Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N Typ Dummy / Prime Grad Dicke kann personaliséiert ginn

Silicon Carbide SiC Ingot 6inch N Typ Dummy / Prime Grad Dicke ka personaliséiert Featured Image

Kuerz Beschreiwung:

Silicon Carbide (SiC) ass e breet Bandgap Hallefleitmaterial dat bedeitend Traktioun iwwer eng Rei Industrien gewënnt wéinst senge superieure elektreschen, thermeschen a mechanesche Eegeschaften. De SiC Ingot am 6-Zoll N-Typ Dummy / Prime Grad ass speziell fir d'Produktioun vu fortgeschratten Halbleitergeräter entwéckelt, dorënner High-Power an High-Frequenz Uwendungen. Mat personaliséierbaren Dickeoptiounen a präzise Spezifikatioune bitt dëse SiC Ingot eng ideal Léisung fir d'Entwécklung vun Apparater, déi an elektresche Gefierer, Industriekraaftsystemer, Telekommunikatioun an aner High-Performance-Secteuren benotzt ginn. SiC's Robustheet an Héichspannungs-, Héichtemperatur- an Héichfrequenzbedéngungen suergt fir laang dauerhaft, effizient an zouverlässeg Leeschtung a ville Applikatiounen.
De SiC Ingot ass verfügbar an enger 6 Zoll Gréisst, mat engem Duerchmiesser vun 150,25 mm ± 0,25 mm an enger Dicke méi wéi 10 mm, wat et ideal mécht fir Wafer ze schneiden. Dëst Produkt bitt eng gutt definéiert Uewerflächenorientéierung vu 4 ° Richtung <11-20> ± 0,2 °, fir eng héich Präzisioun bei der Fabrikatioun vum Apparat ze garantéieren. Zousätzlech huet den Ingot eng primär flaach Orientéierung vun <1-100> ± 5 °, wat zu enger optimaler Kristallausrichtung a Veraarbechtungsleistung bäidréit.
Mat héijer Resistivitéit am Beräich vun 0,015–0,0285 Ω·cm, enger gerénger Mikropipe Dicht vun <0,5, an exzellenter Randqualitéit, ass dëse SiC Ingot gëeegent fir d'Produktioun vu Kraaftapparaten déi minimal Defekter an héich Leeschtung ënner extremen Konditiounen erfuerderen.

Schéckt E-Mail un eis

Produit Detailer

Produit Tags

Eegeschaften

Grad: Produktiounsgrad (Dummy / Prime)
Gréisst: 6-Zoll Duerchmiesser
Duerchmiesser: 150,25 mm ± 0,25 mm
Dicke:>10mm (Customizéierbar Dicke verfügbar op Ufro)
Surface Orientatioun: 4 ° Richtung <11-20> ± 0,2 °, wat eng héich Kristallqualitéit a genee Ausrichtung fir Gerätfabrikatioun garantéiert.
Primär flaach Orientéierung: <1-100> ± 5 °, e Schlëssel Feature fir d'effizient Schnëtt vum Ingot a Waferen a fir en optimalen Kristallwachstum.
Primär flaach Längt: 47,5 mm ± 1,5 mm, entworf fir einfach Handhabung a Präzisioun ze schneiden.
Resistivitéit: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideal fir Uwendungen an héicheffizienten Kraaftapparater.
Mikropipe Dicht: <0.5, garantéiert minimale Mängel déi d'Leeschtung vu fabrizéierten Apparater beaflosse kënnen.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, e nidderegen Wäert deen héich Kristallreinheet a gerénger Defektdicht weist.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, garantéiert exzellent Materialintegritéit fir High-Performance-Geräter.
Polytype Beräicher: Keen - den Ingot ass fräi vu Polytype Mängel, bitt super Materialqualitéit fir High-End Uwendungen.
Edge Indents: <3, mat enger Breet an Déift vun 1 mm, suergt fir e minimale Uewerflächeschued an erhalen d'Integritéit vum Ingot fir effizient Wafer ze schneiden.
Rand Rëss: 3, <1mm all, mat niddereg Optriede vun Rand Schued, suergt sécher Ëmgank a weider Veraarbechtung.
Verpackung: Wafer Fall - de SiC Ingot ass sécher an engem Wafer Fall gepackt fir sécher Transport an Handhabung ze garantéieren.

Uwendungen

Power Electronics:De 6-Zoll SiC Ingot gëtt extensiv an der Produktioun vu Kraaftelektronesch Geräter wéi MOSFETs, IGBTs, an Dioden benotzt, déi wesentlech Komponenten a Kraaftkonversiounssystemer sinn. Dës Geräter gi wäit an elektresche Gefierer (EV) Inverter, Industriemotordriven, Stroumversuergung an Energiespeichersystemer benotzt. D'Fäegkeet vum SiC fir mat héije Spannungen, héich Frequenzen an extremen Temperaturen ze bedreiwen mécht et ideal fir Uwendungen wou traditionell Silizium (Si) Geräter kämpfen fir effizient ze maachen.

