Substrat
-
Saphir Wafer Blank Héichreinheets Rohsaphir Substrat fir d'Veraarbechtung
-
Saphir Quadrat-Saatkristall – Präzisiounsorientéiert Substrat fir synthetescht Saphirwuesstum
-
Siliziumkarbid (SiC) Eenkristallsubstrat – 10×10mm Wafer
-
4H-N HPSI SiC Wafer 6H-N 6H-P 3C-N SiC Epitakzialwafer fir MOS oder SBD
-
SiC Epitaxialwafer fir Stroumversuergungsapparater – 4H-SiC, N-Typ, niddreg Defektdicht
-
4H-N Typ SiC epitaxial Wafer Héichspannung Héichfrequenz
-
8 Zoll LNOI (LiNbO3 op Isolator) Wafer fir optesch Modulatoren, Wellenleiter, integréiert Schaltungen
-
LNOI Wafer (Lithium Niobat op Isolator) Telekommunikatiounsdetektioun Héich elektrooptesch
-
3 Zoll héichreine (ondotéiert) Siliziumcarbidwaferen hallefisoléierend Sic-Substrater (HPSl)
-
4H-N 8 Zoll SiC Substratwafer Siliziumkarbid Dummy Fuerschungsgrad 500µm Déckt
-
Saphir dia Eenzelkristall, héichhärtete Morhs 9 kratzfest personaliséierbar
-
Gemustert Saphir-Substrat PSS 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll ICP Drécheätzung kann fir LED-Chips benotzt ginn