wat eng komplett Gitterorientéierungsbestëmmung a 5 Sekonnen erméiglecht.

3. ​​Analyse vun der Schwéngkurve

  • Fixe Kristallwénkel mat variéierende Röntgeninvalswénkelen fir d'Peakbreed (FWHM) ze moossen, Gitterdefekter a Verspannung ze bewäerten.

4. Automatiséiert Kontroll

  • PLC- an Touchscreen-Schnittstellen erméiglechen virdefinéiert Schnëttwénkelen, Echtzäit-Feedback an Integratioun mat Schnëttmaschinne fir eng zougemaachte Kontroll.

Wafer Orientéierungsinstrument 7

Virdeeler a Funktiounen

1. Präzisioun an Effizienz

  • Winkelgenauegkeet ±0,001°, Opléisung vun der Defektdetektioun <30 Bousekonnen.
  • D'Omega-Scangeschwindegkeet ass 200x méi séier wéi bei traditionellen Theta-Scans.

2. Modularitéit a Skalierbarkeet

  • Erweiterbar fir spezialiséiert Uwendungen (z.B. SiC-Waferen, Turbinnebladen).
  • Integréiert mat MES-Systemer fir Echtzäit-Produktiounsiwwerwaachung.

3. Kompatibilitéit a Stabilitéit

  • Hëlt fir onregelméisseg geformt Proben (z.B. gebrochene Saphirbarren).
  • Loftgekillte Konstruktioun reduzéiert den Ënnerhaltsbedarf.

4. Intelligent Operatioun

  • Kalibrierung mat engem Klick a Multitasking-Veraarbechtung.
  • Automatesch Kalibrierung mat Referenzkristaller fir mënschlech Feeler ze minimiséieren.

Wafer Orientéierungsinstrument 5-5

Uwendungen

1. Produktioun vun Hallefleiter

  • ​​Wafer-Würfelorientéierung: Bestëmmt d'Orientéierunge vu Si-, SiC- a GaN-Wafer fir eng optiméiert Schnëtteffizienz.
  • Defektkartéierung: Identifizéiert Uewerflächenkratzer oder Verrécklungen fir de Spanertrag ze verbesseren.

2. Optesch Materialien

  • Netlinear Kristaller (z.B. LBO, BBO) fir Laserapparater.
  • Saphirwafer-Referenzoberflächenmarkéierung fir LED-Substrater.

3. Keramik a Kompositmaterialien

  • Analyséiert d'Kärenorientéierung a Si3N4 an ZrO2 fir Héichtemperaturapplikatiounen.

4. Fuerschung a Qualitéitskontroll

  • Universitéiten/Labore fir d'Entwécklung vun neien Materialien (z.B. Legierungen mat héijer Entropie).
  • Industriell QC fir d'Konsistenz vu Batchen ze garantéieren.

D'Servicer vun XKH

XKH bitt ëmfaassend technesch Ënnerstëtzung fir Wafer-Orientéierungsinstrumenter am ganze Liewenszyklus, dorënner Installatioun, Prozessparameteroptimiséierung, Schwéngkurvenanalyse a 3D-Uewerflächendefektkartéierung. Moossgeschneidert Léisungen (z.B. Ingot-Stacking-Technologie) gi geliwwert, fir d'Effizienz vun der Produktioun vu Hallefleeder- an optesche Materialien ëm iwwer 30% ze verbesseren. En engagéierten Team féiert Training virun Ort duerch, während 24/7 Fernsupport a séieren Ersatzdeeleraustausch d'Zouverlässegkeet vun der Ausrüstung garantéieren.

  • Virdrun:
  • Weider:

    • Verwandte Produkter

    Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis
    Dréckt Enter fir ze sichen oder ESC fir zouzemaachen