SOI Wafer Isolator op Silicon 8-Zoll a 6-Zoll SOI (Silicon-On-Insulator) Wafers

SOI Wafer Isolator op Silicon 8-Zoll a 6-Zoll SOI (Silicon-On-Isolator) Wafers Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

De Silicon-On-Insulator (SOI) Wafer, besteet aus dräi verschidde Schichten, entsteet als Ecksteen am Räich vu Mikroelektronik a Radiofrequenz (RF) Uwendungen. Dësen Abstrakt erklärt déi pivotal Charakteristiken a verschidden Uwendungen vun dësem innovative Substrat.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Aféierung vun wafer Këscht

Déi iewescht Siliziumschicht, eng isoléierend Oxidschicht, an en ënneschten Siliziumsubstrat besteet, bitt den Dräi-Schicht SOI Wafer oniwwertraff Virdeeler an der Mikroelektronik a RF Domainen. Déi iewescht Siliziumschicht, mat héichqualitativen kristallinem Silizium, erliichtert d'Integratioun vu komplizéierten elektronesche Komponenten mat Präzisioun an Effizienz. Déi isoléierend Oxidschicht, virsiichteg konstruéiert fir parasitär Kapazitéit ze minimiséieren, verbessert d'Performance vum Gerät andeems se onerwënscht elektresch Stéierungen reduzéieren. Déi ënnescht Siliziumsubstrat bitt mechanesch Ënnerstëtzung a garantéiert Kompatibilitéit mat existente Siliziumveraarbechtungstechnologien.

An der Mikroelektronik déngt de SOI Wafer als Fundament fir d'Fabrikatioun vun fortgeschrattenen integréierte Circuiten (ICs) mat super Geschwindegkeet, Energieeffizienz an Zouverlässegkeet. Seng dräi-Schicht Architektur erméiglecht d'Entwécklung vu komplexe Hallefleitgeräter wéi CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) ICs, MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), a Kraaftapparater.

Am RF Domain weist de SOI Wafer bemierkenswäert Leeschtung am Design an Ëmsetzung vun RF Apparater a Systemer. Seng niddereg parasitär Kapazitéit, héich Decomptespannung, an exzellent Isolatiounseigenschaften maachen et en ideale Substrat fir RF Schalter, Verstärker, Filteren an aner RF Komponenten. Zousätzlech mécht d'SOI Wafer hir inherent Stralungstoleranz et gëeegent fir Raumfaart- a Verteidegungsapplikatiounen, wou Zouverlässegkeet an haarden Ëmfeld wichteg ass.

Ausserdeem verlängert d'Vielfalt vun der SOI Wafer op opkomende Technologien wéi photonesch integréiert Circuiten (PICs), wou d'Integratioun vun opteschen an elektronesche Komponenten op engem eenzege Substrat Verspriechen fir d'nächst Generatioun Telekommunikatioun an Datekommunikatiounssystemer hält.

Zesummegefaasst steet den Dräi-Schicht Silicon-On-Insulator (SOI) Wafer un der Spëtzt vun der Innovatioun an der Mikroelektronik a RF Uwendungen. Seng eenzegaarteg Architektur an aussergewéinlech Leeschtung Charakteristiken de Wee fir Fortschrëtter an verschiddenen Industrien, dreiwend Fortschrëtter an Formen d'Zukunft vun Technologie.