Siliziumkarbid (SiC) Waferboot

Kuerz Beschreiwung:

De Siliziumkarbid (SiC) Wafer-Boot ass e Hallefleiter-Prozessträger aus héichreinem SiC-Material, dee fir d'Haltung an den Transport vu Wafere während kriteschen Héichtemperaturprozesser wéi Epitaxie, Oxidatioun, Diffusioun an Glühung geduecht ass.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Iwwersiicht iwwer Quarzglas

Mat der schneller Entwécklung vu Kraafthallefleeder a Breitbandlücken-Komponenten, stinn konventionell Quarz-Schëffer mat Aschränkungen aus, wéi Deformatioun bei héijen Temperaturen, schwéier Partikelkontaminatioun a kuerzer Liewensdauer. SiC-Wafer-Schëffer, déi sech mat enger iwwerleeëner thermescher Stabilitéit, gerénger Kontaminatioun a verlängerter Liewensdauer ënnerscheeden, ersetzen ëmmer méi Quarz-Schëffer a ginn déi bevorzugt Wiel an der SiC-Komponenteproduktioun.

Schlësselmerkmale

1. Materiell Virdeeler

Hergestallt aus héichreinegem SiC mathéich Häertegkeet a Stäerkt.
Schmelzpunkt iwwer 2700°C, vill méi héich wéi dee vu Quarz, wat eng laangfristeg Stabilitéit an extremen Ëmfeld garantéiert.

2. Thermesch Eegeschaften

Héich thermesch Leetfäegkeet fir eng séier an gläichméisseg Wärmeiwwerdroung, miniméiert Waferstress.
Den thermeschen Ausdehnungskoeffizient (CTE) entsprécht SiC-Substrater ganz genee, wouduerch d'Béiung an d'Rëssbildung vun de Wafer reduzéiert gëtt.

3. Chemesch Stabilitéit

Stabil bei héijen Temperaturen a verschiddenen Atmosphären (H₂, N₂, Ar, NH₃, etc.).
Excellent Oxidatiounsbeständegkeet, verhënnert Zersetzung a Partikelbildung.

4. Prozessleistung

Eng glat an dicht Uewerfläch reduzéiert d'Verschëtterung vu Partikelen a Kontaminatioun.
Erhält dimensional Stabilitéit a Belaaschtungskapazitéit no laanger Benotzung.

5. Käschteeffizienz

3–5 Mol méi laang Liewensdauer wéi Quarzbooter.
Méi niddreg Ënnerhaltsfrequenz, reduzéiert Ausfallzäiten a Ersatzkäschten.

Uwendungen

SiC-EpitaxieËnnerstëtzung vu 4-Zoll, 6-Zoll an 8-Zoll SiC-Substrater während epitaktischem Wuesstum bei héijen Temperaturen.
Fabrikatioun vu KraaftgeräterIdeal fir SiC MOSFETs, Schottky-Barrièredioden (SBDs), IGBTs an aner Apparater.
Thermesch BehandlungGlüh-, Nitridéierungs- a Karboniséierungsprozesser.
Oxidatioun & DiffusiounStabil Wafer-Supportplattform fir Héichtemperatur-Oxidatioun an Diffusioun.

Technesch Spezifikatiounen

Artikel	Spezifikatioun
Material	Héichreine Siliziumkarbid (SiC)
Wafergréisst	4-Zoll / 6-Zoll / 8-Zoll (personaliséierbar)
Maximal Betribstemperatur	≤ 1800°C
Thermesch Expansioun CTE	4,2 × 10⁻⁶ /K (no beim SiC-Substrat)
Wärmeleitfäegkeet	120–200 W/m·K
Uewerflächenrauheet	Ra < 0,2 μm
Parallelismus	±0,1 mm
Liewensdauer	≥ 3x méi laang wéi Quarzbooter

Vergläich: Quarzboot vs. SiC-Boot

Dimensioun	Quarzboot	SiC-Boot
Temperaturbeständegkeet	≤ 1200°C, Deformatioun bei héijer Temperatur.	≤ 1800°C, thermesch stabil
CTE-Match mat SiC	Grouss Ofwäichung, Risiko vu Waferstress	Eng gutt Passform, reduzéiert Rëssbildung vu Waferen
Partikelkontaminatioun	Héich, generéiert Ongereimtheeten	Niddreg, glat an dicht Uewerfläch
Liewensdauer	Kuerz, heefeg Ersatz	Laang, 3–5x méi laang Liewensdauer
Gëeegente Prozess	Konventionell Si-Epitaxie	Optiméiert fir SiC-Epitaxie & Energieversuergungsapparater

FAQ – Siliziumkarbid (SiC) Waferbooter

1. Wat ass e SiC-Waferboot?

E SiC-Waferboot ass en Halbleiterprozessträger aus héichreinem Siliziumcarbid. E gëtt benotzt fir Waferen während Héichtemperaturprozesser wéi Epitaxie, Oxidatioun, Diffusioun an Glühung ze halen an ze transportéieren. Am Verglach mat traditionelle Quarzbooter bidden SiC-Waferbooter eng iwwerleeën thermesch Stabilitéit, manner Kontaminatioun a méi laang Liewensdauer.

2. Firwat solle mir SiC-Waferbooter amplaz vu Quarzbooter wielen?

Méi héijer TemperaturbeständegkeetStabil bis 1800°C am Verglach mat Quarz (≤1200°C).
Bessere CTE-MatchNo bei SiC-Substrater, wat d'Waferstress an d'Rëssbildung miniméiert.
Manner PartikelgeneratiounGlat, dicht Uewerfläch reduzéiert Kontaminatioun.
Méi laang Liewensdauer3–5 Mol méi laang wéi Quarzbooter, wat d'Besëtzkäschte senkt.

3. Wéi eng Wafergréissten kënnen SiC-Waferbooter ënnerstëtzen?

Mir bidden Standarddesignen fir4 Zoll, 6 Zoll an 8 ZollWaferen, mat voller Personnalisatioun fir de Bedierfnesser vun de Clienten gerecht ze ginn.

4. A wéi enge Prozesser gi SiC-Waferbooter dacks benotzt?

SiC epitaktesch Wuesstem
Produktioun vu Leeschtungshalbleiterkomponenten (SiC MOSFETs, SBDs, IGBTs)
Héichtemperaturglühen, Nitridéierung a Karboniséierung
Oxidatiouns- a Diffusiounsprozesser

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.