Ultra-Prezisiouns SiC Loftlagerstufe

Kuerz Beschreiwung:

Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vun der Hallefleederindustrie fuerderen d'Veraarbechtungs- an Inspektiounsausrüstung ëmmer méi héich Leeschtung. Op Basis vun extensiver Expertise a Bewegungssteierung a Positionéierung op Nanometerniveau hu mir eng planar H-Typ Duebelachs-Ultrapräzis-Loftlagerstufe entwéckelt.


Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

1_副本
4_副本

Iwwersiicht

Mat der kontinuéierlecher Entwécklung vun der Hallefleederindustrie fuerderen d'Veraarbechtungs- an Inspektiounsausrüstung ëmmer méi héich Leeschtung. Op Basis vun extensiver Expertise a Bewegungssteierung a Positionéierung op Nanometerniveau hu mir eng planar H-Typ Duebelachs-Ultrapräzis-Loftlagerstufe entwéckelt.

Mat enger fir Finite-Elementer optiméierter Siliziumkarbid (SiC) Keramikstruktur an kompenséierter Loftlagertechnologie entwéckelt, liwwert d'Bühn aussergewéinlech Genauegkeet, Steifheet an dynamesch Reaktioun. Si ass ideal geegent fir:

  • Halbleiterveraarbechtung an Inspektioun
    Mikro-/Nanofabrikatioun a Metrologie
    Nanometer-Skala Mécken schneiden a poléieren
    Héichgeschwindegkeetspräzisiounsscannen

Schlësselmerkmale

  • SiC Loftlagerführungsschinnfir ultrahéich Steifheet a Präzisioun

  • Héich DynamikGeschwindegkeet bis zu 1 m/s, Beschleunigung bis zu 4 g, séier Ofsenkung

  • Duebelundriffsportal Y-Achsgarantéiert eng héich Ladekapazitéit a Stabilitéit

  • Encoderoptiounenoptescht Gitter oder Laserinterferometer

  • Positionéierungsgenauegkeet: ±0,15 μm;Widderhuelbarkeet±75 nm

  • Optimiséiert Kabelféierungfir proppert Design a laangfristeg Zouverlässegkeet

  • Personaliséierbar Konfiguratiounenfir applikatiounsspezifesch Bedierfnesser

Ultrapräzis Design & direktundriff, kontaktlos Architektur

  • SiC Keramikrahmen~5x d'Steifheet vun enger Aluminiumlegierung an ~5x méi niddreg thermesch Ausdehnung, wat Héichgeschwindegkeetsstabilitéit an thermesch Robustheet garantéiert.

  • Kompenséiert LoftlagerProprietär Design verbessert Steifheet, Belaaschtungskapazitéit a Bewegungsstabilitéit.

  • Dynamesch LeeschtungËnnerstëtzt eng Geschwindegkeet vun 1 m/s an eng Beschleunigung vun 4 g, ideal fir Prozesser mat héijem Duerchgank.

  • Nahtlos IntegratiounKompatibel mat Schwéngungsisolatiounssystemer, Rotatiounsstänn, Kippmoduler a Wafer-Handhabungsplattformen.

  • KabelmanagementKontrolléierte Biegradius miniméiert Spannung fir eng verlängert Liewensdauer.

 

  • Kärlos LinearmotorReibungslos Bewegung ouni Zännkraaft.

  • Multi-Motor UndriffD'Placement vum Motor am Laaschtplang verbessert d'Riichtheet, d'Flaachheet an d'Wénkelpräzisioun.

  • Thermesch IsolatiounMotore sinn vun der Bünestruktur isoléiert; optional Loft- oder Waasserkillung fir héich Ladezyklen.

Spezifikatiounen

Modell 400-400 500-500 600-600
Äxten X (Scannen) / Y (Schrëtt) X (Scannen) / Y (Schrëtt) X (Scannen) / Y (Schrëtt)
Rees (mm) 400 / 400 500 / 500 600 / 600
Genauegkeet (μm) ±0,15 ±0,2 ±0,2
Widderhuelbarkeet (nm) ±75 ±100 ±100
Opléisung (nm) 0,3 0,3 0,3
Maximal Geschwindegkeet (m/s) 1 1 1
Beschleunigung (g) 4 4 4
Geriichtheet (μm) ±0,2 ±0,3 ±0,4
Stabilitéit (nm) ±5 ±5 ±5
Maximal Belaaschtung (kg) 20 20 20
Pitch/Rolling/Yaw (Bousekonn) ±1 ±1 ±1

 

Testbedingungen:

  • Loftzoufuhr: propper, dréchen; Taupunkt ≤ 0°F; Partikelfiltratioun ≤ 0,25 μm; oder 99,99% Stéckstoff.

  • Genauegkeet gemooss 25 mm iwwer dem Zentrum vum Bühn bei 20±1 °C, 40–60% relative Fiichtegkeet.

 

Uwendungen

  • Hallefleiterlithographie, Inspektioun a Waferbehandlung

  • Mikro-/Nanofabrikatioun a Präzisiounsmetrologie

  • Produktioun vun héichwäertege Optiken an Interferometrie

  • Loftfaart a fortgeschratt wëssenschaftlech Fuerschung

FAQ – Siliziumkarbid-Loftlagerstufe

1. Wat ass eng Loftlagerstuf?

Eng Loftdréierbühn benotzt en dënnen Drockluftfilm tëscht der Bühn an der Féierungsbunn fir d'Loftdicht ze garantéieren.reibungslos, verschleissfräi an ultra-glat BewegungAm Géigesaz zu konventionelle mechanesche Lager eliminéiert et Stick-Slip, liwwert eng Genauegkeet op Nanometerniveau a garantéiert eng laangfristeg Zouverlässegkeet.


2. Firwat soll Siliziumkarbid (SiC) fir d'Bünestruktur benotzt ginn?

  • Héich Steifheet~5× vun där vun enger Aluminiumlegierung, wouduerch d'Deformatioun während dynamescher Bewegung miniméiert gëtt.

  • Niddreg thermesch Expansioun~5× méi niddreg wéi Aluminium, wouduerch d'Genauegkeet och bei Temperaturschwankungen erhale bleift.

  • LiichtgewiichtMéi niddreg Dicht am Verglach mat Stol, wat e Betrib mat héijer Geschwindegkeet a héijer Beschleunigung erméiglecht.

  • Excellent StabilitéitIwwerleeën Dämpfung a Steifheet fir ultra-präzis Positionéierung.


3. Braucht d'Bühn Schmierung oder Ënnerhalt?

Kee traditionellt Schmiermëttel ass néideg, well et gëttkee mechanesche KontaktRecommandéiert Ënnerhalt ëmfaasst:

  • Liwwerungpropper, dréchen Drockloft oder Stéckstoff

  • Periodesch Inspektioun vu Filteren an Trockner

  • Iwwerwaachungskabelen a Killsystemer


4. Wat sinn d'Ufuerderunge fir d'Loftversuergung?

  • Taupunkt: ≤ 0 °F (≈ –18 °C)

  • Partikelfiltratioun: ≤ 0,25 μm

  • Propper, dréchen Loft oder 99,99% pure Stéckstoff

  • Stabilen Drock mat minimale Schwankungen

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.

456789

  • Virdrun:
  • Weider:

  • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis