Substrat
-
SiC-Substrat SiC Epi-Wafer-Konduktiv/Halbtyp 4 6 8 Zoll
-
SiC Epitaxialwafer fir Stroumversuergungsapparater – 4H-SiC, N-Typ, niddreg Defektdicht
-
4H-N Typ SiC epitaxial Wafer Héichspannung Héichfrequenz
-
8 Zoll LNOI (LiNbO3 op Isolator) Wafer fir optesch Modulatoren, Wellenleiter, integréiert Schaltungen
-
LNOI Wafer (Lithium Niobat op Isolator) Telekommunikatiounsdetektioun Héich elektrooptesch
-
3 Zoll héichreine (ondotéiert) Siliziumcarbidwaferen hallefisoléierend Sic-Substrater (HPSl)
-
4H-N 8 Zoll SiC Substratwafer Siliziumkarbid Dummy Fuerschungsgrad 500µm Déckt
-
Saphir dia Eenzelkristall, héichhärtete Morhs 9 kratzfest personaliséierbar
-
Gemustert Saphir-Substrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP Drécheätzung kann fir LED-Chips benotzt ginn
-
2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Gemustert Saphir Substrat (PSS), op deem GaN Material ugebaut gëtt, kann fir LED Beliichtung benotzt ginn
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch Produktioun Dummy Grade Dia 150mm Siliziumkarbidsubstrat
-
Au-beschichtete Wafer, Saphirwafer, Siliziumwafer, SiC-Wafer, 2 Zoll, 4 Zoll, 6 Zoll, Goldbeschichtete Déckt 10 nm, 50 nm, 100 nm