Silicon-On-Isolator Substrat SOI wafer dräi Schichten fir Mikroelektronik a Radiofrequenz

Kuerz Beschreiwung:

SOI vollen Numm Silicon On Isolator, ass d'Bedeitung vun der Silicon Transistor Struktur uewen um Isolator, de Prinzip ass tëscht dem Silicon Transistor, add Isolatormaterial, kann d'parasitär Kapazitéit tëscht deenen zwee maachen wéi d'Original manner wéi duebel.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Aféierung vun wafer Këscht

Aféierung eis fortgeschratt Silicon-On-Insulator (SOI) Wafer, virsiichteg konstruéiert mat dräi verschidde Schichten, revolutionéiert Mikroelektronik a Radiofrequenz (RF) Uwendungen. Dësen innovative Substrat kombinéiert eng Top Silicium Schicht, eng isoléierend Oxid Schicht, an en ënneschten Silizium Substrat fir oniwwertraff Leeschtung a Villsäitegkeet ze liwweren.

Entworf fir d'Ufuerderunge vun der moderner Mikroelektronik, eis SOI Wafer bitt e festen Fundament fir d'Fabrikatioun vun komplizéierten integréierte Circuiten (ICs) mat super Geschwindegkeet, Energieeffizienz an Zouverlässegkeet. Déi iewescht Siliziumschicht erméiglecht d'nahtlos Integratioun vu komplexe elektronesche Komponenten, während d'isoléierend Oxidschicht parasitär Kapazitéit miniméiert, d'Gesamtleistung vum Apparat verbessert.

Am Räich vun RF Uwendungen exceléiert eis SOI Wafer mat senger gerénger parasitärer Kapazitéit, héijer Decomptespannung an exzellenter Isolatiounseigenschaften. Ideal fir RF Schalter, Verstärker, Filteren an aner RF Komponenten, dëst Substrat suergt fir optimal Leeschtung an drahtlose Kommunikatiounssystemer, Radarsystemer, a méi.

Ausserdeem mécht déi inherent Stralungstoleranz vun eisem SOI Wafer et ideal fir Raumfaart- a Verteidegungsapplikatiounen, wou Zouverlässegkeet an haarden Ëmfeld kritesch ass. Seng robust Konstruktioun an aussergewéinlech Leeschtungseigenschaften garantéieren eng konsequent Operatioun och an extremen Konditiounen.

Schlëssel Features:

Dräi-Layer Architektur: Top Silicon Schicht, Isoléieroxid Schicht, an ënnen Silizium Substrat.

Superior Microelectronics Performance: Erlaabt Fabrikatioun vu fortgeschratt ICs mat verstäerkter Geschwindegkeet a Kraafteffizienz.

Exzellent RF Leeschtung: Niddereg parasitär Kapazitéit, héich Decomptespannung, a super Isolatiounseigenschaften fir RF Apparater.

Aerospace-Grade Zouverlässegkeet: Inherent Stralungstoleranz garantéiert Zouverlässegkeet an haarden Ëmfeld.

Villsäiteg Uwendungen: Gëeegent fir eng breet Palette vun Industrien, dorënner Telekommunikatioun, Raumfaart, Verteidegung, a méi.

Erlieft déi nächst Generatioun vu Mikroelektronik a RF Technologie mat eisem fortgeschrattem Silicon-On-Insulator (SOI) Wafer. Späert nei Méiglechkeeten fir Innovatioun op a féiert Fortschrëtter an Ären Uwendungen mat eiser modernsten Substratléisung.