Substrat
-
SiC-Substrat P-Typ 4H/6H-P 3C-N 4 Zoll mat enger Déckt vun 350µm Produktiounsqualitéit Dummy-Qualitéit
-
4H/6H-P 6 Zoll SiC Wafer Null MPD Qualitéit Produktiounsqualitéit Dummy Qualitéit
-
P-Typ SiC Wafer 4H/6H-P 3C-N 6 Zoll Déckt 350 μm mat primärer flaacher Orientéierung
-
TVG-Verfahren op Quarz-Saphir BF33-Wafer Glaswafer-Stanzen
-
Eenkristall Siliziumwafer Si Substrat Typ N/P Optional Siliziumcarbidwafer
-
N-Typ SiC Kompositsubstrater Dia6 Zoll Héichqualitativt monokristallint a Substrat vun niddereger Qualitéit
-
Hallefisoléierend SiC op Si-Kompositsubstrater
-
Hallefisoléierend SiC-Kompositsubstrater Diameter 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll 8 Zoll HPSI
-
Synthetische Saphir Boule Monokristall Saphir Blank Duerchmiesser a Dicke kënnen personaliséiert ginn
-
N-Typ SiC op Si Kompositsubstrater Duerchmiesser 6 Zoll
-
SiC-Substrat Dia200mm 4H-N an HPSI Siliziumkarbid
-
3 Zoll SiC-Substrat Produktiounsdiameter 76,2 mm 4H-N