Siliziumkarbid SiC Ingots 6 Zoll N Typ Dummy/Prime Grade Déckt kann personaliséiert ginn

Siliziumkarbid SiC Ingots 6 Zoll N Typ Dummy/Prime Grade Dicke kann personaliséiert ginn Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) ass e Hallefleitermaterial mat enger breeder Bandlück, dat a ville Branchen ëmmer méi u Popularitéit gewënnt, wéinst senge bessere elektreschen, thermeschen a mechaneschen Eegeschaften. De SiC-Barr am 6-Zoll N-Typ Dummy/Prime-Grad ass speziell fir d'Produktioun vun fortgeschrattene Hallefleiterkomponenten entwéckelt, dorënner Héichleistungs- an Héichfrequenzapplikatiounen. Mat personaliséierbaren Décktméiglechkeeten a präzise Spezifikatioune bitt dëse SiC-Barr eng ideal Léisung fir d'Entwécklung vun Komponenten, déi an Elektroautoen, industrielle Stroumversuergungssystemer, Telekommunikatioun an aner Héichleistungssektoren agesat ginn. D'Robustheet vu SiC a Héichspannungs-, Héichtemperatur- an Héichfrequenzbedingungen garantéiert eng laang dauerhaft, effizient a verlässlech Leeschtung a ville verschiddenen Uwendungen.
De SiC-Barr ass a Gréissten vun 6 Zoll verfügbar, mat engem Duerchmiesser vun 150,25 mm ± 0,25 mm an enger Déckt vu méi wéi 10 mm, wat en ideal fir d'Waferschneiden mécht. Dëst Produkt bitt eng gutt definéiert Uewerflächenorientéierung vu 4° Richtung <11-20> ± 0,2°, wat eng héich Präzisioun bei der Fabrikatioun vun den Apparater garantéiert. Zousätzlech huet de Barr eng primär flaach Orientéierung vun <1-100> ± 5°, wat zu enger optimaler Kristallausrichtung a Veraarbechtungsleistung bäidréit.
Mat engem héije Widderstand am Beräich vun 0,015–0,0285 Ω·cm, enger gerénger Mikrorohrdicht vun <0,5 an enger exzellenter Kantenqualitéit ass dëse SiC-Barr gëeegent fir d'Produktioun vun Energieversuergungskomponenten, déi minimal Defekter an eng héich Leeschtung ënner extremen Konditiounen erfuerderen.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Eegeschaften

Qualitéit: Produktiounsqualitéit (Dummy/Prime)
Gréisst: 6-Zoll Duerchmiesser
Duerchmiesser: 150,25 mm ± 0,25 mm
Déckt: >10mm (Personaliséiert Déckt op Ufro verfügbar)
Uewerflächenorientéierung: 4° Richtung <11-20> ± 0,2°, wat eng héich Kristallqualitéit an eng präzis Ausriichtung fir d'Fabrikatioun vum Apparat garantéiert.
Primär flaach Orientéierung: <1-100> ± 5°, eng Schlësseleegeschaft fir dat effizient Schneiden vum Barren a Waferen a fir optimal Kristallwuesstum.
Primär flaach Längt: 47,5 mm ± 1,5 mm, entwéckelt fir einfach Handhabung a präzis Schneiden.
Widderstand: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal fir Uwendungen an héicheffizienten Energieversuergungsapparater.
Mikropäifdicht: <0,5, wat minimal Defekter garantéiert, déi d'Leeschtung vun de fabrizéierten Apparater beaflosse kéinten.
BPD (Bor-Pitting-Dichte): <2000, e niddrege Wäert, deen op eng héich Kristallreinheet an eng niddreg Defektdicht hiweist.
TSD (Gewindespannungsdichte): <500, wat eng exzellent Materialintegritéit fir héichperformant Apparater garantéiert.
Polytypberäicher: Keen – de Barren ass fräi vu Polytypdefekter a bitt doduerch eng iwwerleeën Materialqualitéit fir High-End-Uwendungen.
Kantenausdehnungen: <3, mat enger Breet an Déift vun 1 mm, wat minimale Uewerflächenschued garantéiert an d'Integritéit vum Barren fir effizient Waferschneiden erhale bleift.
Kantriss: 3, <1 mm all, mat gerénger Optriede vu Kanteschäden, wat eng sécher Handhabung a weider Veraarbechtung garantéiert.
Verpackung: Waferkëscht – de SiC-Barr ass sécher an enger Waferkëscht verpackt fir e sécheren Transport an Ëmgank ze garantéieren.

Uwendungen

Leeschtungselektronik:De 6-Zoll SiC-Barr gëtt extensiv an der Produktioun vun elektronesche Leeschtungskomponenten wéi MOSFETs, IGBTs an Dioden agesat, déi essentiell Komponenten a Stroumkonversiounssystemer sinn. Dës Komponenten gi wäit verbreet an Elektroauto-Inverter (EV), industrielle Motorundriff, Stroumversuergungen an Energiespeichersystemer agesat. D'Fäegkeet vu SiC, bei héije Spannungen, héije Frequenzen an extremen Temperaturen ze funktionéieren, mécht et ideal fir Uwendungen, wou traditionell Silizium (Si)-Komponenten Schwieregkeeten hätten, effizient ze funktionéieren.

