Substrat
-
N-Typ SiC op Si Kompositsubstrater Duerchmiesser 6 Zoll
-
SiC-Substrat Dia200mm 4H-N an HPSI Siliziumkarbid
-
3 Zoll SiC-Substrat Produktiounsdiameter 76,2 mm 4H-N
-
SiC-Substrat P- an D-Klass Duerchmiesser 50 mm 4H-N 2 Zoll
-
TGV Glassubstrater 12 Zoll Wafer Glasstanz
-
SiC-Barren 4H-N Typ Dummy-Qualitéit 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Déckt: >10 mm
-
4 Zoll SiC Epi-Wafer fir MOS oder SBD
-
2 Zoll SiC-Barren Duerchmiesser 50,8 mm x 10 mm 4H-N Monokristall
-
6 Zoll SiC Epitaxie Wafer N/P Typ akzeptéiert personaliséiert
-
Siliziumdioxid-Wafer SiO2-Wafer déck poléiert, Prime- a Testqualitéit
-
FZ CZ Si Wafer op Lager 12 Zoll Siliziumwafer Prime oder Test
-
8 Zoll Siliziumwafer P/N-Typ (100) 1-100Ω Dummy-Recyclingsubstrat