Silizium / Siliziumkarbid (SiC) Wafer Véierstufeg Verlinkt Polierautomatiséierungslinn (Integréiert Post-Polish Handling Linn)

Kuerz Beschreiwung:

Dës véierstufeg verlinkt Polierautomatiséierungslinn ass eng integréiert Inline-Léisung, déi fir ... entwéckelt goufPost-Polieren / Post-CMPOperatioune vunSiliziumanSiliziumkarbid (SiC)Waferen. Gebaut ronderëmKeramikträger (Keramikplacken), kombinéiert de System verschidde Aufgaben ënnen an eng koordinéiert Linn – wat de Fabriken hëlleft, de manuelle Ëmgang ze reduzéieren, d'Taktzäit ze stabiliséieren an d'Kontaminatiounskontroll ze stäerken.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Silizium / Siliziumkarbid (SiC) Wafer Véierstufeg Verlinkt Polierautomatiséierungslinn (Integréiert Post-Poléierungslinn)4

Iwwersiicht

An der Hallefleederproduktioun,effektiv Reinigung nom CMPgëtt allgemeng als e wichtege Schrëtt unerkannt fir Mängel virum nächste Prozess ze reduzéieren, an fortgeschratt Approchen (inklusivmegasonic Reinigung) ginn dacks diskutéiert fir d'Verbesserung vun der Partikelentfernungsleistung.

Besonnesch fir SiC, senghéich Häert a chemesch Inertitéitmaachen d'Poléieren usprochsvoll (dacks a Verbindung mat enger gerénger Materialabnahmequote an engem méi héije Risiko vu Schied un der Uewerfläch/Ënnerfläch), wat eng stabil Automatiséierung nom Poléieren an eng kontrolléiert Reinigung/Handhabung besonnesch wäertvoll mécht.

Silizium / Siliziumkarbid (SiC) Wafer Véierstufeg Verlinkt Polierautomatiséierungslinn (Integréiert Post-Polish Handling Linn)5

Silizium / Siliziumkarbid (SiC) Wafer Véierstufeg Verlinkt Polierautomatiséierungslinn (Integréiert Post-Polish Handling Linn)2

Schlësselvirdeeler

Eng eenzeg integréiert Linn déi ënnerstëtzt:

Wafertrennung a Kollektioun(nom Polieren)
Keramikträger-Pufferung / -Späicherung
Reinigung vu Keramikträger
Wafermontage (Pasting) op Keramikträger
Konsolidéiert, een-Linn Operatioun fir6–8 Zoll Waferen

Technesch Spezifikatiounen (aus dem geliwwerte Datenblat)

Ausrüstungsdimensiounen (L×B×H):13643 × 5030 × 2300 mm
Stroumversuergung:AC 380 V, 50 Hz
Gesamtleistung:119 kW
Montagepropperheet:0,5 μm < 50 Stéck; 5 μm < 1 Stéck
Montageflaachheet:≤ 2 μm

Duerchgangsreferenz (aus dem geliwwerte Datenblat)

Ausrüstungsdimensiounen (L×B×H):13643 × 5030 × 2300 mm
Stroumversuergung:AC 380 V, 50 Hz
Gesamtleistung:119 kW
Montagepropperheet:0,5 μm < 50 Stéck; 5 μm < 1 Stéck
Montageflaachheet:≤ 2 μm

Typesche Linnenfluss

Zouführung / Grenzfläch vum virgepoléierte Beräich
Wafertrennung & -sammlung
Keramik Trägerpufferung/Späicherung (Taktzäit-Entkopplung)
Reinigung vu Keramikträger
Wafermontage op Träger (mat Rengheet- a Flaachheetskontroll)
Auslaf an de Prozess oder d'Logistik vum Downstream

FAQ

Q1: Wéi eng Problemer léist dës Linn haaptsächlech?
A: Et vereinfacht d'Operatiounen nom Polieren andeems d'Wafer-Trennung/-Sammlung, d'Puffering vu Keramikträger, d'Reinigung vu Träger an d'Wafer-Montage an eng koordinéiert Automatiséierungslinn integréiert gëtt - sou datt manuell Kontaktpunkte reduzéiert ginn an de Produktiounsrhythmus stabiliséiert gëtt.

Q2: Wéi eng Wafermaterialien a Gréissten ginn ënnerstëtzt?
A:Silizium a SiC,6–8 ZollWafers (no der uginner Spezifikatioun).

Q3: Firwat gëtt d'Botzen no der CMP an der Industrie betount?
A: D'Branchenliteratur weist drop hin, datt d'Nofro fir effektiv Reinigung no der CMP gewuess ass, fir d'Defektdicht virum nächste Schrëtt ze reduzéieren; megaschallbaséiert Approche gi meeschtens ënnersicht, fir d'Partikelentfernung ze verbesseren.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.