Siliziumkarbid (SiC) horizontal Uewenröhr

Kuerz Beschreiwung:

Den horizontalen Uewenröhr aus Siliziumkarbid (SiC) déngt als Haaptprozesskammer a Drockgrenz fir Héichtemperatur-Gasphasreaktiounen an Hëtzebehandlungen, déi an der Hallefleiterfabrikatioun, der Photovoltaikfabrikatioun an der fortgeschrattener Materialveraarbechtung benotzt ginn.

Schéckt eis eng E-Mail

Fonctiounen

Detailéiert Diagramm

Produktpositionéierung & Wäertpropositioun

Dëse Rouer, deen aus engem Stéck, additiv hiergestallt ass, kombinéiert mat enger dichter CVD-SiC-Schutzschicht, bitt aussergewéinlech thermesch Leetfäegkeet, minimal Kontaminatioun, staark mechanesch Integritéit an aussergewéinlech chemesch Resistenz.
Säin Design garantéiert eng iwwerleeën Temperaturuniformitéit, verlängert Serviceintervaller a stabile laangfristege Betrib.

Kärvirdeeler

Verbessert d'Konsistenz vun der Systemtemperatur, d'Sauberkeet an d'allgemeng Effizienz vun der Ausrüstung (OEE).
Reduzéiert d'Ausfallzäit fir d'Botzen a verlängert d'Ersatzzyklen, wouduerch d'Gesamtbesëtzkäschten (TCO) erofgesat ginn.
Bitt eng laanglieweg Kammer, déi fäeg ass, oxidativ a chlorräich Chemikalien bei héijen Temperaturen mat minimalem Risiko ze veraarbechten.

Uwendbar Atmosphären & Prozessfenster

Reaktiv GasenSauerstoff (O₂) an aner oxidéierend Mëschungen
Träger-/SchutzgaseStéckstoff (N₂) an ultra-rein Inertgaser
Kompatibel AartenSpuerchlorhalteg Gaser (Konzentratioun an Ophiewezäit rezeptkontrolléiert)

Typesch ProzesserDréchen/naass Oxidatioun, Glühen, Diffusioun, LPCVD/CVD-Oflagerung, Uewerflächenaktivéierung, photovoltaesch Passivéierung, funktionellt Dënnschichtwuesstum, Karboniséierung, Nitridéierung a méi.

Betribsbedingungen

Temperatur: Raumtemperatur bis zu 1250 °C (ofhängeg vum Heizungsdesign an dem ΔT eng Sécherheetsmarge vun 10–15 % erwaarden)
Drock: vu Vakuumniveauen am Nidderdrock/LPCVD bis zu bal atmosphäresche Positivdrock (Endspezifikatioun pro Bestellung)

Materialien & Strukturlogik

Monolithesche SiC-Kierper (additiv hiergestallt)

Héichdicht β-SiC oder Multiphase-SiC, als eenzeg Komponent gebaut - keng geléite Verbindungen oder Nähten, déi lecke kéinten oder Spannungspunkte schafe kéinten.
Héich thermesch Konduktivitéit erméiglecht eng séier thermesch Äntwert an eng exzellent axial/radial Temperaturuniformitéit.
En niddregen, stabile Koeffizient vun der thermescher Ausdehnung (CTE) garantéiert dimensional Stabilitéit a verlässlech Dichtungen bei erhéichten Temperaturen.

Funktionell CVD SiC Beschichtung

In-situ ofgesat, ultra-rein (Uewerflächen-/Beschichtungsonreinheeten < 5 ppm) fir d'Partikelbildung an d'Fräisetzung vu Metallionen z'ënnerdrécken.
Excellent chemesch Inertitéit géint oxidéierend a chlorhalteg Gaser, verhënnert Wandattack oder Neioflagerung.
Zonenspezifesch Décktoptiounen fir d'Korrosiounsbeständegkeet an d'thermesch Reaktiounsfäegkeet auszebalancéieren.

Kombinéierte VirdeelDe robuste SiC-Gehäuse suergt fir strukturell Stäerkt a Wärmeleitung, während d'CVD-Schicht Rengheet a Korrosiounsbeständegkeet fir maximal Zouverlässegkeet an Duerchgangsleistung garantéiert.

