Siliziumkarbid (SiC) Keramikplack

Kuerz Beschreiwung:

Siliziumkarbid (SiC) Keramikplacke si héichfest, héichreine Keramikkomponenten, déi fir Ëmfeld entwéckelt goufen, déi aussergewéinlech thermesch Stabilitéit, mechanesch Robustheet a chemesch Resistenz erfuerderen. Mat exzellenter Häert, gerénger Dicht an iwwerleeëner thermescher Konduktivitéit gi SiC-Placke wäit verbreet an der Hallefleederveraarbechtung, Héichtemperaturuewen, Präzisiounsmaschinnen a korrosiven industriellen Ëmfeld benotzt.


Fonctiounen

Produkt Iwwersiicht

Siliziumkarbid (SiC) Keramikplacke si héichfest, héichreine Keramikkomponenten, déi fir Ëmfeld entwéckelt goufen, déi aussergewéinlech thermesch Stabilitéit, mechanesch Robustheet a chemesch Resistenz erfuerderen. Mat exzellenter Häert, gerénger Dicht an iwwerleeëner thermescher Konduktivitéit gi SiC-Placke wäit verbreet an der Hallefleederveraarbechtung, Héichtemperaturuewen, Präzisiounsmaschinnen a korrosiven industriellen Ëmfeld benotzt.

Dës Placke behalen hir strukturell Integritéit ënner extremen Bedingungen, wouduerch se zu enger idealer Materialléisung fir Héichleistungsausrüstung vun der nächster Generatioun sinn.

Schlësselmerkmale & Eegeschaften

  • Héich Häert a Verschleißbeständegkeet– Vergläichbar mat Diamant, wat eng laang Liewensdauer garantéiert.

  • Niddreg thermesch Expansioun– Miniméiert d'Deformatioun bei schneller Erhëtzung oder Ofkillung.

  • Héich thermesch Konduktivitéit– Effizient Hëtzofleedung fir thermesch Kontrollsystemer.

  • Aussergewéinlech chemesch Stabilitéit– Resistent géint Säuren, Alkalien a Plasma-Ëmfeld.

  • Liicht awer extrem staark– Héicht Festigkeits-Gewiichtsverhältnis am Verglach mat Metaller.

  • Excellent Leeschtung bei héijen Temperaturen– Aarbechtstemperature bis zu 1600°C (ofhängeg vun der Qualitéit).

  • Staark mechanesch Steifheet– Ideal fir präzis Ënnerstëtzung a strukturell Stabilitéit.

Fabrikatiounsmethod

SiC Keramikplacke ginn typescherweis duerch ee vun de folgende Prozesser produzéiert:

• Reaktiounsgebonnent Siliziumkarbid (RBSC / RBSiC)

  • Geformt duerch Infiltratioun vu geschmolltem Silizium an eng poréis SiC-Präform

  • Eegeschaften: héich Stäerkt, gutt Bearbechtbarkeet a dimensional Stabilitéit

  • Gëeegent fir grouss Placken, déi eng strikt Flaachheetskontroll erfuerderen

• Sinteréiert Siliziumkarbid (SSiC)

  • Produzéiert duerch drocklos Sinteren vun héichreinem SiC-Pulver

  • Bitt iwwerleeën Rengheet, Stäerkt a Korrosiounsbeständegkeet

  • Ideal fir Hallefleeder- a chemesch Uwendungen, déi ultra-propper Konditioune erfuerderen

• CVD Siliziumkarbid (CVD-SiC)

  • Prozess vun der chemescher Dampfdepositioun

  • Héchst Rengheet, extrem dicht an ultra-glat Uewerfläch

  • Heefeg a Hallefleiterwaferträger, Susceptoren a Vakuumkammerdeeler

Uwendungen

SiC Keramikplacke gi wäit an enger Rei vu Branchen agesat:

Hallefleiter & Elektronik

  • Waferträgerplacken

  • Vermuter

  • Komponenten vum Diffusiounsuewen

  • Deeler vun der Ätz- a Depositiounskammer

Komponenten fir Héichtemperaturuewen

  • Ënnerstëtzungsplacken

  • Miwwelen aus dem Uewen

  • Isolatioun a Schutz vun der Heizungssystem

Industriell Ausrüstung

  • Mechanesch Verschleissplacken

  • Schiebepads

  • Pompel- a Ventilkomponenten

  • Chemesch korrosiounsbeständeg Placken

Loft- a Raumfaart & Verdeedegung

  • Liicht héichfeste Strukturplacken

  • Héichtemperatur-Schirmkomponenten

SiC Keramik Schacht 10
SiC Keramik Schacht 5

Spezifikatiounen & Personnalisatioun

SiC Keramikplacke kënnen no personaliséierten Zeechnunge hiergestallt ginn:

• Dimensiounen:
Déckt: 0,5–30 mm
Maximal Säitelängt: bis zu 600 mm (variéiert jee no Prozess)

• Toleranz:
±0,01–0,05 mm ofhängeg vun der Bearbeitungsart

• Uewerflächenfinish:

  • Buedem / iwwerlappt

  • Poléiert (Ra < 5 nm fir CVD-SiC)

  • As-gesintert Uewerfläch

• Materialqualitéiten:
RBSiC / SSiC / CVD-SiC

• Formoptiounen:
Flaach Placken, véiereckeg Placken, ronn Placken, geschlitzt Placken, perforéiert Placken, asw.

FAQ iwwer Quarzbrëller

Q1: Wat ass den Ënnerscheed tëscht RBSiC- an SSiC-Placken?

A:RBSiC bitt eng gutt mechanesch Stäerkt a Käschteleistung, während SSiC eng méi héich Rengheet, eng besser Korrosiounsbeständegkeet an eng méi héich Stäerkt huet. SSiC gëtt fir Hallefleeder- a chemesch Uwendungen bevorzugt.

Q2: Kënnen SiC Keramikplacke Wärmeschock standhalen?

A:Jo. SiC huet eng niddreg thermesch Expansioun an eng héich thermesch Konduktivitéit, wat eng exzellent Wärmeschockbeständegkeet garantéiert.

Q3: Kënnen d'Placke fir Spigeluewerflächen poléiert ginn?

A:Jo. CVD-SiC an héichreine SSiC kënne Spigelpoléierung fir optesch oder Hallefleederufuerderunge erreechen.

Q4: Ënnerstëtzt Dir personaliséiert Bearbechtung?

A:Jo. Placke kënnen no Ären Zeechnunge fabrizéiert ginn, inklusiv Lächer, Schlitzer, Aussparungen a speziell Formen.

Iwwer eis

XKH spezialiséiert sech op High-Tech-Entwécklung, Produktioun a Verkaf vu speziellem optesche Glas a neie Kristallmaterialien. Eis Produkter si fir optesch Elektronik, Konsumentelektronik a fir d'Militär geduecht. Mir bidden optesch Komponenten fir Saphir, Lënsenofdeckungen fir Handyen, Keramik, LT, Siliziumcarbid SIC, Quarz a Hallefleederkristallwaferen. Mat qualifizéierter Expertise a moderner Ausrüstung exceléiere mir an der Veraarbechtung vu Produkter ouni Standard, mat dem Zil, e féierend High-Tech-Entreprise fir optoelektronesch Materialien ze sinn.

567

  • Virdrun:
  • Weider:

  • Schreift Är Noriicht hei a schéckt se eis