Substrat
-
Saphir Kugellëns, optesch Qualitéit Al2O3 Material, Transmissiounsberäich 0,15-5,5µm, Duerchmiesser 1mm 1,5mm
-
Saphirkugel Dia 1.0 1.1 1.5 fir optesch Kugellëns héichhärteg Eenzelkristall
-
Saphir Diameter faarweg Saphir Diameter fir Auer, personaliséierbaren Diameter 40 38mm Déckt 350µm 550µm, héich transparent
-
InSb Wafer 2 Zoll 3 Zoll ondotéiert Ntyp P Typ Orientéierung 111 100 fir Infraroutdetektoren
-
Indium Antimonid (InSb) Waferen N Typ P Typ Epi Ready ondotéiert Te dotiert oder Ge dotiert 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll Déckt Indium Antimonid (InSb) Waferen
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H-semi 6H-semi 4H-P 6H-P 3C Typ 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch
-
Saphirbarre 3 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Monokristall CZ KY Method personaliséierbar
-
2 Zoll Sic Siliziumcarbid-Substrat 6H-N Typ 0,33 mm 0,43 mm duebelsäiteg Polieren Héich Wärmeleitfäegkeet Niddrege Stroumverbrauch
-
GaAs Héichleistungs-Epitaxial-Wafer-Substrat Galliumarsenid-Wafer-Leistungslaserwellenlängt 905nm fir Lasermedizinesch Behandlung
-
GaAs Laser epitaktesch Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL vertikal Kavitéit Uewerflächenemissiounslaser Wellelängt 940nm eenzel Verbindung
-
2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP epitaktesch Wafer-Substrat APD Liichtdetektor fir Glasfaserkommunikatioun oder LiDAR
-
Saphirring aus syntheteschem Saphirmaterial Transparent an personaliséierbar Mohs-Härke vun 9