Substrat
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
Saphirbarre 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Monokristall CZ KY Method personaliséierbar
-
2 Zoll Sic Siliziumcarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm duebelsäiteg Polieren Héich Wärmeleitfäegkeet Niddrege Stroumverbrauch
-
GaAs Héichleistungs-Epitaxial-Wafer-Substrat Galliumarsenid-Wafer-Leistungslaserwellenlängt 905nm fir Lasermedizinesch Behandlung
-
GaAs Laser epitaktesch Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL vertikal Kavitéit Uewerflächenemissiounslaser Wellelängt 940nm eenzel Verbindung
-
2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP epitaktesch Wafer-Substrat APD Liichtdetektor fir Glasfaserkommunikatioun oder LiDAR
-
Saphirring aus syntheteschem Saphirmaterial Transparent an personaliséierbar Mohs-Härke vun 9
-
Saphirprisma Saphirlëns Héich Transparenz Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Material Optescht Instrument
-
Saphirring ganz aus Saphir gemaach transparent Saphirmaterial am Laboratoire hiergestallt
-
Saphirbarre Duerchmiesser 4 Zoll × 80 mm Monokristallin Al2O3 99,999% Eenkristall
-
SiC-Substrat 3 Zoll 350µm Déckt HPSI Typ Prime Grade Dummy Grade
-
Siliziumkarbid SiC Ingots 6 Zoll N Typ Dummy/Prime Grade Déckt kann personaliséiert ginn