Elektresch Gefierer (EVs):An elektresche Gefierer si SiC-baséiert Komponenten entscheedend fir d'Entwécklung vu Kraaftmoduler an Inverter, DC-DC Konverter, an Bord Ladegeräter. Déi héichwäerteg thermesch Konduktivitéit vu SiC erlaabt eng reduzéiert Hëtztgeneratioun a besser Effizienz bei der Kraaftkonversioun, wat vital ass fir d'Performance an d'Freiwerei vun elektresche Gefierer ze verbesseren. Zousätzlech erlaben SiC Geräter méi kleng, méi hell a méi zouverlässeg Komponenten, bäidroe fir d'Gesamtleistung vun EV Systemer.

Erneierbar Energiesystemer:SiC Ingots sinn e wesentlecht Material an der Entwécklung vu Kraaftkonversiounsgeräter, déi an erneierbaren Energiesystemer benotzt ginn, dorënner Solarinverter, Windturbinen an Energiespäicherléisungen. SiC's héich Kraaftveraarbechtungsfäegkeeten an effizient thermesch Gestioun erlaben eng méi héich Energiekonversiounseffizienz a verbessert Zouverlässegkeet an dëse Systemer. Seng Notzung an erneierbarer Energie hëlleft weltwäit Efforte fir d'Energienohaltegkeet ze féieren.

Telekommunikatioun:De 6-Zoll SiC Ingot ass och gëeegent fir Komponenten ze produzéieren déi an High-Power RF (Radiofrequenz) Uwendungen benotzt ginn. Dozou gehéieren Verstäerker, Oszilléierer, a Filtere, déi an Telekommunikatiouns- a Satellitekommunikatiounssystemer benotzt ginn. D'Kapazitéit vu SiC fir héich Frequenzen an héich Kraaft ze handhaben mécht et en exzellent Material fir Telekommunikatiounsapparater déi robust Leeschtung a minimale Signalverloscht erfuerderen.

Raumfaart a Verdeedegung:SiC héich Decompte Volt a Resistenz zu héich Temperaturen maachen et ideal fir Raumfaarttechnik a Verteidegung Uwendungen. Komponenten aus SiC Ingots ginn a Radarsystemer, Satellittekommunikatioun a Kraaftelektronik fir Fligeren a Raumschëffer benotzt. SiC-baséiert Materialien erméiglechen Raumfaartsystemer fir ënner den extremen Bedéngungen auszeféieren, déi am Weltraum an héijen Ëmfeld begéinen.

Industriell Automatisatioun:An der industrieller Automatioun ginn SiC Komponenten a Sensoren, Aktuatoren a Kontrollsystemer benotzt, déi an haart Ëmfeld musse funktionnéieren. SiC-baséiert Geräter ginn a Maschinnen agesat, déi effizient, laang dauerhaft Komponenten erfuerderen, déi fäeg sinn héich Temperaturen an elektresch Belaaschtungen ze widderstoen.

Produit Spezifizéierung Dësch

Immobilie	Spezifizéierung
Grad	Produktioun (Dummy / Prime)
Gréisst	6 Zoll
Duerchmiesser	150,25 mm ± 0,25 mm
Dicke	> 10 mm (personaliséierbar)
Uewerfläch Orientatioun	4° Richtung <11-20> ± 0,2°
Primär flaach Orientéierung	<1-100> ± 5°
Primär flaach Längt	47,5 mm ± 1,5 mm
Resistivitéit	0,015–0,0285 Ω·cm
Mikropipe Dicht	<0,5
Boron Pitting Density (BPD)	<2000
Threading Screw Dislocation Density (TSD)	<500
Polytype Beräicher	Keen
Edge Abriecher	<3, 1mm Breet an Déift
Rand Knascht	3, <1 mm/ép
Verpakung	Wafer Fall

Conclusioun

De 6-Zoll SiC Ingot - N-Typ Dummy / Prime Grad ass e Premiummaterial dat de strenge Ufuerderunge vun der Hallefleitindustrie entsprécht. Seng héich thermesch Konduktivitéit, aussergewéinlech Resistivitéit, a geréng Defektdicht maachen et eng exzellent Wiel fir d'Produktioun vu fortgeschrattene Kraaftelektronesch Geräter, Autoskomponenten, Telekommunikatiounssystemer an erneierbar Energiesystemer. Déi personaliséierbar Dicke a Präzisiounsspezifikatioune suergen datt dëse SiC Ingot op eng breet Palette vun Uwendungen ugepasst ka ginn, fir héich Leeschtung an Zouverlässegkeet an usprochsvollen Ëmfeld ze garantéieren. Fir weider Informatioun oder fir eng Bestellung ze maachen, kontaktéiert eis Verkafsteam.