Substrat
-
2 Zoll 6H-N Silicon Carbide Substrat Sic Wafer Double Polished Conductive Prime Grade Mos Grade
-
SiC Silicon Carbide wafer SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI (High Purity Semi-Isolating) 4H/6H-P 3C -n Typ 2 3 4 6 8inch verfügbar
-
Saphir Ingot 3inch 4inch 6inch Monocrystal CZ KY Method Customizable
-
Saphirring aus syntheteschen Saphirmaterial Transparent a personaliséierbar Mohs Hardness vun 9
-
2 Zoll Sic Silicon Carbide Substrat 6H-N Typ 0.33mm 0.43mm Duebelsäiteg poléieren Héich Wärmekonduktivitéit niddereg Stroumverbrauch
-
GaAs High-Power Epitaxial Wafer Substrat Gallium Arsenide Wafer Power Laser Wellelängt 905nm fir Laser medizinesch Behandlung
-
GaAs Laser Epitaxial Wafer 4 Zoll 6 Zoll VCSEL Vertikal Kavitéit Surface Emissioun Laser Wellelängt 940nm Single Junction
-
2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll InP epitaxial Wafer Substrat APD Liichtdetektor fir Glasfaser Kommunikatioun oder LiDAR
-
Saphirring All-Saphirring ganz aus Saphir gemaach Transparent Labo-feieren Saphir Material
-
Saphir Ingot Ø 4 Zoll × 80 mm Monokristallin Al2O3 99.999% Eenkristall
-
Saphir Prism Saphir Lens Héich Transparenz Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Material Optesch Instrument
-
SiC Substrat 3 Zoll 350um Dicke HPSI Typ Prime Grade Dummy Grad