Schlëssel Leeschtungsziler

Temperatur fir kontinuéierlech Benotzung:≤ 1250 °C
Onreinheeten am groussen Deel vum Substrat:< 300 ppm
CVD-SiC Uewerflächenonreinheeten:< 5 ppm
Dimensiounstoleranzen: OD ±0,3–0,5 mm; Koaxialitéit ≤ 0,3 mm/m (méi enk verfügbar)
Rauheet vun der bannenzeger Wand: Ra ≤ 0,8–1,6 µm (poléiert oder bal spigelfäeg Uewerfläch optional)
Helium-Leckagerate: ≤ 1 × 10⁻⁹ Pa·m³/s
Wärmeschock-Ausdauer: iwwerlieft widderholl waarm/kal Zyklen ouni Rëss oder Spallatioun
Montage am proppere Raum: ISO Klass 5–6 mat zertifizéierte Partikel-/Metallionen-Reschtniveauen

Konfiguratiounen & Optiounen

GeometrieBaussenduerchmiesser 50–400 mm (méi grouss no Evaluatioun) mat enger laanger Eendeelkonstruktioun; Wanddicke optiméiert fir mechanesch Stäerkt, Gewiicht a Wärmefloss.
EnndesignenFlanschen, Klackemondung, Bajonettfërmeg, Positionéierungsréng, O-Ringrillen, a personaliséiert Auspumpungs- oder Drockanschlüsse.
Funktionell HäfenThermoelement-Duerchféierungen, Sichtglassëtzer, Bypass-Gas-Agank - all entwéckelt fir héichtemperaturéierten a leckdichten Operatioun.
Beschichtungsschemaen: bannenzeg Mauer (Standard), baussenzeg Mauer oder voll Ofdeckung; gezielt Ofschiermung oder graduéiert Déckt fir Regiounen mat héijer Impingement.
Uewerflächenbehandlung & Rengheetverschidde Rauheetsgraden, Ultraschall-/DI-Reinigung a personaliséiert Bak-/Dréchnungsprotokoller.
Accessoiren: Graphit-/Keramik-/Metallflanschen, Dichtungen, Positionéierungsarmaturen, Handhabungshülsen a Lagerwiegen.

Leeschtungsvergläich

Metrik	SiC-Röhre	Quarzröhrchen	Aluminiumoxid-Röhre	Grafitröhre
Wärmeleitfäegkeet	Héich, eenheetlech	Niddereg	Niddereg	Héich
Héichtemperaturstäerkt/Kreuzhub	Excellent	Fair	Gutt	Gutt (oxidatiounsempfindlech)
Thermesche Schock	Excellent	Schwach	Mëttelméisseg	Excellent
Rengheet / Metallionen	Excellent (niddreg)	Mëttelméisseg	Mëttelméisseg	Aarm
Oxidatioun & Cl-Chemie	Excellent	Fair	Gutt	Schlecht (oxidéiert)
Käschten vs. Liewensdauer	Mëttel/laang Liewensdauer	Niddreg / kuerz	Mëttel / mëttel	Mëttel / Ëmweltlimitéiert

Dacks gestallte Froen (FAQ)

Q1. Firwat soll een e monolithesche SiC-Kierper mat 3D-Drock wielen?
A. Et eliminéiert Nähten a Lätmaterial, déi lecke kënnen oder Spannung konzentréiere kënnen, an ënnerstëtzt komplex Geometrien mat konsequenter Dimensiounsgenauegkeet.

Q2. Ass SiC resistent géint chlorhalteg Gaser?
A. Jo. CVD-SiC ass héich inert bannent spezifizéierten Temperatur- a Drockgrenzen. Fir Beräicher mat héijer Belaaschtung sinn lokaliséiert déck Beschichtungen a robust Spül-/Ofgassystemer recommandéiert.

Q3. Wéi schneit et besser of wéi Quarzréier?
A. SiC bitt eng méi laang Liewensdauer, eng besser Temperaturuniformitéit, eng manner Partikel-/Metallionen-Kontaminatioun an e verbesserten TCO – besonnesch iwwer ~900 °C oder an oxidéierenden/chloréierten Atmosphären.

Q4. Kann d'Röhre séier thermesch Ramping verkraften?
A. Jo, virausgesat datt déi maximal ΔT- a Ramprate-Richtlinne respektéiert ginn. D'Kombinatioun vun engem SiC-Kierper mat héijem κ-Gehalt an enger dënner CVD-Schicht ënnerstëtzt séier thermesch Iwwergäng.

Q5. Wéini ass en Ersatz néideg?
A. Tauscht d'Réier aus, wann Dir Flansch- oder Kantrëss, Beschichtungslächer oder Spallatioun, eropgaang Leckraten, bedeitend Temperaturprofildrift oder anormal Partikelgeneratioun feststellt.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.