Substrat
-
8 Zoll 200 mm Siliziumcarbid SiC Waferen Typ 4H-N Produktiounsqualitéit 500µm Déckt
-
2 Zoll 6H-N Siliziumcarbid-Substrat Sic Wafer Duebelpoléiert Leetfäeg Prime Grad Mos Grad
-
3 Zoll héichreine (ondotéiert) Siliziumcarbidwaferen hallefisoléierend Sic-Substrater (HPSl)
-
Saphir dia Eenzelkristall, héichhärtete Morhs 9 kratzfest personaliséierbar
-
Gemustert Saphir-Substrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP Drécheätzung kann fir LED-Chips benotzt ginn
-
2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Gemustert Saphir Substrat (PSS), op deem GaN Material ugebaut gëtt, kann fir LED Beliichtung benotzt ginn
-
Au-beschichtete Wafer, Saphirwafer, Siliziumwafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtete Déckt 10 nm, 50 nm, 100 nm
-
Goldplack Siliziumwafer (Si Wafer) 10nm 50nm 100nm 500nm Au Excellent Konduktivitéit fir LED
-
Goldbeschichtete Siliziumwaferen 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Goldschichtdicke: 50 nm (± 5 nm) oder personaliséiert Beschichtungsfilm Au, 99,999% Rengheet
-
AlN-op-NPSS-Wafer: Héichleistungs-Aluminiumnitridschicht op net-poléiertem Saphirsubstrat fir Héichtemperatur-, Héichleistungs- an RF-Uwendungen
-
AlN op FSS 2 Zoll 4 Zoll NPSS/FSS AlN Schabloun fir Hallefleederberäich
-
Galliumnitrid (GaN) epitaktesch ugebaut op Saphirwaferen 4 Zoll 6 Zoll fir MEMS