Elektroautoen (EVs):Bei Elektroautoen si Komponenten op Basis vu SiC entscheedend fir d'Entwécklung vu Stroummoduler an Inverteren, DC-DC-Konverteren an On-Board-Ladegeräter. Déi iwwerleeën Wärmeleitfäegkeet vu SiC erméiglecht eng reduzéiert Hëtztentwécklung an eng besser Effizienz bei der Energiekonversioun, wat essentiell ass fir d'Leeschtung an d'Reechwäit vun Elektroautoen ze verbesseren. Zousätzlech erméiglechen SiC-Apparater méi kleng, méi liicht a méi zouverlässeg Komponenten, wat zu der Gesamtleeschtung vun EV-Systemer bäidréit.

Erneierbar Energiesystemer:SiC-Barren sinn e wesentlecht Material an der Entwécklung vun Energiekonversiounsapparater, déi an erneierbaren Energiesystemer benotzt ginn, dorënner Solarinverter, Wandturbinnen an Energiespeicherléisungen. Déi héich Energieveraarbechtungsfäegkeeten vum SiC an déi effizient thermesch Gestioun erlaben eng méi héich Energiekonversiounseffizienz an eng verbessert Zouverlässegkeet an dëse Systemer. Seng Notzung an erneierbaren Energien hëlleft déi global Efforte fir Energienohaltegkeet ze fërderen.

Telekommunikatioun:De 6-Zoll SiC-Barr ass och gëeegent fir d'Produktioun vu Komponenten, déi an RF-Uwendungen (Radiofrequenz) mat héijer Leeschtung benotzt ginn. Dozou gehéieren Verstärker, Oszillatoren a Filter, déi an Telekommunikatiouns- a Satellittekommunikatiounssystemer benotzt ginn. D'Fäegkeet vum SiC, héich Frequenzen an héich Leeschtung ze handhaben, mécht et zu engem exzellente Material fir Telekommunikatiounsapparater, déi eng robust Leeschtung a minimale Signalverloscht erfuerderen.

Loft- a Raumfaart a Verdeedegung:Déi héich Duerchschlagspannung a Widderstandsfäegkeet vu SiC géint héich Temperaturen maachen et ideal fir Loft- a Raumfaart- a Verteidegungsanwendungen. Komponenten aus SiC-Barren ginn a Radarsystemer, Satellittekommunikatioun a Kraaftelektronik fir Fligeren a Raumschëffer benotzt. SiC-baséiert Materialien erméiglechen et Loft- a Raumfaartsystemer, ënner den extremen Bedéngungen am Weltraum an op héijen Héichten ze funktionéieren.

Industriell Automatiséierung:An der industrieller Automatiséierung gi SiC-Komponenten a Sensoren, Aktuatoren a Kontrollsystemer benotzt, déi a rauen Ëmfeld musse funktionéieren. SiC-baséiert Apparater ginn a Maschinnen agesat, déi effizient, laang haltbar Komponenten erfuerderen, déi héijen Temperaturen an elektresche Belaaschtungen standhalen kënnen.

Produktspezifikatiounstabell

Immobilie	Spezifikatioun
Grad	Produktioun (Dummy/Prime)
Gréisst	6-Zoll
Duerchmiesser	150,25 mm ± 0,25 mm
Déckt	>10mm (personaliséierbar)
Uewerflächenorientéierung	4° Richtung <11-20> ± 0,2°
Primär flaach Orientéierung	<1-100> ± 5°
Primär flaach Längt	47,5 mm ± 1,5 mm
Widderstandsfäegkeet	0,015–0,0285 Ω·cm
Mikropäifdicht	<0,5
Bor-Pitting-Dicht (BPD)	<2000
Verrécklungsdicht vun der Schrauf (TSD)	<500
Polytypgebidder	Keen
Kantenaréckungen	<3, 1mm Breet an Déift
Rëss um Rand	3, <1mm/Stéck
Verpackung	Wafer-Gehäuse

Conclusioun

De 6-Zoll SiC-Barr – N-Typ Dummy/Prime-Qualitéit ass e Premium-Material, dat den héijen Ufuerderunge vun der Hallefleederindustrie erfëllt. Seng héich Wärmeleitfäegkeet, aussergewéinleche Widderstand a geréng Defektdicht maachen et zu enger exzellenter Wiel fir d'Produktioun vun fortgeschrattene Leeschtungselektroneschen Apparater, Automobilkomponenten, Telekommunikatiounssystemer an erneierbaren Energiesystemer. Déi personaliséierbar Déckt an d'Prezisiounsspezifikatioune suergen dofir, datt dëse SiC-Barr op eng breet Palette vun Uwendungen ugepasst ka ginn, wat eng héich Leeschtung a Zouverlässegkeet an usprochsvollen Ëmfeld garantéiert. Fir weider Informatiounen oder fir eng Bestellung ze maachen, kontaktéiert w.e.g. eis Verkafsequipe.